91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

LM3D50P02 MOSFET:專為電子煙優(yōu)化的高性能選擇

廖竹君 ? 來源:上海雷卯電子科技有限公 ? 作者:上海雷卯電子科技 ? 2024-08-16 16:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群


、一、 為電子煙設(shè)備而生MOSFET——LM3D50P02

上海雷卯EMC小哥通過對(duì)RELX悅刻、Smoore International (思摩爾國際)、Sigelei (思格雷)、Boulder鉑德、ELFBAR等知名電子煙廠家的研究,設(shè)計(jì)了一款特別適合電子煙的高性能P溝道溝槽技術(shù)MOSFET——LM3D50P02。

wKgaoma_EhaARcuTAAB31Fm45Os68.jpeg

在電子煙設(shè)計(jì)中,MOSFET需要具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力、高電流處理能力、寬工作電壓范圍、低閾值電壓、良好的熱性能以及緊湊的封裝等特性,以確保電子煙的高性能、高效率和可靠性,上海雷卯的LM3D50P02非常契合這些需求。

二、 上海雷卯LM3D50P02參數(shù)亮點(diǎn):

wKgZoma_EhmAUHIEAABcAV7r_yA183.png

· P溝道溝槽技術(shù):專為高效能應(yīng)用設(shè)計(jì),確??焖匍_關(guān)的同時(shí)降低功耗。

· Vgs(th) = -0.6V(Type):低閾值電壓讓設(shè)備啟動(dòng)更加迅速,確保每次都能快速響應(yīng)。

· ID = -50A:強(qiáng)大的電流承載能力,即使在高負(fù)載條件下也能穩(wěn)定表現(xiàn)。

· Vds(max) = -20V:寬廣的工作電壓范圍,適用于多種電源配置。

· Rds(on) = 9mΩ:極低的導(dǎo)通電阻,有效減少能量損耗,延長電池壽命。

· Qg = 63nC:低門極電荷,加快開關(guān)速度,提高整體效率。

· 封裝:PDFN3*3,緊湊型設(shè)計(jì),易于集成到小型設(shè)備中。

三、上海雷卯LM3D50P02 在電子煙中的優(yōu)勢:

· 更長的電池續(xù)航:得益于其低導(dǎo)通電阻,電子煙設(shè)備在使用過程中能耗更低,讓每一次充電都能帶來更長時(shí)間的享受。

· 更快的響應(yīng)時(shí)間:低門極電荷意味著更快的開關(guān)速度,確保用戶每一次按動(dòng)按鈕都能立即享受到完美的蒸汽體驗(yàn)。

· 更高的可靠性:寬廣的工作電壓范圍和強(qiáng)大的電流承載能力確保了設(shè)備在不同使用環(huán)境下的穩(wěn)定性。

四、ESD保護(hù)器件SD07:

對(duì)于電子煙制造商而言,上海雷卯的LM3D50P02是提升產(chǎn)品競爭力的理想選擇。它不僅能夠顯著提升電子煙的整體品質(zhì),還帶來了前所未有的性能優(yōu)勢。此外,為了電子煙設(shè)備能夠獲得更好的保護(hù),上海雷卯EMC小哥建議在電路中加入ESD保護(hù)器件----SD07(參數(shù)如下),避免因靜電放電導(dǎo)致的損壞。

wKgaoma_EhmAYdQlAAA0dBoH78Q499.png

如需更多接口防護(hù)需求請(qǐng)關(guān)注上海雷卯公眾號(hào)或聯(lián)系EMC小哥。

上海雷卯專業(yè)研發(fā)銷售ESD,TVSTSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,電感等產(chǎn)品。雷卯致力于為客戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品,以保護(hù)電路免受靜電干擾和電壓波動(dòng)的影響。雷卯擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì),能夠根據(jù)客戶需求提供個(gè)性化定制服務(wù),為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233568
  • 電子煙
    +關(guān)注

    關(guān)注

    22

    文章

    233

    瀏覽量

    30690
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    CSD25480F3 -20-V P-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)解析

    CSD25480F3 -20-V P-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)解析 一、引言 在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,對(duì)于小型化、高性能
    的頭像 發(fā)表于 03-05 11:15 ?145次閱讀

    深度解析LMK1D1204P高性能LVDS時(shí)鐘緩沖器的卓越之選

    深度解析LMK1D1204P高性能LVDS時(shí)鐘緩沖器的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,時(shí)鐘緩沖器的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。今天,我們就來深入探討一款
    的頭像 發(fā)表于 02-06 17:20 ?2193次閱讀

    探索MAX15070A:高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)的新選擇

    探索MAX15070A/MAX15070B:高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)的新選擇電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET驅(qū)動(dòng)器的
    的頭像 發(fā)表于 02-04 15:55 ?136次閱讀

    高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片LTC4449:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片LTC4449:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的性能對(duì)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 02-04 09:15 ?477次閱讀

    深入剖析LM5112與LM5112-Q1:高性能MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    深入剖析LM5112與LM5112-Q1:高性能MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOS
    的頭像 發(fā)表于 01-11 18:00 ?1154次閱讀

    深入解析LM5113-Q1:汽車應(yīng)用的高性能半橋GaN驅(qū)動(dòng)器

    深入解析LM5113-Q1:汽車應(yīng)用的高性能半橋GaN驅(qū)動(dòng)器 在電子工程領(lǐng)域,不斷追求高性能、高可靠性的器件是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵。今天,我們將深入探討一款
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:55 ?204次閱讀

    新潔能 NCE40P70K高性能P 溝道功率 MOSFET,助力高電流場景高效運(yùn)行

    由新潔能(NCE)推出的NCE40P70K是一款高性能P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì),旨在提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與低柵極電荷特性,特別適用于需
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:03 ?654次閱讀
    新潔能 NCE40<b class='flag-5'>P</b>70K<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>P</b> 溝道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>,助力高電流場景高效運(yùn)行

    探索P3S0200 I3C開關(guān):高性能硬件的卓越選擇

    探索P3S0200 I3C開關(guān):高性能硬件的卓越選擇 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子通信領(lǐng)域,I3C信號(hào)的
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:35 ?412次閱讀

    IXTY2P50PA MOSFET高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析

    IXTY2P50PA MOSFET高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:45 ?443次閱讀

    深入剖析NVMYS9D3N06CL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選

    電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下ON Semiconductor推出的NVMYS9D3N06C
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:49 ?505次閱讀
    深入剖析NVMYS9<b class='flag-5'>D3</b>N06CL:<b class='flag-5'>高性能</b>N溝道<b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越之選

    探索NTMFS005P03P8Z:高性能P溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)

    作為電子工程師,我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí),常常需要精心挑選合適的電子元件,以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天,我要和大家分享一款來自安森美半導(dǎo)體(onsemi)的高性能P溝道
    的頭像 發(fā)表于 11-28 15:13 ?503次閱讀

    ?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)分析

    安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對(duì)稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~極-源極電壓
    的頭像 發(fā)表于 11-24 13:40 ?572次閱讀
    ?基于NTTFD1<b class='flag-5'>D8N02P</b>1E N通道<b class='flag-5'>MOSFET</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)分析

    選型手冊(cè):MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC
    的頭像 發(fā)表于 10-31 17:36 ?365次閱讀
    選型手冊(cè):MOT<b class='flag-5'>50N02D</b> 系列 N 溝道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    SLM6160:9V/6A高性能DC-DC 升壓變換器,便攜設(shè)備動(dòng)力引擎!

    產(chǎn)品概述 SLM6160 SLM6160CB-13GTR是一款高性能、固定頻率、電流模式PWM升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,包含內(nèi)部功率MOSFET。SLM6160包括一個(gè)集成的50mΩ電源開關(guān),可支持高達(dá)
    發(fā)表于 06-30 08:38

    NC403(C50)高性能噪聲二極管現(xiàn)貨庫存

    NC403(C50)高性能噪聲二極管現(xiàn)貨庫存NC403(C50)是Noisecom推出的一款高性能微波噪聲二極管,專為射頻和微波應(yīng)用設(shè)計(jì)。N
    發(fā)表于 06-03 10:31