隨著Chat GPT的火爆，整個AI硬件市場迎來了奇點，除了GPU之外，HBM存儲也進入了爆發(fā)式的增長，根據TrendForce，2022年全球HBM容量約為1.8億GB，2023年增長約60%達到2.9億GB，2024年將再增長30%。如果以HBM每GB售價20美元測算，2022年全球HBM市場規(guī)模約為36.3億美元，預計至2026年市場規(guī)模將達127.4億美元，對應CAGR約37%。

然而，全球的HBM生產基本壟斷在SK海力士，三星及美光的手中，其中SK海力士在HBM市場擁有最大的市場份額，它是占據AI GPU市場80%份額的Nvidia的HBM3內存唯一供應商，并于3月份開始量產最新一代HBM3E。美光和三星等競爭供應商正在開發(fā)自己的 HBM產品，以阻止SK海力士主導市場。在整個市場中，中國廠商基本完全缺位。

同時，由于美國BIS 2022年針對高算力芯片的規(guī)則3A090管控指標較高，英偉達等廠商通過降低芯片互聯速率方式對中國持續(xù)供應，同時，美國商務部認為中國企業(yè)通過海外子公司或者其他海外渠道，規(guī)避許可證相關規(guī)定獲取先進計算芯片。2023年新規(guī)修改了3A090芯片及相關物項的技術指標，擴大了針對高算力芯片的許可證要求及直接產品原則的適用范圍，并增加了先進計算最終用途管控。在美國的制裁和管控下，無論是先進的GPU，HBM產品，還是制造AI芯片和HBM的先進封裝設備，都基本斷絕了對中國的供給。

芯片和存儲的制造，是卡在中國AI產業(yè)脖子上最緊的鐵鏈，其中最關鍵的設備，除了光刻機之外，在整個AI芯片和HBM的制造工藝中，2.5D或者3D先進封裝，芯片堆疊的先進工藝和設備是其核心之一，無論海力士，三星還是美光，現階段采用的均是TCB工藝，其中，海力士采用TCB MR-MUF, 三星及美光主要以TCB NCF技術，但是隨著HBM的發(fā)展，隨著HBM4的到來，堆疊層數從8層到16層，IO間距持續(xù)縮小到10微米左右的，TCB工藝也向著Fluxless演進。

在過去數年，普萊信智能一直和相關客戶緊密配合，進行TCB工藝和整機的研發(fā)，攻克并構建了自己的納米級運動控制平臺，超高速的溫度升降系統(tǒng)，自動調平系統(tǒng)及甲酸還原系統(tǒng)。在此基礎上，普萊信智能構建完成Loong系列TC Bonder技術平臺，并針對AI芯片，HBM等不同產品的需求，推出Loong WS及Loong F系列產品。

其中Loong WS可以兼容C2W及C2S封裝形式，最高精度為±1um, 做到和國外最先進產品同一水準，可以支持TCB NCF， TCB MR-MUF等工藝。

Loong F為下一代的HBM3E和HBM技術準備的Fluxless工藝設備，在Loong WS平臺基礎上增加了甲酸還原系統(tǒng)，消除了Flux在整個堆疊工藝中帶來的不良，可以直接進行coper-coper的鍵合，支持最小IO pitch在15微米，在未來HBM4堆疊層數增加和IO激增的情況下，Loong F將會是最具性價比的解決方案。

相信隨著中國半導體技術的進步和普萊信智能Loong系列TCB設備的推出和量產，國產廠商在AI芯片和HBM產品的研發(fā)和制造上，將在不遠的將來引來爆發(fā)點。

審核編輯 黃宇