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北一半導(dǎo)體完成B+輪1.5億元融資,加快SiC MOSFET技術(shù)研發(fā)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-05-10 10:43 ? 次閱讀
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5月8日,北一半導(dǎo)體科技(廣東)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“北一半導(dǎo)體”)宣布其成功完成了B+輪融資。本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā),以及產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建。

據(jù)悉,本輪融資由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投,預(yù)計(jì)本輪融資總額將達(dá)到1.5億元。其中,1億元資金已經(jīng)到位,另有5000萬(wàn)元投資金額在結(jié)尾工作中。

北一半導(dǎo)體表示,本輪融資主要用于sic mosfet技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā),以及產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建。一方面,通過(guò)加大研發(fā)投入,加快技術(shù)創(chuàng)新的步伐,提升sic mosfet的性能指標(biāo)和生產(chǎn)效率;另一方面,通過(guò)產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建,提高生產(chǎn)規(guī)模,滿足市場(chǎng)需求,推動(dòng)sic mosfet的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。這些舉措不僅有助于提升北一半導(dǎo)體的核心競(jìng)爭(zhēng)力,也將為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力。這一里程碑式的成就,不僅為北一半導(dǎo)體的持續(xù)健康發(fā)展注入了新的活力,更昭示著其在第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅(sic)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化道路上的堅(jiān)定步伐。

據(jù)了解,去年5月,北一半導(dǎo)體完成了超1.5億元的B輪融資。本輪融資由基石資本領(lǐng)投,同時(shí)參與資本方包括聯(lián)通中金、青島玉頡。融資資金將用于以IGBT及SiC為代表的高端功率半導(dǎo)體芯片及模塊產(chǎn)品的開發(fā)。

產(chǎn)品進(jìn)展方面,2023年11月,北一半導(dǎo)體雙面散熱模塊(DSC)試制成功。經(jīng)過(guò)不斷的工藝和模具優(yōu)化以及可靠性考核,今年3月,北一半導(dǎo)體750V等級(jí)IGBT模塊及1200V等級(jí)SiC模塊具備量產(chǎn)能力,封裝良率超過(guò)行業(yè)水平。

據(jù)悉,開發(fā)的SiC模塊采用單面散熱結(jié)構(gòu),封裝形式涵蓋HPSS1、HPSS2 及HPSS3,IGBT模塊采用雙面散熱結(jié)構(gòu),封裝形式涵蓋HPDS1、HPDS2 及HPDS3。功率端子位置及定義的差異滿足不同電機(jī)控制器客戶設(shè)計(jì)要求,實(shí)現(xiàn)了和國(guó)際一線廠商的直接替換。

應(yīng)用測(cè)試表明,模塊在《GB-T18488 電動(dòng)汽車用電機(jī)及其控制器》中要求的額定及極限工況測(cè)試中輸出特性及溫升表現(xiàn)良好,未出現(xiàn)失效現(xiàn)象。

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基于既有的雙面散熱模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái),北一半導(dǎo)體同時(shí)可提供定制化開發(fā)服務(wù),可依據(jù)客戶電壓、電流、拓?fù)洹?a target="_blank">端子位置及尺寸等要求進(jìn)行定制化產(chǎn)品開發(fā),滿足客戶新能源汽車電機(jī)控制器小型化、高效化及輕量化的發(fā)展需求。

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產(chǎn)能項(xiàng)目方面,今年1月,北一半導(dǎo)體總投資20億元的晶圓工廠和總投資2億元分立器件生產(chǎn)加工兩個(gè)項(xiàng)目簽約落戶牡丹江穆棱經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)。年4月,總投資20億元的北一半導(dǎo)體晶圓工廠項(xiàng)目在穆棱功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園正式開工。

據(jù)透露,項(xiàng)目一期占地2.7萬(wàn)平方米、建筑面積3萬(wàn)平方米,新上國(guó)際先進(jìn)6英寸晶圓生產(chǎn)線,產(chǎn)值超10億元。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹,到2025年年底,北一半導(dǎo)體晶圓工廠項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)竣工投產(chǎn),項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后年可生產(chǎn)6英寸晶圓100萬(wàn)片。產(chǎn)品應(yīng)用于變頻器、UPS、工業(yè)控制、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域。

此外,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園分立器件生產(chǎn)加工項(xiàng)目新上分立器件生產(chǎn)線,引進(jìn)塑封機(jī)、測(cè)試機(jī)、焊線機(jī)等進(jìn)口設(shè)備,采用世界領(lǐng)先工藝,產(chǎn)品主要為北一半導(dǎo)體自身企業(yè)配套及國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷售,應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣夥?、?chǔ)能、新能源汽車、充電樁等。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:北一半導(dǎo)體完成B+輪1.5億元融資,加快SiC MOSFET技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)線擴(kuò)建

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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