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在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

羅姆半導體集團 ? 來源:羅姆半導體集團 ? 2024-04-17 14:06 ? 次閱讀
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關鍵要點

?使用電機試驗臺的測試結果,按照油耗測試方法WTLC進行了模擬行駛仿真,確認了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。

?WLTC測試循環(huán)的各個速度段的電耗均可得到改善,與使用IGBT時相比,整體電耗改善約6%,市區(qū)模式下改善約10%。

?給用戶帶來的效益包括可以降低單位行駛里程的運行成本(電力成本)以及可以使用電池容量更小的電池。

在“EV應用”一文中,我們通過BEV電源架構的組成部分之一“牽引逆變器”,介紹了在其中使用第4代SiC MOSFET的效果。

第4代SiC MOSFET的特點

在降壓型DC-DC轉換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

>電路工作原理和損耗分析

>DC-DC轉換器實機驗證

在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果

>EV應用

>裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

> 圖騰柱PFC實機評估

在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果

裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

本文將介紹牽引逆變器的基本工作和在EV中的評估系統(tǒng)(電機試驗臺的測試環(huán)境)。然后,我們將使用其測試結果,按照乘用車油耗測試方法WTLC實施模擬行駛仿真,并通過示例來了解使用第4代SiC MOSFET改善電耗的效果。

逆變電路的工作

隨著機電一體化(電機、減速器、逆變器)進程加速,降低損耗在實現(xiàn)高電壓、高輸出、小型輕量逆變器中的重要性日益凸顯。這是因為降低損耗與EV的電耗性能是息息相關的。

如圖1所示,為了驅動動力總成系統(tǒng)中的電機,牽引逆變器會將電池中存儲的直流電轉換為三相交流電。逆變器由三個半橋結構(每個半橋是1個橋臂,共3個橋臂)組成。三相交流波形按照與電機轉速同步的頻率信號波(基準正弦波)設置,三角波(調制波)按照決定開關頻率的載波頻率設置。提供給電機的電壓是通過在生成PWM信號的過程中改變三相交流電和三角波的電平來實現(xiàn)的。

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圖1. 常見的逆變器電路結構和驅動信號

電機試驗臺的測試環(huán)境

表1中列出了電機試驗臺以及供試逆變器中搭載的SiC器件的主要規(guī)格。供試逆變器由內置第4代SiC MOSFET裸芯片的二合一功率模塊組成。

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表1. 電機實驗臺及供試逆變器主要規(guī)格

圖2為電機試驗臺的測試環(huán)境,圖3為供試逆變器(DUT Inverter),圖4為控制系統(tǒng)框圖。通過供試逆變器的三相UVW動力線來驅動供試電機。供試電機與負載電機連接,負載電機根據(jù)車輛參數(shù)計算出的行駛阻力進行負載扭矩控制,可進行目標車輛參數(shù)的模擬行駛實驗。

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圖2.電機試驗臺的測試環(huán)境

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圖3. 供試逆變器(DU TInverter)

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圖4. 電機試驗臺控制系統(tǒng)框圖

關于行駛阻力,如圖5和公式(1)~(4)所示,考慮到了空氣阻力FAD、滾動阻力FRR、坡道阻力FRG、加速阻力FACC。

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圖5.行駛阻力

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Cd:空氣阻力系數(shù)

A:正面投影面積

ρ:干燥空氣密度

μ:滾動阻力系數(shù)

m:車輛重量

Δm:旋轉體的等效慣性質量

α:加速度 v:車速

g:重力加速度

模擬行駛所用的國際標準WLTC模式油耗測試

圖6所示的WLTC(Worldwide harmonized Light duty driving Test Cycle:全球統(tǒng)一輕型車輛測試循環(huán))是乘用車等的尾氣排放量和油耗測試方法(WLTP:Worldwide harmonized Light vehicles Test Procedure)中規(guī)定的車輛行駛測試循環(huán)。

WLTP是由聯(lián)合國歐洲經(jīng)濟委員會在2014年舉辦的第162屆聯(lián)合國世界車輛法規(guī)協(xié)調論壇(WP29)上被采用為全球統(tǒng)一汽車技術法規(guī)(GTR:Global Technical Regulation)的。該循環(huán)由低速、中速、高速和超高速(Low、Middle、High、Extra-High)四個部分組成,在日本,檢測供試車輛的尾氣排放量和油耗時不包括超高速(Extra-High)段的測試循環(huán)。

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圖6. WLTC(世界統(tǒng)一測試循環(huán))概要

使用前述的電機試驗臺,輸入基于WLTC測試循環(huán)的模擬行駛測試條件,在逆變器中分別使用了第4代SiC MOSFET和IGBT的兩種情況下,進行了行駛電耗測試。

圖7是針對C級EV的電耗測試結果。結果證明,如果用第4代SiC MOSFET取代傳統(tǒng)的IGBT,可以改善WLTC測試循環(huán)各個速度段的電耗。與使用IGBT時相比,整體電耗改善約6%,市區(qū)模式下改善約10%。

作為參考,在圖8中提供了逆變器效率MAP圖(在NT曲線基礎上增加了效率信息)。從這里的結果也可以看出,在市區(qū)行駛模式中經(jīng)常出現(xiàn)的高扭矩和低轉速范圍內,效率顯著提升。

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圖7. 電耗測試結果

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圖8. WLTC 油耗測試中的逆變器效率 MAP 圖

下面我們舉例來說明改善電耗可以給用戶帶來哪些效益。從“可以降低單位行駛里程的運行成本(電力成本)”和“可以使用電池容量更小的電池”兩方面來考慮可能更易于理解。表3是在郊區(qū)模式下的推算的效益示例。與使用IGBT時相比,假設電耗改善5.5%,就意味著1萬公里的行駛里程可以節(jié)省2,000日元,采用100kWh的電池可以節(jié)省5.5萬日元(表2)。

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表2. 電耗改善與用戶效益



審核編輯:劉清

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原文標題:R課堂 | 在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

文章出處:【微信號:羅姆半導體集團,微信公眾號:羅姆半導體集團】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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