Rapidus Design Solutions首席執(zhí)行官亨利?理查德近期宣布，該公司首代工藝無需High NA EUV光刻機。

據(jù)Anandtech報道，理查德對于他們目前使用的0.33N and EUV光刻解決方案在2nm節(jié)點上的表現(xiàn)相當(dāng)滿意。

在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

臺積電聯(lián)席副COO張曉強曾表示，他并不看好ASML High NA EUV光刻機的高昂售價；三星電子的Kang Young Seog研究員也持有相似觀點。

除了計劃于2025年試產(chǎn)、2027年量產(chǎn)的2nm工藝，Rapidus已經(jīng)開始規(guī)劃下一階段的1.4nm工藝。

理查德還透露，這家新興的日本代工廠可能會在1.4nm工藝中選擇其他的解決方案（即High NA EUV光刻）。

理查德表示，從潛在客戶和EDA企業(yè)那里得知，整個先進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找除臺積電以外的第二個獨立代工供應(yīng)商作為替代。

與同時擁有自家芯片業(yè)務(wù)的三星電子和英特爾不同，Rapidus是一家專注于代工服務(wù)的企業(yè)，這使得它在合作伙伴眼中更加具有吸引力。

理查德預(yù)計，2nm及以下的高端半導(dǎo)體市場將達(dá)到1500億美元（約合1.09萬億元人民幣），因此Rapidus只需要占據(jù)較小的市場份額就能取得成功。