本文介紹了硅片和SOI兩種材料的不同之處。

硅片和soi這兩種材料，他們的不同之處是什么呢？

硅片與SOI

硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開(kāi)來(lái)。與單晶硅片相比，SOI可以減少寄生電容，漏電流等，是一項(xiàng)比較前沿的技術(shù)。

制作方法的不同

硅片的制作方法：先用CZ法或FZ法制作出單晶硅錠，經(jīng)過(guò)切割成片，拋光等工序，得到單晶硅片 SOI晶圓則是需要對(duì)已有的單晶硅片再加工，一般的方法有SIMOX，BESOI，晶體生長(zhǎng)法等。涉及到的工藝有離子注入，退火，晶圓鍵合，CVD，cmp等。

總的來(lái)說(shuō)，硅片制造的工藝偏向于材料端，但是SOI所需要的工藝更貼近于半導(dǎo)體制造端，更先進(jìn)更前沿。

SOI技術(shù)的前景

SOI技術(shù)在微處理器，高性能RF芯片，硅光電子芯片中應(yīng)用廣泛。

因此針對(duì)于當(dāng)前大環(huán)境下的芯片設(shè)計(jì)，SOI相比于硅片更具有可研究的潛力。



審核編輯：劉清