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5G芯片超薄絕緣導(dǎo)熱透波氮化硼散熱片

向欣電子 ? 2024-05-22 08:09 ? 次閱讀
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芯片的小型化和高度集成化,會(huì)導(dǎo)致局部熱流密度大幅上升。算力的提升、速度的提高帶來(lái)巨大的功耗和發(fā)熱量。制約高算力芯片發(fā)展的主要因素之一就是散熱能力。未來(lái),人工智能行業(yè)會(huì)因?yàn)樗懔ι釂?wèn)題被“卡脖子”嗎?

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芯片制造商比以往任何時(shí)候都更關(guān)注導(dǎo)熱材料和其他能夠帶走多余熱量的技術(shù)。芯片散熱需要做到“內(nèi)外兼修”,在降低能耗的同時(shí),還需保障組件的穩(wěn)定性和壽命。90%以上的熱量通過(guò)封裝從芯片的頂部散發(fā)到散熱器。熱量實(shí)際上要經(jīng)過(guò)硅晶片-內(nèi)部導(dǎo)熱材料-CPU金屬蓋-外部導(dǎo)熱材料的幾重傳導(dǎo),才能傳遞到散熱器上。在芯片和封裝之間,具有高導(dǎo)熱性的熱界面材料(TIM)可以幫助傳遞熱量。

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隨著科技的不斷發(fā)展,人們對(duì)計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備的需求也在不斷增加,現(xiàn)在的芯片的設(shè)計(jì)都是追求高性能的。人們需要在更快的速度下完成更復(fù)雜的任務(wù),這就需要芯片能夠提供更多的運(yùn)行能力。而這種高性能的設(shè)計(jì)卻是要以付出更高的代價(jià),例如消耗更多的電力,引起更多的熱量的產(chǎn)生。

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高性能必須伴隨著高功率,因?yàn)槟軌蛱峁└咝阅艿男酒仨氂凶銐虻哪茉慈ヲ?qū)動(dòng)它們,并支持它們?cè)诟咚龠\(yùn)轉(zhuǎn)期間產(chǎn)生的高溫。這樣的高功率和高溫度不斷累積,讓芯片產(chǎn)生更多的熱量。

新的應(yīng)用程序?qū)映霾桓F,也是導(dǎo)致芯片越來(lái)越熱的原因之一。新的應(yīng)用架構(gòu)、算法和功能需要更多的處理能力和運(yùn)存,也意味著需要更強(qiáng)大和高效的芯片和操作系統(tǒng)的支持。高效的芯片要求芯片擁有更高的時(shí)鐘頻率和更高的運(yùn)行速度,更多的性能意味著更高的功率。很多應(yīng)用程序需要在多個(gè)線程之間交織運(yùn)行,這就需要同時(shí)依附很多資源,而這些資源都需要芯片持續(xù)地為其供電,最終導(dǎo)致芯片溫度極高。

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