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利用單片集成硅光子平臺(tái),實(shí)現(xiàn)室溫波導(dǎo)耦合SPAD

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 2024-04-02 09:17 ? 次閱讀
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單光子探測(cè)對(duì)于量子信息處理、光譜學(xué)和激光雷達(dá)(LiDAR)在內(nèi)的各類弱光應(yīng)用非常重要。這些應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)是將單光子探測(cè)能力集成到光子回路中,以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的光子微系統(tǒng)。使用硅(Si)作為光電探測(cè)器的短波長(zhǎng)(λ < 1.1 μm)集成光子平臺(tái)為實(shí)現(xiàn)在室溫或接近室溫下工作的單光子雪崩二極管(SPAD)提供了機(jī)會(huì)。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,由加拿大多倫多大學(xué)(University of Toronto)、德國(guó)馬克斯·普朗克微結(jié)構(gòu)物理研究所(Max Planck Institute of Microstructure Physics)和新加坡Advanced Micro Foundry(AMF)組成的科研團(tuán)隊(duì)在npj Nanophotonics期刊上發(fā)表了以“Room-temperature waveguide-coupled silicon single-photon avalanche diodes”為主題的文章。該論文的第一作者為多倫多大學(xué)Alperen Govdeli,通訊作者為多倫多大學(xué)的Alperen Govdeli和Joyce K. S. Poon。

這項(xiàng)研究報(bào)道了首個(gè)波導(dǎo)耦合的硅SPAD。該器件適用于可見(jiàn)光(VIS)探測(cè)。該器件單片集成在一個(gè)具有各種光子組件的硅光子平臺(tái)中,例如低損耗可見(jiàn)光光波導(dǎo)、邊緣耦合器、熱光移相器和電熱致動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)懸臂梁光束掃描儀。研究人員對(duì)該器件在室溫下的光子探測(cè)效率(PDE)和暗計(jì)數(shù)率(DCR)進(jìn)行了表征。這項(xiàng)研究工作為將單光子探測(cè)器集成到接近室溫的大規(guī)模集成光路中開(kāi)辟了道路。

圖1a展示了波導(dǎo)耦合硅SPAD的橫截面示意圖。該結(jié)構(gòu)由氮化硅(SiN)波導(dǎo)下帶有PN結(jié)的硅臺(tái)面(Si mesa)組成。SiN波導(dǎo)中的入射光倏逝地耦合到Si mesa上。研究人員將路由SiN波導(dǎo)設(shè)計(jì)為厚度150 nm、寬度500 nm。絕熱錐形邊緣耦合器被用于促進(jìn)光纖到芯片的耦合。SiN寬度從晶面上的5.2 μm減小到芯片中波導(dǎo)的標(biāo)稱寬度(Wgw)500 nm。圖1b和圖1d為SPAD的俯視光學(xué)顯微圖和原理圖。

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圖1 波導(dǎo)耦合可見(jiàn)光SPAD

為了表征波導(dǎo)SPAD的單光子探測(cè)特性,研究人員使用了如圖2所示的裝置。超連續(xù)激光源(NKT Photonics SuperK Fianium)輸出的λ = 488 nm或532 nm的光經(jīng)過(guò)濾波,其光譜帶寬小于2.5 nm。然后光被中性密度濾波器衰減以滿足單光子條件,最后通過(guò)單??梢?jiàn)光光纖耦合到芯片上。在測(cè)量過(guò)程中,該芯片被黑盒封閉,以消除環(huán)境光對(duì)器件特性的影響。對(duì)于SPAD器件,研究人員使用了如圖2b所示的簡(jiǎn)單被動(dòng)淬滅電路。

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圖2 蓋革模式(Geiger mode)SPAD的表征

研究人員使用圖3中的工作流對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了分析。圖4a和圖4b顯示了橫向結(jié)長(zhǎng)為100 μm的SPAD在不同過(guò)量偏置電壓下測(cè)量的PDE。SPAD在21°C、- 5°C和- 9°C時(shí)線性模式下的I-V特性如圖4c所示。

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圖3 用于光子和暗計(jì)數(shù)計(jì)算的流程圖

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圖4 SPAD的蓋革模式工作情況

綜上所述,這項(xiàng)研究報(bào)道了在單片集成硅光子平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)室溫波導(dǎo)耦合硅SPAD的概念驗(yàn)證。這項(xiàng)研究通過(guò)優(yōu)化PN結(jié)設(shè)計(jì)和轉(zhuǎn)移到絕緣體上硅(SOI)襯底來(lái)提升DCR;通過(guò)修改SiN波導(dǎo)的躍遷以增強(qiáng)吸收區(qū)的耦合,從而改善PDE。此外,定制設(shè)計(jì)的主動(dòng)淬滅電路有望減少器件的時(shí)間抖動(dòng)(timing jitter)。這些波導(dǎo)SPAD使大規(guī)模光子回路集成單光子探測(cè)器成為可能,這對(duì)于量子信息處理尤為重要。

論文鏈接:
https://doi.org/10.1038/s44310-024-00003-y



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:利用單片集成硅光子平臺(tái),實(shí)現(xiàn)室溫波導(dǎo)耦合SPAD

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