來源：寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟

江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現(xiàn)剝離出130μm厚度的超薄SiC晶圓片。該設備可以實現(xiàn)6寸和8寸SiC晶錠的全自動分片，包含晶錠上料，晶錠研磨，激光切割，晶片分離和晶片收集的全自動工藝流程，晶片拋光后的形貌可以達到LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10μm，Warp≤20μm。

圖：8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備

通用半導體自設立以來，一直在高端半導體設備領域深耕，并專注于激光隱切設備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應用，勵志成為全球領先的激光微納加工裝備制造商。

通用半導體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。

通用半導體表示，隨著公司激光隱切設備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場應用規(guī)模的不斷擴大，且公司持續(xù)保持高強度的研發(fā)投入，迭代升級各產(chǎn)品系列，滿足客戶在技術(shù)節(jié)點更新迭代過程中對高產(chǎn)能及更嚴格的技術(shù)性能指標的需求。

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