電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠，一期項目投資額高達20億歐元，重點生產碳化硅功率半導體，同時也涵蓋部分氮化鎵外延生產。

進入2024年下半年，在過去幾年時間里全球各地投資的8英寸碳化硅產線也開始逐步落地投入使用，在英飛凌之外，近期三安半導體、安森美等也有8英寸碳化硅產線的新進展。

大廠8英寸產線陸續(xù)落地

英飛凌這次投產的工廠是居林工廠第三廠區(qū)的一期項目，在目前已經完成的一期項目之后，還將會有第二期項目的擴建，投資額相比第一期更高，高達50億歐元。在二期項目建成后，將成為全球規(guī)模最大且最高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠。

英飛凌在官網(wǎng)透露，居林工廠第三廠區(qū)已經獲得了總價值約 50 億歐元的設計訂單，并且收到了來自新老客戶約 10 億歐元的預付款。據(jù)稱這些設計訂單來自包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)等不同領域客戶。

另外英飛凌居林工廠第三廠區(qū)將與英飛凌位于奧地利菲拉赫的生產基地緊密相連，后者是英飛凌功率半導體的全球能力中心。英飛凌已于 2023 年提高了菲拉赫工廠在碳化硅和氮化鎵功率半導體方面的產能。兩座生產基地形成了一個專注于寬禁帶技術的“虛擬協(xié)同工廠”，可以共享技術和工藝，并以此實現(xiàn)快速量產和平穩(wěn)高效地運營。

今年5月，芯聯(lián)集成宣布8英寸碳化硅晶圓工程批順利下線，成為國內首家開啟8英寸SiC制造的晶圓廠。在產線打通后，量產節(jié)奏也將加速。芯聯(lián)集成7月在投資者互動平臺上透露，其目前擁有一條8英寸碳化硅實驗線，已實現(xiàn)工程批通線，而量產產線的建設進展順利，預計今年第四季度開始向客戶送樣，2025年進入規(guī)模量產。

士蘭微旗下士蘭集宏半導體的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目也在6月正式開工，該產線將以SiC MOSFET為主要產品，計劃投資120億元，總產能規(guī)模達到6萬片/月，預計在2025年三季度末實現(xiàn)初步通線。

另一家國內碳化硅大廠三安半導體，在7月24日舉行了芯片二廠M6B大樓的設備入場儀式，M6B是三安布局碳化硅產業(yè)的重要一環(huán)，設備入場也標志著三安SiC項目二期距離通線不遠了。M6B預計將會在今年12月點亮通線，正式投產8英寸碳化硅芯片。

三安的碳化硅項目總投資達160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容碳化硅全產業(yè)鏈垂直整合量產平臺。項目達產后，將具備年產36萬片6英寸碳化硅晶圓、48萬片8英寸碳化硅晶圓的制造能力。

車企跨界入局碳化硅也是值得關注的攪局者。比亞迪品牌及公關處總經理李云飛早前透露，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠，該工廠將會在今年下半年投產，產能規(guī)模全球第一，是第二名的十倍。這或許會給全球碳化硅市場帶來不小的沖擊。

安森美也計劃在今年年底前推出8英寸碳化硅晶圓，按照安森美的計劃，今年會實現(xiàn)8英寸碳化硅的認證，包括從襯底到晶圓廠的全產業(yè)鏈8英寸碳化硅認證，并在2025年正式投產。

目前唯一在大規(guī)模量產8英寸碳化硅襯底和晶圓的Wolfspeed，今年較早前公布了其8英寸晶圓產線利用率達到20%，預計在2024年底其襯底產能能夠支撐25%的碳化硅晶圓產線利用率。

碳化硅在汽車市場持續(xù)擴張，國產廠商發(fā)力

在Yole2024年最新的功率碳化硅市場報告中顯示，2023年，功率碳化硅市場總體規(guī)模約27億美元，其中汽車應用占比高達77%，工業(yè)占21%，其余消費電子、通信、數(shù)據(jù)中心、國防、醫(yī)療等應用合計占比不到3%。

而隨著電動汽車的發(fā)展，yole預測汽車應用在功率碳化硅市場中的占比仍還有上漲空間，預計到2029年，功率碳化硅市場規(guī)模將達到104億美元，其中汽車應用占比將提升至82%，工業(yè)以及其他應用的份額合計占比將至不到20%。這也證明了汽車市場對于功率碳化硅的重要性。

由于汽車領域對于器件的可靠性等有極高的要求，在汽車應用的車規(guī)碳化硅MOSFET等一直以來都是由海外大廠，比如英飛凌、ST、安森美、羅姆等占據(jù)核心地位。作為電動汽車發(fā)展領先的國家，相關產業(yè)鏈盡管在起步上有所落后，但近幾年我們可以看到很多本土的功率碳化硅廠商都開始進入汽車市場，推出車規(guī)級產品。

根據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)年初的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，在2023年一年間，就有超過15家本土碳化硅廠商推出了車規(guī)級碳化硅MOSFET新品。比如本土模擬芯片龍頭之一納芯微也宣布入局碳化硅領域，并推出了全系1200V耐壓，包括Rdson（Vgs=18V）14/22/40/60mΩ四種規(guī)格的碳化硅MOSFET產品。

瞻芯電子在今年6月宣布其第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，該工藝平臺將在瞻芯電子位于浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠上落地。同時其基于第三代工藝平臺開發(fā)，應用于車載電驅系統(tǒng)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）也已經通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。

小結：

近兩年我們看到國內已經有多家廠商推出了車規(guī)級SiC MOSFET產品，但從MOSFET到模塊再到上車，從OBC到電驅，還需要一定的過程。但目前來看，國產廠商與本土車企的合作推進速度也較快，隨著本土碳化硅產能的提升，以及產品的逐漸成熟，未來大規(guī)模穩(wěn)定供應之下，國產碳化硅廠商有望能夠在龐大的電動汽車產業(yè)中找到屬于自己的地位。