4 月 18 日，綜合媒體報道，電子科技大學信息與量子實驗室研究團隊攜手清華大學及中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所成功研發(fā)首款氮化鎵量子光源芯片，該成果對電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺有著重大推動作用。

量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具，如同“量子燈泡”，賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當前，量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造，而此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關(guān)鍵性能方面實現(xiàn)突破，由 25.6 納米增至 100 納米，且有望實現(xiàn)單片集成。

研究團隊運用迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，克服了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難關(guān)，成功將氮化鎵材料應用于量子光源芯片領(lǐng)域。

電子科技大學基礎(chǔ)與前沿研究院教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強表示，新款量子光源芯片能為量子互聯(lián)網(wǎng)提供更豐富的波長資源，滿足更多用戶根據(jù)自身需求選擇不同波長接入量子互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的需求。他形象地比喻道：“這就像‘量子燈泡’能照亮更多房間。”