通信基站是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的重要組成部分,數(shù)據(jù)中心也和網(wǎng)絡(luò)通訊一樣逐漸成為現(xiàn)代社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施的一部分,對(duì)很多產(chǎn)業(yè)都產(chǎn)生了積極影響。其中，開關(guān)電源起著不可忽視的作用，它憑借穩(wěn)定、可靠、高效的供電保證了整個(gè)通信基站和數(shù)據(jù)中心的正常運(yùn)行。

東芝推出的三款80V N溝道功率MOSFET擴(kuò)展產(chǎn)品均采用其最新一代“U-MOSX-H系列”工藝，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站等工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源（高效AC-DC轉(zhuǎn)換器，高效DC-DC轉(zhuǎn)換器等）、電機(jī)控制設(shè)備（電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等）。新產(chǎn)品采用表面貼裝型SOP Advance(N)封裝，“TPH3R008QM”漏源導(dǎo)通電阻(最大值)為3mΩ，“TPH6R008QM”為6mΩ，“TPH8R808QM”為8.8mΩ。

新產(chǎn)品降低了品質(zhì)因數(shù)（FOM:表示為導(dǎo)通電阻×電荷特性），有助于降低設(shè)備功耗。以TPH3R008QM為例，與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH4R008NH相比，其品質(zhì)因數(shù)，即漏源導(dǎo)通電阻與總柵極電荷乘積約下降48%，漏源導(dǎo)通電阻與柵極開關(guān)電荷乘積約下降16%，漏源導(dǎo)通電阻與輸出電荷乘積約下降33%。

產(chǎn)品主要特性如下

最新一代工藝U-MOSX-H系列

低導(dǎo)通電阻：

TPH3R008QM RDS(ON)＝3mΩ（最大值）（VGS＝10V）

TPH6R008QM RDS(ON)＝6mΩ（最大值）（VGS＝10V）

TPH8R808QM RDS(ON)＝8.8mΩ（最大值）（VGS＝10V）

高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175°C

主要規(guī)格

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未來東芝將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品線，提供更加豐富的產(chǎn)品選型，幫助降低設(shè)備功耗。

審核編輯：劉清