近日，第十一屆中國(guó)LED首創(chuàng)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在廣州盛大舉行。晶能光電收獲了“2023年度中國(guó)LED行業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)50強(qiáng)”、“2023年度中國(guó)LED首創(chuàng)獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)”兩項(xiàng)大獎(jiǎng)。

值得關(guān)注的是，晶能光電新品“硅襯底薄膜（Thin-Film）結(jié)構(gòu)高能量密度圓形發(fā)光芯片”榮獲中國(guó)LED首創(chuàng)獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)，其圓形出光面設(shè)計(jì)打破了正方形、長(zhǎng)方形芯片的設(shè)計(jì)傳統(tǒng)，利用薄膜芯片單面發(fā)光的特點(diǎn)，讓出光形貌呈現(xiàn)出一個(gè)完美對(duì)稱(chēng)的圓形，加上公司獨(dú)特的獨(dú)特的Metal-Insulator-Metal（M-I-M）堆疊技術(shù)，使得芯片內(nèi)部各個(gè)區(qū)域獲得均勻電流的同時(shí)，使發(fā)光面積以及芯片內(nèi)部的反射面積最大化，因此具有亮度高、散熱好、可靠性好、指向性強(qiáng)、射程遠(yuǎn)，光斑無(wú)黃圈、可通超大電流密度等優(yōu)點(diǎn)，特別適合手電、頭燈、礦燈等移動(dòng)照明、手機(jī)閃光燈、汽車(chē)照明等對(duì)單位發(fā)光面積照度要求非常高的領(lǐng)域，以及對(duì)光品質(zhì)要求較高的高端照明領(lǐng)域。

兩項(xiàng)榮譽(yù)的斬獲是行業(yè)對(duì)晶能光電創(chuàng)新能力的認(rèn)可。未來(lái)，晶能光電將持續(xù)加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)強(qiáng)企戰(zhàn)略，強(qiáng)化創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，為利益相關(guān)者創(chuàng)造更大價(jià)值。