91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2024-04-25 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)今日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起,組成首個基于 Transphorm SuperGaN? 平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。

新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件(WT7162RHUG24A)相同,兩款新的器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是,它們還可提供更多創(chuàng)新功能,包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應(yīng)OCP補償和自適應(yīng)綠色模式控制等,使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設(shè)計方案,設(shè)計出更快、更高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示:“去年,我們推出了首款SiP氮化鎵器件,這是偉詮電子發(fā)展歷程中的一個重要里程碑。對于AC-DC電源產(chǎn)品市場,SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進入市場策略(Go-To-Market Strategy)。今天發(fā)布的新產(chǎn)品表明,我們將繼續(xù)為該應(yīng)用領(lǐng)域提供更多的器件選擇,支持更廣泛的產(chǎn)品功率級?;?Transphorm SuperGaN平臺并采用整體封裝解決方案,可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到功率接近200瓦的充電器在內(nèi)的各種裝置提供更易設(shè)計的高性能電源,這是 Transphorm氮化鎵器件的獨特之處?!?/p>

終端產(chǎn)品制造商想方設(shè)法開發(fā)物料(BOM)成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外,針對許多應(yīng)用場景,制造商還希望提供具有多個端口和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案,產(chǎn)品外形都要做到更小、更輕。

Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術(shù)平臺的主要優(yōu)勢包括:同類最佳的穩(wěn)固性(+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性)及可靠性(FIT失效率<0.05),且功率密度比硅器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設(shè)計,利用了上述GaN器件優(yōu)勢以及自身的創(chuàng)新技術(shù),打造出一款近乎即插即用的解決方案,縮小外形尺寸的同時,加快設(shè)計速度。

Transphorm全球銷售及FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示:“從適配器和充電器制造商的需求考慮,SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求,而且功能集成,器件更易使用,從而在最短的時間內(nèi)可設(shè)計出產(chǎn)品。偉詮電子此前推出的首款器件驗證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發(fā)布新款器件,表明了我們兩家公司在深化并實踐為客戶提供更多選擇的承諾。”

產(chǎn)品規(guī)格
WT7162RHUG24A WT7162RHUG24B(新) WT7162RHUG24C(新)
Rds(on) 240 mΩ 150 mΩ 480 mΩ
Vds min 650 V
功率效率 > 93%
功率密度 26 w/in3
最大頻率 180 kHz
寬輸出電壓操作 USB-C PD 3.0
PPS 3.3V~21V
封裝 24-pin 8x8 QFN
主要特點
特點 優(yōu)勢
可調(diào)的 GaN FET 柵極轉(zhuǎn)換速率控制 可以兼顧效率和電磁兼容
不需要外部 VDD 線性穩(wěn)壓器電路(700 V 超高壓啟動電流直接取自交流線路電壓) 減少了組件數(shù)量
減小了封裝電感 最大限度提升了芯片性能
適合采用標(biāo)準(zhǔn) 8x8 QFN FF 封裝 系統(tǒng)占用空間更低更小

目標(biāo)應(yīng)用和供貨情況

偉詮電子 SuperGaN SiP系列特別適用在用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、頭戴式耳機、無人機、揚聲器、相機等移動/物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。

器件規(guī)格詳見產(chǎn)品數(shù)據(jù)表:

WT7162RHUG24A (240 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610

WT7162RHUG24B (150 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633

WT7162RHUG24C (480 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634

新推出的兩款器件(WT7162RHUG24B 和 WT7162RHUG24C)現(xiàn)已開始提供測試樣品。請聯(lián)系 Weltrend 銷售團隊:sales@weltrend.com.tw獲取更多信息。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiP
    SiP
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    540

    瀏覽量

    107717
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1892

    瀏覽量

    119760
  • Transphorm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    26

    瀏覽量

    10515
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片氮化
    發(fā)表于 02-04 08:56

    CHA8107-QCB兩級氮化(GaN)高功率放大器

    CHA8107-QCB兩級氮化(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款兩級氮化
    發(fā)表于 12-12 09:40

    “芯”品發(fā)布|未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化能效天花板!

    在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日,未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化場效應(yīng)晶體管(G
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:17 ?1945次閱讀

    請問芯源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技術(shù)嘛?
    發(fā)表于 11-14 07:25

    淺談氮化器件的制造難點

    制造氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?4763次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>的制造難點

    氮化器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

    氮化(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?1596次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的
    發(fā)表于 05-19 10:16

    氮化電源IC U8765產(chǎn)品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的
    的頭像 發(fā)表于 04-29 18:12 ?1120次閱讀

    創(chuàng)晶合:從GaN材料到器件研發(fā),打造三大應(yīng)用競爭力

    氮化的應(yīng)用已經(jīng)從消費電子的快充向工業(yè)級功率領(lǐng)域滲透,這給了國內(nèi)廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上,創(chuàng)晶合董事長助理趙陽接受
    的頭像 發(fā)表于 04-16 15:12 ?1646次閱讀

    德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護級別、功率密度和效率水平

    新聞亮點: ·新款發(fā)布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計,助力設(shè)計人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成
    發(fā)表于 04-09 14:38 ?622次閱讀
    德州儀器<b class='flag-5'>推出新款</b>電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護級別、功率密度和效率水平

    330W氮化方案,可過EMC

    氮化
    深圳市三佛科技
    發(fā)布于 :2025年04月01日 11:31:39

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關(guān)
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化快充芯片U8766的主要特點

    深圳銀聯(lián)寶科技推出氮化快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD
    的頭像 發(fā)表于 03-20 17:41 ?1012次閱讀

    GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案

    GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?5.2w次閱讀
    GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>半導(dǎo)體功率<b class='flag-5'>器件</b>門極驅(qū)動電路設(shè)計方案

    京東方華燦光電氮化器件的最新進展

    日前,京東方華燦的氮化研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請,分享了關(guān)于氮化器件的最新進展,引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高?/div>
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:44 ?1705次閱讀