導(dǎo)語(yǔ)：近日，深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)：芯能半導(dǎo)體）宣布已獲得一項(xiàng)有關(guān)IGBT芯片的重大專(zhuān)利——“一種帶有ESD結(jié)構(gòu)的IGBT芯片及制作方法”，這一專(zhuān)利的頒布不僅保障了產(chǎn)品安全性，還提高了芯片工作效率。

此次專(zhuān)利的申請(qǐng)日期為2023年8月22日，授權(quán)公示日為2024年3月26日，授權(quán)公告號(hào)為CN116779666B。此項(xiàng)專(zhuān)利主要涉及的新型IGBT芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于采用自上而下的頂層金屬層、ESD結(jié)構(gòu)、多晶硅層等多種組件相互配合，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電路運(yùn)行。

發(fā)明的核心亮點(diǎn)是將多晶硅層頂部水平設(shè)置一層水平多晶硅，在該層上還橫向安放NPN結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步構(gòu)建出ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)。利用這種方法，將多晶硅層和接觸孔通過(guò)ESD結(jié)構(gòu)連接起來(lái)，確保柵極和發(fā)射極能得到有效保護(hù)。

值得注意的是，接觸孔采用的是與發(fā)射極所在的N+區(qū)域相連接的方式，使柵極多晶硅與發(fā)射極之間得以基于ESD結(jié)構(gòu)形成并聯(lián)關(guān)系，從而顯著提升了產(chǎn)品性能和安全保障。

該項(xiàng)發(fā)明為行業(yè)內(nèi)IGBT芯片研發(fā)和生產(chǎn)帶來(lái)了新的思路和發(fā)展方向，降低了制造門(mén)檻并確保了產(chǎn)品質(zhì)量。未來(lái)，芯能半導(dǎo)體將會(huì)繼續(xù)投入更多科研力量，推動(dòng)晶體管領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)拓展。