4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會開幕。九峰山實驗室主任丁琪超在開幕式上向全球來賓推介實驗室，他介紹，九峰山實驗室定位于“化合物半導體研發(fā)和創(chuàng)新平臺”，以開放、公共、共享的價值觀，服務于全產業(yè)鏈和科研界。同時，他帶來了第一張8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，這也是全球范圍內目前集成度最高的光電芯片。

從“窄”到“寬”具備全鏈條研發(fā)能力

丁琪超介紹，實驗室搭建了豐富的化合物半導體材料體系，可以支撐從“窄禁帶”“寬禁帶”到“超寬禁帶”半導體一系列工藝研發(fā)過程，同時也布局了如鈮酸鋰材料、PZT材料等特色的功能性材料。

丁琪超介紹，團隊通過一年半到兩年時間進行建設和工藝制成調試，已全線貫通7條特色工藝線，每條工業(yè)線具備小批量產能，支撐科研和技術在平臺研發(fā)后可以快速進行產業(yè)轉化和產品實現。

丁琪超介紹，實驗室投資4億元，同步建設了一個先進的檢測分析平臺，已具備比較先進的芯片檢測能力。去年以來，這塊業(yè)務持續(xù)增長，為全國20多個省市的企業(yè)和單位提供了服務。

“異質集成”能力做到全球一流

丁琪超重點介紹了實驗室的6個技術能力體系。如實驗室核心技術方向之一的“異質集成”，能通過8英寸硅集成不同化合物半導體材料，發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢特性，集成相關芯片。所以我們基本上實現8英寸硅基薄膜鈮酸鋰異質集成技術。他還展示了8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，這也是全球范圍內目前集成度最高的光電芯片。

在“化合物外延”這一技術能力構建中，實驗室已建設3000平方米外延中心，涵蓋了非常豐富的設備種類體系；在“集成微波無源器件”這一技術能力構建中，實驗室通過人工智能最新的一些建模技術，實現了非常豐富的無源基于硅基射頻電路模型，精度達到小于2%誤差；在介紹“碳化硅（SiC）溝槽”技術能力時，他表示，實驗室從初期就布局溝槽型SIC技術能力，持續(xù)攻克關鍵難點工藝，例如可實現3μmm以上超深結構刻蝕。他還現場展示了昨天剛下線的新版本的碳化硅MOSFET器件。

丁琪超介紹，針對異質集成實驗室一直認為的未來重點發(fā)展方向，九峰山實驗室將持續(xù)推出基于異質集成相應技術的實現和突破。同時，實驗室還發(fā)布了五個開放式基金課題，期待與更多同仁一起合作，一起推進相應的技術開發(fā)。

審核編輯：黃飛