1、儲能簡介
“儲能”是通過化學(xué)或物理的方法將電能儲存起來并在需要時釋放的相關(guān)技術(shù)及措施。依據(jù)儲存方式，儲能可分為機(jī)械儲能、電磁儲能、電化學(xué)儲能、熱儲能和化學(xué)儲能。

在不同儲能技術(shù)中，機(jī)械儲能中的抽水蓄能是當(dāng)前商業(yè)化應(yīng)用最為成熟的儲能方式，以鋰電池、鈉硫電池為代表的電化學(xué)儲能整體處于示范和部署到商業(yè)化過渡階段，近年來發(fā)展迅速。然而，抽水蓄能存在地理位置限制、電站建設(shè)周期長、前期投資大等缺陷。與抽水蓄能相比，電化學(xué)儲能具備地理位置限制小、建設(shè)周期短、成本持續(xù)下降等優(yōu)勢，已成為近年來增長最快的儲能方式，電化學(xué)儲能預(yù)計成為未來主流儲能技術(shù)。電化學(xué)儲能可進(jìn)一步分為：1）集中式儲能，包括發(fā)電側(cè)和電網(wǎng)側(cè)；2） 分布式儲能（或用戶側(cè)）。

2、行業(yè)廠家及行業(yè)特點
儲能行業(yè)廠家：

國內(nèi)主要行業(yè)廠家有寧德時代、比亞迪、陽光電源、華為、億緯鋰能、鵬輝能源、國軒高科、海辰儲能等諸多優(yōu)秀企業(yè)。

儲能行業(yè)特點：

中國電化學(xué)儲能以集中式為主，將逐漸從集中式向工商業(yè)及戶用領(lǐng)域拓展

歐洲電化學(xué)儲能以戶用側(cè)為主，是歐洲市場實現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型的重要途徑

北美儲能市場集中在美國，美國電化學(xué)儲能以公共事業(yè)儲能（大儲）為主

3、儲能典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

DC-DC應(yīng)用中MOS的開關(guān)頻率高達(dá)幾百KHz，對MOS的動態(tài)參數(shù)要求較高。SGT管的低Ciss、Crss，低內(nèi)阻的特性非常適合高頻應(yīng)用。封裝TO-220/TO-247插件封裝為主。

電池管理系統(tǒng)BMS用于監(jiān)控、調(diào)節(jié)電池的充放電，以及在故障時及時關(guān)閉輸出回路，保證電池的使用安全。矽普中低壓產(chǎn)品，產(chǎn)品內(nèi)阻低、EAS能力強(qiáng)，能夠適應(yīng)應(yīng)用中負(fù)載短路等各種異常情況，提高鋰電池使用的安全性、可靠性。封裝TOLL/TO-263/PDFN5X6貼片封裝為主。

MOS在逆變器應(yīng)用主要為前級升壓和后級逆變兩部分。前級升壓將電池電壓升至高壓，后級逆變將高壓逆變成交流電。MOS選型一般為電池電壓的三倍以上，封裝TO-220/TO-247。后級逆變常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為全橋逆變，一般選用650~1200V 高壓MOS，封裝TO-220/TO-247插件封裝為主。

4、儲能MOSFET選型推薦
我們針對便攜式儲能、戶用儲能、工商業(yè)儲能、集中式儲能等應(yīng)用場景進(jìn)行全平臺布局，產(chǎn)品方向包括Trench/SGT/SJ/SiC MOSFET，IGBT單管和模塊同步在研發(fā)中。

對于于DC-DC電路，我們主推中低壓30V-250V 插件型MOSFET 產(chǎn)品

對于BMS電路，我們主推中低壓30V-200V 貼片型MOSFET 產(chǎn)品

對于逆變電路，我們主推 650V/800V SJ MOSFET和750V/1200V SiC MOSFET

后續(xù)將全面推進(jìn) IGBT /SiC 模塊研發(fā)，布局高功率大型儲能

產(chǎn)品選型如下：

審核編輯 黃宇