91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

英飛凌居林工廠擴建成全球最大碳化硅晶圓廠

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2024-08-26 09:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

英飛凌在2024財年第三季度財報電話會上,碳化硅與居林工廠成為焦點。會后,英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck即刻啟程,前往馬來西亞吉打州,參加一個具有里程碑意義的儀式——全球規(guī)模最大且效率領先的200毫米碳化硅功率半導體晶圓廠正式投入生產(chǎn)運營。

此舉措標志著英飛凌在碳化硅技術領域的戰(zhàn)略布局邁出了堅實一步,旨在滿足全球對高性能、高能效功率半導體日益增長的需求。居林工廠的擴建不僅彰顯了英飛凌的技術實力和市場洞察力,更為全球半導體行業(yè)的綠色轉型和可持續(xù)發(fā)展貢獻了重要力量。隨著該晶圓廠的正式投產(chǎn),英飛凌將進一步鞏固其在碳化硅領域的領先地位,推動行業(yè)技術革新與產(chǎn)業(yè)升級。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    68

    文章

    2518

    瀏覽量

    142892
  • 晶圓廠
    +關注

    關注

    7

    文章

    643

    瀏覽量

    38955
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52353
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

    博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?798次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1774次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術實現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?843次閱讀

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:12 ?1583次閱讀

    碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

    隨著全球對能源效率和可持續(xù)發(fā)展的關注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 09-03 17:56 ?1619次閱讀

    碳化硅在電機驅動中的應用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7136次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅動中的應用

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1652次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1191次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1176次閱讀

    英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

    本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會”演講稿第二部分,第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)》。英飛凌SiC技術創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-19 17:32 ?785次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?953次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1262次閱讀

    全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?957次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?1000次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?