臺積電CEO魏哲家尋求高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備 赴ASML和TRUMPF訪問
據(jù)韓媒Business Korea報道，臺積電CEO魏哲家未出席本應(yīng)由其主持的5月23日“臺積電2024技術(shù)研討會”，而是選擇赴荷蘭與ASML及TRUMPF進行商務(wù)洽談。
ASML CEO Christophe Fouquet和TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller通過社交媒體公開了魏總此次秘密行程。
Fuke表示，他們向魏總展示了最新的技術(shù)和產(chǎn)品，特別是關(guān)于高數(shù)值孔徑（High NA）EUV設(shè)備對未來半導(dǎo)體微處理技術(shù)的影響。
早前，臺積電張曉強博士在5月14日阿姆斯特丹的技術(shù)研討會上坦誠表示，雖然ASML的High-NA EUV設(shè)備性能出色，但其售價過高。
臺積電計劃在2026年下半年量產(chǎn)的A16產(chǎn)品后引入High NA EUV設(shè)備，并在此之前繼續(xù)使用現(xiàn)有的Low NA EUV設(shè)備。
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