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PW1558A中文規(guī)格書與實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用:打造穩(wěn)健的12V/20V限流及6A雙向保護(hù)方案

夸克微科技 ? 2024-06-06 13:44 ? 次閱讀
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描述
PW1558A 是一款先進(jìn)的 28V 6A 額定雙向負(fù)載開關(guān), 提供過載、 短路、 輸入電壓浪涌、 過大沖擊電流和過熱保護(hù), 為系統(tǒng)供電。 內(nèi)置的 24mΩ超低 RDS(ON)電源開關(guān)有助于減少正常操作期間的功率損耗。 該設(shè)備具有兩個(gè)輸入/輸出端口 VBUS1 和 VBUS2, 其絕對(duì) MAX 大額定值為 28V。 每個(gè)端口都具有獨(dú)立的使能、 外部電流限制設(shè)置和放電控制引腳。 當(dāng)設(shè)備被禁用時(shí), 集成的兩個(gè) N 型通道電源開關(guān) M1 和 M2 串聯(lián)配置會(huì)阻止 VBUS1 和 VBUS2 兩個(gè)端口之間的任何泄漏。PW1558A 采用低輪廓 16 引腳 QFN 2.5mm x 3.2mm 封裝。

功能特點(diǎn)
寬電源電壓范圍: 支持 3V 至 24V 的寬電源電壓范圍
端口 VBUS1 和 VBUS2 的 28V 耐受能力
集成 24mΩ超低 RDS(ON)保護(hù)開關(guān)
外部可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間
外部可調(diào)輸入過壓閾值
短路保護(hù)
故障指示
熱關(guān)斷保護(hù)與自動(dòng)恢復(fù)功能

應(yīng)用
筆記本電腦、 臺(tái)式機(jī)、 服務(wù)器和平板電腦
轉(zhuǎn)接器和擴(kuò)展塢
電源附件
Thunderbolt/USB Type-C PD 電源開關(guān)

典型應(yīng)用

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典型應(yīng)用(20V, 5A)

wKgZomZhJg-AOLiYAAIP0Y0g4k8693.png

引腳配置

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引腳描述

wKgaomZhJieAUIyGAANsRIVPQOc994.pngwKgaomZhJjGANbKCAAFwoCpqdBc867.png

表 1. EN1 和 EN2 控制上電序列

wKgZomZhJjyAbI29AACtrfthuPQ537.pngwKgZomZhJkOAUMiUAAH0nj4WLBI369.pngwKgaomZhJkmAUf-2AAFdYN85O-0105.png

OVP 過壓:防止輸入尖峰高壓和高壓輸入時(shí),導(dǎo)致后面電路或 IC 損壞,如達(dá)到輸入過壓關(guān)閉閾值 6.1V 以上時(shí),輸出為 0V。
OCP 限流:限制 MAX 大通過電流值。超過如:如恒流;打嗝;關(guān)閉需要輸入重新上電激活(僅 PW2602C 屬于),三種表現(xiàn),; 根據(jù)不同負(fù)載類型(負(fù)載儀,手機(jī),水泥電阻等等),超過限流值表現(xiàn)不同有恒流或打嗝。

wKgaomZhKZqAamjAAAM26xzzZmE574.png

功能框架圖

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MAX 大額定值(注 1)

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推薦工作條件(注 3)

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熱信息(注 3, 注 4)

wKgZomZhKeaAZmJiAAA5ngXKPcU853.png

注(1): 超過所列“絕對(duì) MAX 大額定值”的應(yīng)力可能會(huì)損壞該器件。
注(2): 該器件在推薦工作條件之外的性能不得到保證。
注(3): 在 JESD51-7 標(biāo)準(zhǔn)的 4 層 PCB 板上測(cè)量。
注(4): MAX 大允許耗散功率是 MAX 大結(jié)溫 TJ_MAX=125°C、 結(jié)到環(huán)境的熱阻θJA 和環(huán)境溫度 TA 的函數(shù)。 在任何環(huán)境溫度下的 MAX 大允許連續(xù)耗散功率通過 PD_MAX=(TJ_MAX-TA)/θJA 計(jì)算得出。 超過 MAX 大允許耗散功率會(huì)導(dǎo)致芯片溫度過高, 調(diào)節(jié)器將進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)。 內(nèi)部熱關(guān)斷電路可保護(hù)器件免受永久損壞。

電氣特性
TA = +25°C, VBUS1=5V, RILIM1= RILIM2=5.1kΩ, RVLIM=200kΩ, CVBUS1=CVBUS4=C1=0.1μF, 除非另有規(guī)定。

wKgaomZhKjuAGtjDAAHif_sBZEc875.pngwKgZomZhKkCACP6tAAJLJbmy31o988.png

典型性能特性
( CBUS1/2/3=22uF2+100uF , C1/2/3=22uF2+0.1uF , CBUS4/5/6=22uF*2+100uF , TA=+25℃ , 除 非 另 有 說 明 。 )

wKgaomZhKlOALBogAAH9wXuR5Z0470.pngwKgZomZhKleAACDKAAjZEnJfSQQ425.png

回流焊接曲線
IR 回流焊接曲線的分類

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*峰值溫度曲線(Tp) 的公差定義為供應(yīng)商 MAX 小值和用戶 MAX 大值。
** 峰值溫度曲線持續(xù)時(shí)間(tp) 的公差定義為供應(yīng)商 MAX 小值和用戶 MAX 大值。
表 1. 無鉛工藝-分類溫度(Tc)

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注 : 對(duì) 于 所 有 溫 度 信 息 , 請(qǐng) 參 考 封 裝 頂 部 , 在 封 裝 體 表 面 進(jìn) 行 測(cè) 量 。

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詳細(xì)說明
PW1558A 是一款先進(jìn)的雙向電源開關(guān), 具有可調(diào)軟啟動(dòng)、 可調(diào)電流限制閾值、 輸入欠壓、 可調(diào)輸入過壓、 過溫和短路保護(hù)。 該設(shè)備具有兩個(gè)輸入/輸出端口 VBUS1 和 VBUS2, 額定絕對(duì) MAX 大值為 28V。 每個(gè)端口都具有獨(dú)立的使能、 輸入過壓保護(hù)(OVP) 、 外部電流限制設(shè)置和放電功能。 該設(shè)備集成了兩個(gè) N 型功率開關(guān) M1 和 M2, 它們串聯(lián)并與公共漏極輸出 MOUT 相連。 當(dāng) EN1 和 EN2引腳都被拉低時(shí), 設(shè)備處于關(guān)機(jī)模式, 并關(guān)閉兩個(gè)電源開關(guān) M1 和 M2, 以防止在端口 VBUS1 和VBUS2 之間流動(dòng)電流。 用戶通過控制 EN1 和 EN2 的序列來設(shè)置電源開關(guān) M1 和 M2 的狀態(tài)以及電流流動(dòng)方向。 請(qǐng)參考表 1 EN1 和 EN2 的開機(jī)序列。 輸出電壓上升時(shí)間由內(nèi)部 0.8 毫秒軟啟動(dòng)或 SS引腳和 GND 之間的電容器外部可編程軟啟動(dòng)控制。 在成功啟動(dòng)序列后, 設(shè)備主動(dòng)監(jiān)控每個(gè)電源開關(guān)的電流, 以確保不超過由引腳 IADJ1/2 編程的過載電流限制 IADJ1/2。 設(shè)備監(jiān)控輸入電壓, 并在輸入電壓尖峰超過由引腳 VADJ 設(shè)置的輸入過壓閾值時(shí)關(guān)閉電源開關(guān)。 電流限制和輸入過壓保護(hù)使輸出設(shè)備免受有害輸入電壓和電流瞬態(tài)的影響。 該設(shè)備具有內(nèi)置熱敏傳感器。 如果設(shè)備結(jié)溫(TJ)超過熱調(diào)節(jié)點(diǎn)+125°C, 電流限制將減少, 直到 TJ 調(diào)節(jié)至+125°C 左右。 在一些致命的輸出短路事件中, 設(shè)備結(jié)溫(TJ) 迅速上升并超過熱關(guān)斷閾值 TSD(通常為+150°C) , 設(shè)備將關(guān)閉。

應(yīng)用信息
輸入/輸出雙向端口 VBUS1/VBUS2

PW1558A 作為雙向開關(guān)工作, 允許電流根據(jù) EN1/EN2 控制序列從 VBUS1 流向 VBUS2 或從 VBUS2流向 VBUS1。 VBUS1 或 VBUS2 可以連接到適配器輸入電源或輸出到外圍設(shè)備。 設(shè)備會(huì)自動(dòng)選擇來自 VBUS1 或 VBUS2 的電源, 以較高者為準(zhǔn)。 推薦的 VBUS1/VBUS2 輸入電壓范圍為 3V 至 24V, 具有 28V 瞬態(tài)耐受性。 在 VBUS1/VBUS2 引腳與地 GND 之間并聯(lián)放置至少 22μFx2 或更高的高質(zhì)量0.1μF 陶瓷型 X5R 或 X7R 旁路電容器, 以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)娜ヱ睢?電容器的電壓額定值應(yīng)超過 MAX 大輸入電壓范圍。 在使用長(zhǎng)電纜的短路情況下, 電纜寄生電感和輸出陶瓷電容形成高 Q LC 諧振器。 短路高電流斜率 di/dT 可能會(huì)導(dǎo)致 VBUS1/VBUS2 引腳出現(xiàn)負(fù)電壓, MAX 高可達(dá)-10V。 VBUS1/VBUS2引腳的負(fù)電壓尖峰會(huì)觸發(fā)引腳 ESD 二極管, 對(duì)內(nèi)部電源開關(guān)造成電壓應(yīng)力。 如果 VBUS1 引腳和VBUS2 引腳之間的電壓差超過 28V, 電源開關(guān)將永久損壞。 為了限制短路事件中 VBUS1/VBUS2 引腳的負(fù)電壓尖峰, 建議在輸出陶瓷電容器旁邊并聯(lián)一個(gè)額外的 100μF 或 220μF 電解電容器。 由于電解電容器的高 ESR 值, 輸出寄生 L-C 諧振器的 Q 值被阻尼。

EN1 和 EN2 使能控制
使能接口引腳 EN1/EN2 的開啟/關(guān)閉閾值分別為 1.5V(MAX 小值) 和 0.4V(MAX 大值) 。 EN1 控制電源開關(guān) M1(VBUS1 到 MOUT) , EN2 控制電源開關(guān) M2(VBUS2 到 MOUT) 。 將 EN1 和 EN2引腳均拉低至關(guān)閉閾值以下(<0.4V) 以禁用電源開關(guān)和所有保護(hù)電路, 設(shè)備進(jìn)入低功耗關(guān)機(jī)模式,僅從輸入電源汲取 10μA 的電流。 內(nèi)部有一個(gè) 1M?下拉電阻, 以確保在 EN1/EN2 引腳懸空時(shí)電源開關(guān)關(guān)閉。 EN1/EN2 引腳可承受 MAX 大 28V 電壓尖峰。 表 1 顯示了 EN1 和 EN2 設(shè)置的開機(jī)序列和電流流向。?

欠壓鎖定(UVLO)
PW1558A 會(huì)監(jiān)控 VBUS1 和 VBUS2 的電源電壓, 并允許在 VBUS1 或 VBUS2 電壓高于輸入欠壓鎖定閾值 VUVLO(典型值為 2.75V) 時(shí)打開電源開關(guān)。 如果 VBUS1 和 VBUS2 的電壓均低于輸入欠壓鎖定閾值 VUVLO, 設(shè)備將關(guān)閉電源開關(guān)。

過壓保護(hù)(OVP)
PW1558A 會(huì)持續(xù)監(jiān)控 VBUS1 和 VBUS2 的電源電壓, 并在 VBUS1 或 VBUS2 上的電壓超過外部編程的過壓保護(hù)閾值 VOVP 時(shí), 禁用電源開關(guān)并將 FLTB 引腳拉低以報(bào)告故障狀態(tài)。一旦 VBUS1 和 VBUS2的電壓降至輸入過壓閾值 VOVP 以下且沒有其他保護(hù)電路處于活動(dòng)狀態(tài), 電源開關(guān)將重新開啟。一個(gè)外部電阻 RVLIM 從 VADJ 引腳連接到 GND, 用于設(shè)置過壓保護(hù)閾值 VOVP。 設(shè)備向 VADJ 引腳提供典型的 10μA 電流。 通過外部 RVLIM 電阻的電壓降 VVADJ, 可以使用方程式(1) 將過壓閾值從 5V 調(diào)整到 24V:

wKgaomZhKyaAWw3lAABnS7Nys7w969.png

推薦的輸入過壓閾值設(shè)置如表 2 所示。

wKgZomZhKzOAQQvdAAAvuL1JHbs913.png

表 2. 通過外部電阻 RVLIM 設(shè)置過壓保護(hù)閾值

軟啟動(dòng)
當(dāng) EN1 和 EN2 被置為高電平時(shí), 軟啟動(dòng)控制電路會(huì)以控制電源開關(guān)柵極電壓的方式, 使輸出電壓在開機(jī)時(shí)線性上升, 直到達(dá)到輸入電壓水平。 開機(jī)時(shí)的沖擊電流受到輸出電壓通過軟啟動(dòng)時(shí)間上升的速率限制。 內(nèi)置的內(nèi)部軟啟動(dòng)時(shí)間典型值為 0.8 毫秒。 如果用戶希望軟啟動(dòng)時(shí)間超過 0.8 毫秒,請(qǐng)?jiān)?SS 引腳和地之間連接一個(gè)外部電容 CSS 以重新調(diào)整軟啟動(dòng)時(shí)間。 外部軟啟動(dòng)時(shí)間的大致計(jì)算方法見方程式(2) :

wKgZomZhK1WAazzjAABHFRWIlfU979.png

推薦的軟啟動(dòng)時(shí)間設(shè)置如表 2 所示。

wKgaomZhK2CAdh5rAAA2A8LiJbE103.png

表 2. 通過外部電容 CSS 設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間

電流限制 IADJ1/IADJ2
對(duì)于電流受限的適配器或電源, 用戶可以編程輸入電流限制級(jí)別, 以防止負(fù)載電流超過電源。PW1558A 的不同電流方向的電流限制是通過連接在 IADJ1/IADJ2 和 GND 之間的外部電阻獨(dú)立設(shè)置的。 電源開關(guān) M1(VBUS1 到 MOUT) 的電流限制由 IADJ1 電阻 RILIM1 編程, 電源開關(guān) M2(VBUS2
到 MOUT) 的電流限制由 IADJ2 電阻 RILIM2 編程。 如果發(fā)生過載, 內(nèi)部電路將根據(jù) RILIM1/2 的值限制電流, 并將 FLTB 引腳拉低以報(bào)告故障狀態(tài)。 IADJ1 或 IADJ2 引腳不能短路到 GND。 如果系統(tǒng)要求單個(gè)組件故障安全, 請(qǐng)使用兩個(gè)串聯(lián)電阻來編程輸入電流限制。 電流限制電阻 RILIM 的選擇可
通過方程式(3) 計(jì)算。

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公共電流限制閾值設(shè)置如表 3 所示。

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表 3. 通過外部電阻 RILIM1/2 設(shè)置電流限制

短路保護(hù)
PW1558A 集成了快速跳閘比較器, 以便在 VBUS1 或 VBUS2 對(duì)地短路時(shí)快速關(guān)閉電源開關(guān)。 該設(shè)備在短路保護(hù)中采用打嗝模式工作。 一旦檢測(cè)到短路故障, 電源開關(guān)將被關(guān)閉并在給定時(shí)間內(nèi)強(qiáng)制關(guān)閉。 在預(yù)定時(shí)間結(jié)束時(shí), 將嘗試通過軟啟動(dòng)電源開關(guān)來重啟。 如果過載條件已消除, 電源開關(guān)將打開并正常工作; 否則, 設(shè)備將再次遇到過流事件并再次關(guān)閉電源開關(guān), 重復(fù)之前的循環(huán)。 由于過載產(chǎn)生的過熱在打嗝循環(huán)中只會(huì)持續(xù)很短的時(shí)間, 因此功率器件的結(jié)溫要低得多。

熱回折和熱關(guān)斷保護(hù)
PW1558A 持續(xù)監(jiān)測(cè)電流, 并將其限制為 RILIM1/RILIM2 編程設(shè)定的值。 在正常操作或電流限制保護(hù)模式下, 如果內(nèi)部 MOSFET 的功耗 PD = |VVBUS1 - VVBUS2| × ILOAD 過高, PW1558A 將啟動(dòng)熱回折以降低電流限制值, 從而將結(jié)溫(TJ) 維持在+125°C 左右。 圖 4 顯示了熱回折電流限制。在某些致命的輸出短路事件中, 輸出電壓在電流限制 IIADJ1/IIADJ2 時(shí)下降。 這將導(dǎo)致結(jié)溫 TJ 隨著功耗的增加而增加, 設(shè)備結(jié)溫(TJ) 迅速上升并超過熱關(guān)斷閾值 TSD(通常為+150°C) , 設(shè)備將關(guān)閉電源開關(guān)并將負(fù)載與電源斷開。 在冷卻期間, PW1558A 將保持關(guān)閉狀態(tài), 直到結(jié)溫降至 TSD -20°C 以下, 之后設(shè)備將嘗試重新啟動(dòng)。

wKgaomZhLCGAH7xIAAAveK7n6eE916.png

故障指示器 FLTB
FLTB 是一個(gè)開漏輸出, 需要連接一個(gè)外部上拉電阻至任何小于 28V 的電壓。 建議上拉電阻值為 10k?至 1000k?。 FLTB 引腳指示電源開關(guān)的狀態(tài)。 當(dāng)未檢測(cè)到故障且電源開關(guān)導(dǎo)通時(shí), FLTB 保持高阻抗 HiZ。 當(dāng)發(fā)生以下任一故障事件時(shí), 設(shè)備將生成警告標(biāo)志并使 FLTB 輸出低電平: VBUS1/VBUS2
過壓、 過電流限制、 短路和過熱。 當(dāng)發(fā)生過電流或短路事件時(shí), FLTB 輸出在典型的 3 毫秒去抖動(dòng)時(shí)間內(nèi)變?yōu)榈碗娖健?FLTB 信號(hào)保持“低”狀態(tài), 直到設(shè)備以典型的 1.5 毫秒去抖動(dòng)時(shí)間退出故障事件。

VBUS1/VBUS2 端口放電功能
VBUS1 端口的放電功能由外部控制輸入 DISC1 控制, 而 VBUS2 端口的放電功能由外部控制輸入DISC2 控制(DISC1/2=Hi, 將 VBUS1/2 放電至 GND; DISC1/2=Lo, 禁用 VBUS1/2 放電功能) 。 內(nèi)部放電電阻約為 350Ω。

從 MOUT 引腳取電
PW1558A 集成了兩個(gè) N 通道電源開關(guān) M1 和 M2, 它們與公共漏極輸出 MOUT 串聯(lián)。 雖然當(dāng)EN1/EN2 引腳被拉高時(shí), MOUT 引腳可以為其他電路提供電力, 但使用時(shí)需要特別注意。 如果使用 MOUT 引腳, 請(qǐng)使用至少 0.1μF 的 MLCC 電容器將 MOUT 旁路到 GND。 從 MOUT 引腳抽取的電流會(huì)影響 IADJ1/IADJ2 引腳上的電流限制設(shè)置精度。 由于電源開關(guān) M1 和 M2 的體二極管, MOUT引腳不受過載和短路故障事件的保護(hù)。 每當(dāng) VBUS1 或 VBUS2 引腳上施加電源電壓時(shí), MOUT 將通過電源開關(guān) M1/M2 或 M1/M2 的體二極管跟隨電源電壓。 當(dāng) MOUT 引腳上發(fā)生短路時(shí), 電流不能被 PW1558A 限制。 如果需要對(duì) MOUT 引腳進(jìn)行過載或短路保護(hù), 建議在 MOUT 引腳和任何下游電路之間添加一個(gè)負(fù)載開關(guān) IC。

布局指南
良好的 PCB 布局對(duì)于提高 PW1558A 的熱性能和整體性能非常重要。 為了優(yōu)化開關(guān)對(duì)輸出短路條件的響應(yīng)時(shí)間, 請(qǐng)保持所有走線盡可能短, 以減少電源/GND 走線寄生電感的影響, 并在 VBUS1/VBUS2到 GND 之間添加 EC 電容器(MAX 多 100uF) , 以補(bǔ)償電源線(例如 USB Type C 線) 的不必要寄生電感。
? VBUS1、 MOUT 和 VBUS2 引腳按照以下圖示連接, 以減少阻抗并改善功率損耗
? 使用接地平面來增強(qiáng) PW1558A 的散熱能力。
? 將輸入和輸出旁路電容器盡可能靠近 VBUS1、 VBUS2 和 MOUT 引腳放置。

wKgZomZhLL-AMVtgAABVATrXPvU264.png

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    ,還提供了同相/反相可配的靈活性,極大地方便了電路調(diào)試與適配。它將分立方案的復(fù)雜性和小封裝、高可靠性、靈活配置完美結(jié)合,是面向12V平臺(tái)、追求高穩(wěn)健性和高功率密度設(shè)計(jì)的理想單路驅(qū)動(dòng)選擇。應(yīng)用領(lǐng)域
    發(fā)表于 01-24 09:23

    12V給3.7V鋰電池充電芯片選型,高性價(jià)比PW4213應(yīng)用指南

    3.7V鋰電池充電芯片,充電電流可調(diào),可達(dá)2A。 一、 PW4213核心特性概述 寬輸入電壓范圍 :PW4213支持4.5V至15
    的頭像 發(fā)表于 01-15 16:05 ?304次閱讀
    <b class='flag-5'>12V</b>給3.7<b class='flag-5'>V</b>鋰電池充電芯片選型,高性價(jià)比<b class='flag-5'>PW</b>4213應(yīng)用指南

    集成PD誘騙與同步降壓充電的完整解決方案:ECP5702+FP8207:支持PD誘騙的3A多節(jié)電池高效充電方案,12.6V寬電壓輸出

    SINK控制器,負(fù)責(zé)與PD充電器進(jìn)行通信,可以智能請(qǐng)求所需的電壓(5V/9V/12V/15V/20V),為后級(jí)電路提供穩(wěn)定、高效的高電壓輸
    發(fā)表于 12-05 14:27

    雙通道大電流單片式具有可鎖相開關(guān)頻率20V/6A高效率降壓調(diào)整器5V/12V輸入負(fù)載點(diǎn)方案首先

    (PC2066)? 1.8V12V(PC2066A)? 每通道輸出電流:6A? 高效率:高達(dá)95%? 芯片溫度監(jiān)控? 可調(diào)頻率:500kHz至4MHz? 外部頻率同步? 電流模式操作
    發(fā)表于 07-26 11:10

    適用于5V/12V低輸出大電流高效率20V/6A單片式雙通道同步降壓調(diào)整器

    (PC2026)? 1.8V12V(PC2026A)? 每通道輸出電流:6A? 高效率:高達(dá)95%? 可調(diào)頻率:500kHz至4MHz? 外部頻率同步? 電流模式操作,具有優(yōu)異的線路
    發(fā)表于 07-26 10:59

    Type-C接口取電快充方案 支持PD 協(xié)議取電:5V、 9V、 12V、 15V、 20V

    想要讓USB-C/Type-C的PD充電器輸出5V、9V、12V、15V20V,只需要在產(chǎn)品上使用一顆PD快充取電芯片F(xiàn)S8025BL即可
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:20 ?2280次閱讀
    Type-C接口取電快充<b class='flag-5'>方案</b> 支持PD 協(xié)議取電:5<b class='flag-5'>V</b>、 9<b class='flag-5'>V</b>、 <b class='flag-5'>12V</b>、 15<b class='flag-5'>V</b>、 <b class='flag-5'>20V</b>

    ZSKY 2301-20V-2.3A-155K塑料封裝MOSFETS規(guī)格書

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    發(fā)表于 05-13 18:20 ?0次下載

    ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書

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    發(fā)表于 05-13 16:31 ?0次下載

    LT8649SY 20V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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    發(fā)表于 03-26 16:11 ?0次下載

    LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書

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    發(fā)表于 03-26 15:54 ?0次下載

    LT8818EFXT 12V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書

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    發(fā)表于 03-25 17:40 ?0次下載