91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

要長高 ? 2024-09-30 16:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX,OTCQX: IFNNY)近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合,進(jìn)一步豐富了該系列的產(chǎn)品線,旨在響應(yīng)大眾市場對于30V解決方案需求的持續(xù)增長。這款經(jīng)過精心設(shè)計(jì)的功率MOSFET,憑借高可靠性和易用性,專為滿足廣泛的大眾市場應(yīng)用需求而生,提供了極大的設(shè)計(jì)靈活性。其適用場景涵蓋了工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)備、電池管理系統(tǒng)以及不間斷電源(UPS)等多個(gè)領(lǐng)域。

與上一代StrongIRFET?半導(dǎo)體器件相比,StrongIRFET? 2 30V技術(shù)實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升,其中RDS(on)(導(dǎo)通電阻)降低了多達(dá)40%,Qg(柵極電荷)減少了60%。這一進(jìn)步不僅帶來了更高的功率效率和整體系統(tǒng)性能的提升,還保持了出色的穩(wěn)健性。此外,這款全新的功率MOSFET還簡化了設(shè)計(jì)導(dǎo)入流程和產(chǎn)品服務(wù),為用戶提供了更加便捷的使用體驗(yàn)。

目前,采用TO-220封裝的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品已經(jīng)上市銷售。展望未來,英飛凌計(jì)劃在2024年底前推出更多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝和引腳選項(xiàng),包括DPAK、D2PAK、PQFN和SuperSO8等,以滿足不同用戶的需求。憑借其卓越的性價(jià)比,這款新產(chǎn)品無疑將成為設(shè)計(jì)人員的理想選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2518

    瀏覽量

    142882
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233523
  • StrongIRFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    5781
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索CSD17510Q5A:30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能

    探索CSD17510Q5A:30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率MOSFET是不可或缺
    的頭像 發(fā)表于 03-06 14:40 ?51次閱讀

    深入解析 CSD17527Q5A:30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

    的就是德州儀器(TI)推出的 CSD17527Q5A 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特之處。 文件下載: csd17527q5a.pdf 一、
    的頭像 發(fā)表于 03-06 14:10 ?46次閱讀

    深入解析CSD17571Q2 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET

    30V、20mΩ的SON 2×2 NexFET?功率MOSFET,由德州儀器(Texas Instruments)生產(chǎn)。它專為降低
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:20 ?333次閱讀

    CSD17576Q5B 30V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析

    概述 CSD17576Q5B 是一款 30V、1.7mΩ 的 SON 5x6 - mm NexFET? 功率 MOSFET,專為降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗而設(shè)計(jì)。它采用了先進(jìn)的技術(shù),具有
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:05 ?57次閱讀

    CSD17578Q3A 30V N-Channel NexFET? 功率 MOSFET 深度解析

    CSD17578Q3A 30V N-Channel NexFET? 功率 MOSFET 深度解析 在電子工程領(lǐng)域,功率 MOSFET 作為關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 03-05 15:10 ?67次閱讀

    CSD87502Q2 30V 雙 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 深度解析

    CSD87502Q2 30V 雙 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 03-05 11:40 ?223次閱讀

    高通推出全新AI原生Wi-Fi8產(chǎn)品組合

    高通技術(shù)公司今日宣布推出其行業(yè)領(lǐng)先的Wi-Fi 8產(chǎn)品組合,這是構(gòu)建AI時(shí)代連接基礎(chǔ)的關(guān)鍵一步。該全面的產(chǎn)品組合包括高通 FastConnect 8800移動(dòng)連接系統(tǒng)和五款全新高通躍龍
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:33 ?512次閱讀

    Wolfspeed最新推出TOLT封裝650V第四代MOSFET產(chǎn)品組合

    ) MOSFET 產(chǎn)品組合,這代表著一次重大飛躍,它具有更優(yōu)異的散熱管理、更高的可靠性和更靈活的設(shè)計(jì),能夠應(yīng)對現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域最緊迫的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-21 14:25 ?3157次閱讀

    探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用

    ,近期推出全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù),為我們帶來了諸多驚喜。今天,我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相
    的頭像 發(fā)表于 12-20 10:35 ?750次閱讀

    英飛凌推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

    及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 10-31 11:00 ?427次閱讀

    英飛凌擴(kuò)展電源路徑保護(hù)產(chǎn)品組合,賦能48V及未來400V和800V AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)發(fā)展

    【2025年10月30日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出48
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:25 ?6.4w次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>擴(kuò)展電源路徑保護(hù)<b class='flag-5'>產(chǎn)品組合</b>,賦能48<b class='flag-5'>V</b>及未來400<b class='flag-5'>V</b>和800<b class='flag-5'>V</b> AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)發(fā)展

    圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

    圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、
    的頭像 發(fā)表于 05-09 16:57 ?1218次閱讀
    圣邦微電子<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>30V</b>單N溝道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> SGMNQ36430

    ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

    AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2MOSFET電路源極的共源電路,不僅能以
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:55 ?776次閱讀
    ROHM <b class='flag-5'>30V</b>耐壓Nch <b class='flag-5'>MOSFET</b>概述

    CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

    方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?:CSD17581Q3A ? 類型 ?:30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封
    的頭像 發(fā)表于 04-16 11:25 ?881次閱讀
    CSD17581Q3A <b class='flag-5'>30V</b>、N 通道 NexFET? <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)手冊

    CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

    這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:08 ?826次閱讀
    CSD17318Q<b class='flag-5'>2</b> <b class='flag-5'>30V</b>、N 通道 NexFET? <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)手冊