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AI浪潮拉動DRAM與NAND閃存合約價飆升

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-07 15:56 ? 次閱讀
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5月7日消息,TrendForce集邦咨詢公司在最新的研究報告中指出,人工智能AI)技術的興起深刻地改變了DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場格局,因此該公司決定上調(diào)這兩種儲存產(chǎn)品本季度的合同價格漲幅。

首先來看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預測漲幅為13~18%,現(xiàn)已調(diào)整至15~20%,其中eMMC/UFS的漲幅相對較小,為10%。

TrendForce解釋說,他們原本認為在經(jīng)歷了兩個或三個季度的價格上漲之后,DRAM內(nèi)存和NAND閃存的買家可能不太愿意繼續(xù)承受高昂的價格壓力。然而,隨著四月份臺灣地區(qū)地震后的首次合約價格談判結(jié)束,價格漲幅超出預期,主要原因在于AI熱潮對供需雙方產(chǎn)生了心理影響。

在DRAM市場,存儲廠商擔心HBM內(nèi)存產(chǎn)能的增加將會擠壓傳統(tǒng)內(nèi)存的供應空間。據(jù)IT之家此前報道,美光表示HBM3E內(nèi)存的晶圓用量比傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存多出3倍;此外,TrendForce還指出,到2024年底,三星電子1αnm制程的DRAM產(chǎn)能中有大約60%將被HBM3e內(nèi)存占據(jù)。鑒于此,買家開始考慮在第二季度提前儲備DRAM內(nèi)存,以應對從第三季度開始的HBM內(nèi)存供應緊張局面。

在NAND閃存領域,由于AI推理服務器更注重節(jié)能性,北美云服務提供商正加大QLC企業(yè)級固態(tài)硬盤的使用力度。閃存產(chǎn)品庫存迅速減少,導致部分供應商出現(xiàn)惜售情緒。然而,報告同時指出,由于消費級產(chǎn)品需求恢復情況尚未明朗,存儲廠商對于非HBM內(nèi)存產(chǎn)能的投資仍然較為謹慎,特別是那些仍未實現(xiàn)盈利的DRAM閃存項目。

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