光電探測(cè)器光電測(cè)試

光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試，封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試，完成最終的特性分析和分揀操作，光電探測(cè)器在工作時(shí)，需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì)，從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作；測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電容、響應(yīng)度、串?dāng)_等參數(shù)。

利用數(shù)字源表（SMU)進(jìn)行光電探測(cè)器光電性能表征

實(shí)施光電性能參數(shù)表征分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源，可輸出恒壓、恒流或者脈沖信號(hào)，還可以當(dāng)作表，進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量；支持Trig觸發(fā)，可實(shí)現(xiàn)多臺(tái)儀表聯(lián)動(dòng)工作；針對(duì)光電探測(cè)器單個(gè)樣品測(cè)試以及多樣品驗(yàn)證測(cè)試，可直接通過(guò)單臺(tái)數(shù)字源表、多臺(tái)數(shù)字源表或插卡式源表搭建完整的測(cè)試方案。

普賽斯數(shù)字源表搭建光電探測(cè)器光電測(cè)試方案

暗電流測(cè)試推薦使用普賽斯S系列或P系列源表, S系列源表最小電流100pA, P系列源表最小電流10pA。當(dāng)測(cè)量低電平電流（<1μA）時(shí)，可以使用三同軸連接器和三同軸電纜。

反向擊穿電壓測(cè)試時(shí)，擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺(tái)式源表或P系列脈沖源表，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，最大電3500V。

結(jié)電容是光電二極管的一個(gè)重要參數(shù)，對(duì)光電二極管的帶寬和響應(yīng)有很大影響。光電二極管C-V測(cè)試方案由S系列源表、LCR、測(cè)試夾具盒以及上位機(jī)軟件組成。

光電二極管的響應(yīng)度定義為在規(guī)定波長(zhǎng)和反向偏壓下，產(chǎn)生的光電流(Ip)和入射光功率(Pin)之比，單位通常為A/W。測(cè)試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表。

在激光雷達(dá)領(lǐng)域，各光電探測(cè)器之間的間隔也非常小，光串?dāng)_的存在會(huì)嚴(yán)重影響激光雷達(dá)的性能。以陣列探測(cè)器為例，光串?dāng)_測(cè)試(Crosstalk)是指在規(guī)定的反向偏壓、波長(zhǎng)和光功率下，陣列二極管中光照單元的光電流與任意一個(gè)相鄰單元光電流之比的最大值。

測(cè)試時(shí)推薦使用普賽斯S系列、P系列或者CS系列多通道測(cè)試方案，CS系列最高能實(shí)現(xiàn)40通道的同時(shí)測(cè)量。

光耦(OC)電性能測(cè)試方案

對(duì)于光耦器件，其主要電性能表征參數(shù)有：正向電壓、反向電流、輸入端電容、發(fā)射極-集電極擊穿電壓、電流轉(zhuǎn)換比等。

正向電壓VF指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以mA電流來(lái)測(cè)試正向工作電壓。測(cè)試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表。

反向漏電流IR指在最大反向電壓情況下，流過(guò)光電二極管的反向電流，一般反向漏電流在nA級(jí)。測(cè)試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表，由于源表具備四象限工作的能力，可以輸出負(fù)電壓，無(wú)需調(diào)整電路。當(dāng)測(cè)量低電平電流(<1μA)時(shí)，推薦使用三同軸連接器和三同軸電纜。

發(fā)射極-集電極擊穿電壓BVCEO測(cè)試根據(jù)器件的規(guī)格不同，其耐壓指標(biāo)也不一致，所需的儀表也不同。擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺(tái)式源表或P系列脈沖源表，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列。

電流轉(zhuǎn)換比CTR指輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比。測(cè)試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表。

隔離電壓是指光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。通常隔離電壓較高，需要大電壓設(shè)備進(jìn)行測(cè)試，推薦E系列源表，最大電壓3500V。