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大算力浪潮下,國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)取得了怎樣的成績(jī)?面臨怎樣的挑戰(zhàn)?

Felix分析 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2024-07-22 00:08 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)隨著摩爾定律速度放緩,近幾年先進(jìn)封裝技術(shù)成為大算力芯片發(fā)展的主要推動(dòng)力。得益于人工智能應(yīng)用的算力需求爆發(fā),芯片封裝技術(shù)的重要性更是提升到了前所未有的高度。

在第十六屆集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇(CIPA2024)上,來(lái)自封裝和設(shè)備行業(yè)的眾多專家分享了產(chǎn)業(yè)前沿信息,包括國(guó)產(chǎn)封裝廠商在先進(jìn)封裝方面的進(jìn)展,先進(jìn)封裝里前沿的創(chuàng)新技術(shù),以及先進(jìn)封裝如何更好地賦能大算力芯片的發(fā)展等。

國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝技術(shù)的具體進(jìn)展

從傳統(tǒng)的引線框架封裝,到球柵陣列封裝(BGA)、陶瓷基板封裝(CBGA)、面積陣列封裝(LGA)等,再到2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、Chiplet等,產(chǎn)業(yè)界努力的方向就是在一個(gè)封裝內(nèi)塞進(jìn)更多的功能單元,以實(shí)現(xiàn)更高的集成度。近幾年,先進(jìn)封裝技術(shù)一直由臺(tái)積電、英特爾三星三大海外大廠主導(dǎo),不過(guò)隨著需求暴漲,國(guó)產(chǎn)封裝大廠也在先進(jìn)封裝方面取得了積極的進(jìn)展。

CIPA2024上,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、華進(jìn)半導(dǎo)體等均做了分享,也提到了各自企業(yè)在先進(jìn)封裝層面的進(jìn)展。比如,華天科技(昆山)電子有限公司技術(shù)專家付東之分享了華天科技在先進(jìn)封裝方面所取得的成果。

華天科技(昆山)電子有限公司技術(shù)專家付東之

目前,華天科技的主要業(yè)務(wù)范圍是封裝設(shè)計(jì)、封裝仿真、引線框封裝、基板封裝、晶圓級(jí)封裝、晶圓測(cè)試及功能測(cè)試、物流配送等。華天科技先進(jìn)封裝平臺(tái)的名字是Hmatrix,包括WLP(WaferLevelPackage)、SLP(StripLevelPackage)和eSinC(EmbeddedSysteminChip)。在這個(gè)體系下,華天科技也取得了一些成績(jī),比如在晶圓級(jí)封裝WLP方面,華天科技擁有國(guó)內(nèi)最大的WLP生產(chǎn)線,月產(chǎn)能達(dá)到3萬(wàn)多片。

另外,華天科技基于3DMatrix3D晶圓級(jí)封裝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)集成封裝技術(shù)eSinCSiP,通過(guò)集成硅基扇出封裝、bumping技術(shù)、TSV技術(shù)、C2W和W2W技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)多芯片高密度高可靠性3D異質(zhì)異構(gòu)集成。付東之稱,華天科技也在布局2.5D封裝技術(shù)。

華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司總經(jīng)理孫鵬則在《后摩爾定律時(shí)代AI/HPC封裝集成解決方案》分享里提到了華進(jìn)半導(dǎo)體PDK(ProcessDesignKit,工藝設(shè)計(jì)套件)+EDA的先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)流程和先進(jìn)封裝仿真技術(shù)。PDK是制造和設(shè)計(jì)之間溝通的橋梁,是模擬電路設(shè)計(jì)的起始點(diǎn)。孫鵬強(qiáng)調(diào),要實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝,需要先有PDK。

華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司總經(jīng)理孫鵬

孫鵬表示,在AI/HPC芯片設(shè)計(jì)里,芯片的電壓并不高,可能是1.2V,也可能是0.7V,但是負(fù)載電流是非??植赖模軌蜻_(dá)到幾百個(gè)安培。為了保證系統(tǒng)給芯片供電電壓的穩(wěn)定性,直流壓降、交流紋波和電源阻抗等需要在設(shè)計(jì)前期就考慮到。同時(shí),先進(jìn)封裝里芯片、封裝與系統(tǒng)層級(jí)之間的電磁、熱、力場(chǎng)的耦合干擾越來(lái)越顯著,系統(tǒng)性的SI/PI和熱機(jī)械失效問(wèn)題也要提前考慮。

孫鵬強(qiáng)調(diào),之所以說(shuō)電源完整性在以先進(jìn)封裝技術(shù)打造的AI/HPC芯片里,其重要性可能比信號(hào)完整性更加重要,原因就是芯片內(nèi)流轉(zhuǎn)的電流太大了。華進(jìn)半導(dǎo)體的PDK+EDA方案可以實(shí)現(xiàn)跨芯片-封裝-系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)以及跨電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)的綜合分析,支撐2.5D/3DIC產(chǎn)品的規(guī)劃、設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和簽核,以實(shí)現(xiàn)更好的先進(jìn)封裝。

另外,華進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)的先進(jìn)封裝技術(shù)成果還包括:

·華進(jìn)2.5D封裝方案實(shí)現(xiàn)最大32Gbps速率的信號(hào)傳輸,可滿足通道無(wú)源電性能RL(回?fù)p)、IL(插損)、PSXT(綜合功率串?dāng)_)、ICR(綜合串?dāng)_比)等4項(xiàng)約束;

·開(kāi)發(fā)了基于low-K有源晶圓的正面Via-lastTSV加工技術(shù),TSV10umx100um,bump高度80um,解決了low-K材料刻蝕和吸水性保護(hù)、高bump結(jié)構(gòu)晶圓的切割等技術(shù)難題;

·3DChiplet結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了4顆網(wǎng)絡(luò)處理芯粒、被動(dòng)元件、有源TSV轉(zhuǎn)接板和基板,相比基板上集成電源的方案,模塊減少~84%的焦耳熱損耗,TSV路徑的最大電流密度減小~60%;

·在國(guó)內(nèi)建成國(guó)產(chǎn)扇出封裝中試線,支持RDL-FirstFO封裝工藝,涵蓋高密度布線及微節(jié)距凸點(diǎn)、C2W組裝、激光臨時(shí)鍵合/拆鍵合等相關(guān)工藝。

先進(jìn)封裝里面的前沿技術(shù)創(chuàng)新

先進(jìn)封裝是一個(gè)交叉融合的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域,涉及設(shè)計(jì)、環(huán)境、測(cè)試、材料、制造和可靠性等多學(xué)科領(lǐng)域。從芯片架構(gòu)來(lái)看,先進(jìn)封裝關(guān)乎異構(gòu)集成、互聯(lián)技術(shù)、供電技術(shù)和安全技術(shù)等諸多方面。在CIPA2024上,也有非常多的嘉賓分享了先進(jìn)封裝中的前沿技術(shù)。

比如,江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司半導(dǎo)體資深銷售總監(jiān)聶佳相分享了《低溫鍍膜工藝在半導(dǎo)體封測(cè)中的應(yīng)用》,并介紹了微導(dǎo)納米的先進(jìn)封裝薄膜解決方案。聶佳相稱,摩爾定律本身就是一個(gè)物理極限,可能在1nm或者某個(gè)節(jié)點(diǎn)就無(wú)法進(jìn)行下去了,先進(jìn)封裝便成為突破芯片性能瓶頸的最佳路徑。而在先進(jìn)封裝中,TSV、背覆銅和混合鍵合都和鍍膜技術(shù)息息相關(guān)。

江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司半導(dǎo)體資深銷售總監(jiān)聶佳相

比如在混合鍵合HybridBonding中,除了銅層之間完成鍵合實(shí)現(xiàn)電氣連接,兩個(gè)Chip面對(duì)面的其他非導(dǎo)電部分也要貼合,這就需要使用CVD設(shè)備將銅填補(bǔ)進(jìn)去完成鍵合。這個(gè)過(guò)程中存在兩大挑戰(zhàn):其一是需要在低溫環(huán)境下完成;其二是高分子材料的翹曲問(wèn)題通常比較嚴(yán)重。

微導(dǎo)納米作為國(guó)內(nèi)排名靠前的薄膜設(shè)備供應(yīng)商,設(shè)備類型主要集中在CVD和ALD兩大類型,能夠幫助封裝廠商完成難度較大的低溫工藝。比如,該公司的iTomic?HiK系列原子層沉積鍍膜系統(tǒng),適用于客戶制程高介電常數(shù)(High-k)柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV介質(zhì)層等薄膜工藝需求。

再比如,江蘇華海誠(chéng)科新材料股份有限公司董事陶軍分享了《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及未來(lái)趨勢(shì)》。在制程技術(shù)上,先進(jìn)封裝采用如微細(xì)化焊球、超低k材料等創(chuàng)新技術(shù),因此材料創(chuàng)新對(duì)于先進(jìn)封裝而言是極其重要的。

江蘇華海誠(chéng)科新材料股份有限公司董事陶軍

陶軍主要談到了銅線鍵合中的一些材料發(fā)展。在鍵合的過(guò)程中,如果基板或者塑封材料的pH值不合適,就可能對(duì)銅線造成腐蝕。這個(gè)過(guò)程中,氯離子的含量是非常關(guān)鍵的,會(huì)影響基板和塑封材料的pH值,進(jìn)而影響鍵合和封裝的效果。舉例來(lái)說(shuō),當(dāng)pH值為4時(shí),鍵合的失效率就會(huì)非常高。

為了解決這個(gè)問(wèn)題,華海誠(chéng)科和很多半導(dǎo)體材料供應(yīng)商進(jìn)行合作,取得的成果包括:特殊含硅結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹(shù)脂,用陶瓷在塑封材料中替代金屬,建立了一條無(wú)金屬產(chǎn)線;用顆粒狀塑封料來(lái)實(shí)現(xiàn)大面積封裝,降低基板的翹曲問(wèn)題;調(diào)節(jié)數(shù)字體系結(jié)構(gòu),將含硅環(huán)境的環(huán)氧結(jié)構(gòu)和特殊的環(huán)氧結(jié)構(gòu)進(jìn)行融合,也能夠應(yīng)對(duì)翹曲的問(wèn)題。

國(guó)產(chǎn)Chiplet如何賦能大算力芯片發(fā)展

先進(jìn)封裝的研發(fā)和創(chuàng)新,最終還是落到應(yīng)用上,也就是打造大算力芯片。根據(jù)Yole的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),到2027年,預(yù)計(jì)2D/3D封裝市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到150億美元,扇出型WLP約為40億美元,扇入型約為30億美元,Embedded約為2億美元。屆時(shí),先進(jìn)封裝將占整體封裝市場(chǎng)的50%。

在CIPA2024上,銳杰微科技集團(tuán)董事長(zhǎng)方家恩分享了《Chiplet封裝技術(shù)在封裝級(jí)的相關(guān)應(yīng)用》,主要探討了國(guó)內(nèi)如何發(fā)展2.5D封裝技術(shù)以及Chiplet技術(shù)的落地。方家恩認(rèn)為,受限于先進(jìn)制程和HBM工藝不成熟,目前國(guó)內(nèi)雖然出現(xiàn)了幾十甚至上百家的2.5D封裝企業(yè),但產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍處于早期階段,尤其是缺少經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的經(jīng)驗(yàn)。在這種情況下,國(guó)內(nèi)應(yīng)該如何用好Chiplet技術(shù)呢?

銳杰微科技集團(tuán)董事長(zhǎng)方家恩

方家恩指出,Chiplet技術(shù)發(fā)展受限于三點(diǎn),一個(gè)是先進(jìn)工藝和IP,一個(gè)是互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn),還有一個(gè)是封裝技術(shù)。在傳統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)里,一顆芯片可能對(duì)應(yīng)兩款封裝。不過(guò),在未來(lái)打造各種功能die時(shí),研發(fā)一顆die可能需要適配十幾種,甚至是二十幾種封裝類型,因此是封裝引領(lǐng)Chiplet技術(shù)發(fā)展。未來(lái)幾年,國(guó)產(chǎn)的Chiplet將迎來(lái)蓬勃的發(fā)展,年復(fù)合增長(zhǎng)率可能高達(dá)50%以上。

方家恩強(qiáng)調(diào),國(guó)產(chǎn)要形成自己的Chiplet生態(tài)鏈,這是非常重要的,也是值得大家思考和努力的。

為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)可以從幾個(gè)方面入手:首先是標(biāo)準(zhǔn)方面,要擁有自己的Chiplet互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn),目前《芯粒間互聯(lián)通信協(xié)議》(ChipletsInterconnectProtocol,CIP)已經(jīng)獲批,并于今年1月1日正式實(shí)施;其次是先進(jìn)封裝技術(shù),跳脫出國(guó)外主導(dǎo)的先進(jìn)封裝路線,基于傳統(tǒng)封裝和Chiplet也能夠解決80%以上應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高性能芯片的需求。

目前,國(guó)產(chǎn)芯片在同構(gòu)D2D方面已經(jīng)取得了一定的進(jìn)展,也就是將計(jì)算SoC分拆成2個(gè)、4個(gè)或者6個(gè),然后將其拼起來(lái)以實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算性能。然后就是異構(gòu)的,將不同的計(jì)算單元以及HBM融入高性能計(jì)算芯片中,這方面臺(tái)積電的CoWoS是非常值得借鑒學(xué)習(xí)的。

方家恩在演講中提到,國(guó)內(nèi)Chiplet要想發(fā)展好,兩個(gè)全流程是非常重要的。其一是工藝全流程,解決前道和后道所有工藝問(wèn)題以實(shí)現(xiàn)全流程;其二是開(kāi)發(fā)全流程,在設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)過(guò)程中對(duì)電、熱、應(yīng)力、可靠性等方面做到周全地考慮。

結(jié)語(yǔ)

先進(jìn)封裝是未來(lái)打造高算力芯片的重要技術(shù),意味著先進(jìn)的設(shè)計(jì)思路和先進(jìn)的集成工藝。在國(guó)內(nèi),受限于先進(jìn)工藝制程方面的影響,目前臺(tái)積電、英特爾和三星的技術(shù)路線并不適用于國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)需要走出自己的路。比如在Chiplet領(lǐng)域,要率先實(shí)現(xiàn)工藝全流程和開(kāi)發(fā)全流程,同時(shí)也要有自己的標(biāo)準(zhǔn),形成自己的生態(tài),才能夠逐漸做大做強(qiáng)。


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    RISC-V架構(gòu)<b class='flag-5'>下</b>AI融合算<b class='flag-5'>力</b>及其軟件棧實(shí)踐

    信創(chuàng)浪潮,國(guó)產(chǎn)主板有什么新的發(fā)展機(jī)遇?

    在信息技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新浪潮的推動(dòng),國(guó)產(chǎn)主板迎來(lái)了諸多新的發(fā)展機(jī)遇。信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)旨在實(shí)現(xiàn)信息技術(shù)領(lǐng)域的自主可控,這一戰(zhàn)略目標(biāo)為
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:24 ?731次閱讀
    信創(chuàng)<b class='flag-5'>浪潮</b><b class='flag-5'>下</b>,<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>主板有什么新的發(fā)展機(jī)遇?

    中國(guó)為何同時(shí)面臨過(guò)剩與短缺 ?

    中國(guó)為何同時(shí)面臨過(guò)剩與短缺 ?
    的頭像 發(fā)表于 04-24 15:02 ?1343次閱讀
    中國(guó)為何同時(shí)<b class='flag-5'>面臨</b><b class='flag-5'>算</b><b class='flag-5'>力</b>過(guò)剩與短缺 ?

    先進(jìn)封裝工藝面臨挑戰(zhàn)

    先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 04-09 15:29 ?1285次閱讀

    曙光存儲(chǔ)以先進(jìn)引領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

    這些觀點(diǎn)折射出存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)國(guó)家培育新質(zhì)生產(chǎn)的核心價(jià)值。作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的實(shí)力代表,曙光存儲(chǔ)始終堅(jiān)持自研,以先進(jìn)引領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,推動(dòng)中
    的頭像 發(fā)表于 03-17 09:24 ?1228次閱讀