可控硅保護(hù)器件制作方法與應(yīng)用——錯(cuò)位觸發(fā)原理詳解
截至2024年5月14日，上海維安半導(dǎo)體有限公司的“一種基于錯(cuò)位觸發(fā)的可控硅保護(hù)器件”發(fā)明專利正式公之于眾，其申請(qǐng)公開編號(hào)為CN118039639A。
該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個(gè)插指單元，每個(gè)單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū)，分別在外延層內(nèi)形成；第一N+區(qū)和第一P+區(qū)，分別在第一N型阱區(qū)內(nèi)生成，且第一P+區(qū)與第一N+區(qū)電性相連，構(gòu)成了保護(hù)器件的陽極；第三N+區(qū)，在P型阱區(qū)內(nèi)生成，其電性輸出端則作為保護(hù)器件的陰極；第二N+區(qū)和第二P+區(qū)，同樣在外延層內(nèi)生成，其中第二P+區(qū)位于第一N型阱區(qū)遠(yuǎn)離P型阱區(qū)的一側(cè)，并與第二N+區(qū)直接接觸。此設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)在于，通過將導(dǎo)通路徑與觸發(fā)路徑分離開來，顯著提升了器件的穩(wěn)定性和可靠性。
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