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聚燦光電使用T3Ster大大提升LED芯片散熱能力

Olivia ? 來(lái)源:jf_25850331 ? 作者:jf_25850331 ? 2024-05-07 10:53 ? 次閱讀
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客戶(hù):聚燦光電科技(宿遷)有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):聚燦光電)

行業(yè):LED行業(yè)

方案:Simcenter T3Ster熱阻測(cè)試儀

故事摘要

芯片的散熱性能是LED燈具品質(zhì)的重要因素之一。由于LED燈具的發(fā)光原理和工作方式,芯片會(huì)受到較高的溫度影響,如果芯片的散熱性能不足,則會(huì)導(dǎo)致芯片過(guò)熱和壽命縮短,甚至引發(fā)燈具故障。因此,在LED燈具設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中,必須考慮芯片的散熱問(wèn)題,并采取有效的散熱措施。

聚燦光電依托自身的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,并結(jié)合先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀——T3Ster來(lái)解決芯片散熱問(wèn)題。

在聚燦光電的研發(fā)過(guò)程中,T3Ster技術(shù)被廣泛應(yīng)用,為公司的芯片設(shè)計(jì)和制造提供了重要的支持。通過(guò)T3Ster技術(shù)進(jìn)行測(cè)試,聚燦光電的芯片散熱性能得到了極大的提升,這不僅增加了芯片的使用壽命,也提高了芯片的穩(wěn)定性和可靠性,使得聚燦光電的產(chǎn)品具有更高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

l 聚燦光電簡(jiǎn)介

聚燦光電是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售三方面為一體的高新技術(shù)企業(yè),主要產(chǎn)品為GaN基高亮度LED外延片、芯片,主要應(yīng)用于顯示背光、通用照明、醫(yī)療美容等中高端應(yīng)用領(lǐng)域。。目前,公司已經(jīng)發(fā)展成為國(guó)內(nèi)高亮度LED芯片的主流廠家之一。

l 客戶(hù)遇到的挑戰(zhàn)

市場(chǎng)上大部分的熱阻測(cè)試設(shè)備,采用落后的采樣方法(脈沖法),其測(cè)量的數(shù)據(jù)量非常稀少(整個(gè)溫度變化過(guò)程總計(jì)都不超過(guò)150個(gè)采樣點(diǎn)),因此測(cè)試曲線的精度和平滑性都很差,完全無(wú)法準(zhǔn)確分析出器件內(nèi)部封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)函數(shù),而且也提供不了頻域分析結(jié)果,分析結(jié)果中的RC網(wǎng)絡(luò)級(jí)數(shù)甚至都不超過(guò)10個(gè),這些參數(shù)尤其是平滑的溫度變化曲線是所有后續(xù)分析的最重要基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

l 客戶(hù)如何接觸到T3Ster

T3Ster熱阻測(cè)試儀在市場(chǎng)上廣受認(rèn)可,很多企業(yè)實(shí)驗(yàn)室會(huì)選擇這款儀器來(lái)使用。通過(guò)庭田科技公司的專(zhuān)家顧問(wèn)團(tuán)隊(duì)給予的售前技術(shù)支持,聚燦光電更全面的了解到T3Ster無(wú)可比擬的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。

l 客戶(hù)為何選擇T3Ster?

聚燦光電之所以選擇T3Ster,是由于T3Ster采用了先進(jìn)的實(shí)時(shí)靜態(tài)測(cè)試方法(static mode),完全滿(mǎn)足JEDEC JESD51-1,IEC,美軍標(biāo)等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),其測(cè)試能力、精度、重復(fù)性都是業(yè)界領(lǐng)先,而且T3Ster的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)還是半導(dǎo)體封裝(及大功率LED)結(jié)殼熱阻測(cè)試最新國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的制定者。T3Ster提供的瞬態(tài)熱學(xué)測(cè)試技術(shù)不僅能夠準(zhǔn)確測(cè)試器件的結(jié)溫、熱阻值,還能分析器件內(nèi)部的封裝結(jié)構(gòu)。

l T3Ster幫助客戶(hù)解決了什么問(wèn)題

由于T3Ster的測(cè)量啟動(dòng)時(shí)間為1μs,它將提供更精確的測(cè)試結(jié)果。

當(dāng)啟動(dòng)測(cè)量時(shí)間為1μs時(shí),ΔT=58.84°C

當(dāng)啟動(dòng)測(cè)量時(shí)間為1ms時(shí),ΔT=49.97°C,誤差=16%

當(dāng)啟動(dòng)測(cè)量時(shí)間為40ms時(shí),ΔT=33.74°C,誤差=43%

l 客戶(hù)證言

我們繼續(xù)使用T3Ster測(cè)試芯片熱阻,并進(jìn)一步利用T3Ster先進(jìn)的結(jié)構(gòu)函數(shù)功能進(jìn)行器件的可靠性研究和封裝缺陷分析,為研發(fā)更新型、更高端的產(chǎn)品提供**測(cè)試驗(yàn)證支持。

吳志高 技術(shù)總監(jiān)

審核編輯 黃宇

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