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      X-FAB更新XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺

      CHANBAEK ? 來源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-23 10:38 ? 次閱讀
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      全球知名的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries宣布了一項(xiàng)重要更新。公司對其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺進(jìn)行了全面升級，推出了全新的40V和60V高壓基礎(chǔ)器件。

      這次更新不僅帶來了可擴(kuò)展的SOA，還顯著提升了器件的運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，新一代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低了高達(dá)50%，為眾多關(guān)鍵應(yīng)用提供了更優(yōu)選擇。

      尤其值得注意的是，這些新器件特別適用于需要縮小尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。X-FAB的這一創(chuàng)新舉措無疑將推動相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，并為客戶帶來更高的性能和成本效益。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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