12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團體標(biāo)準(zhǔn)評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》等四項團體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。

會議由寬禁帶聯(lián)盟秘書長陸敏博士主持，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉忠立教授、北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司常務(wù)副總彭同華博士、北京三平泰克科技有限責(zé)任公司常務(wù)副總鄭紅軍、中國科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇博士、東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)部經(jīng)理張新河博士、中國科學(xué)院電工研究所實驗室技術(shù)負(fù)責(zé)人張瑾、中國科學(xué)院微電子研究所副研究員許恒宇博士、北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限公司W(wǎng)BG事業(yè)部副總經(jīng)理鮑慧強博士、北京華進創(chuàng)威電子有限公司課題組長何麗娟、北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)中心主任劉春俊博士、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院高級開發(fā)工程師鈕應(yīng)喜、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司質(zhì)量部副經(jīng)理陳志霞等寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會委員及團體標(biāo)準(zhǔn)參與單位代表參加了本次會議。

參會人員合影

評審會現(xiàn)場

寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會2017年下半年共收到來自北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司、中國科學(xué)院電工研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院四個牽頭單位團體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定申請。12月11日上午，各申請單位代表對送審稿的主要內(nèi)容進行了詳細介紹，與會專家進行了逐條討論，從引用文件、術(shù)語定義、技術(shù)要求和試驗方法等給予了各單位中肯的建議，最后與會專家一致同意以下4項團體標(biāo)準(zhǔn)送審稿通過審定：（1）《碳化硅單晶》（牽頭起草單位：北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司）；（2）《碳化硅外延片表面缺陷測試方法》（牽頭起草單位：全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院）；（3）《碳化硅外延層載流子濃度測定-汞探針電容-電壓法》（牽頭起草單位：中國科學(xué)院電工研究所）；（4）《電動汽車用功率半導(dǎo)體器件可靠性試驗通用要求及試驗方法》（牽頭起草單位：瀚天天成電子科技（廈門）有限公司）。與會代表建議起草單位吸收本次會議專家的修改意見后盡快形成報批稿，上報寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會秘書處審批，作為聯(lián)盟團體標(biāo)準(zhǔn)頒布實施。

參會代表發(fā)言

截至2017年12月11日，2017年立項的4項團體標(biāo)準(zhǔn)起草單位都已在規(guī)定時間內(nèi)向?qū)捊麕?lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會提交了標(biāo)準(zhǔn)草案。12月11日下午，寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會組織專家討論了此4項團體標(biāo)準(zhǔn)草案：《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》、《碳化硅單晶拋光片位錯密度測試方法》、《6英寸碳化硅單晶拋光片》、《4H碳化硅同質(zhì)外延層厚度的紅外反射測量方法》。與會專家對4項標(biāo)準(zhǔn)草案的內(nèi)容進行了逐條討論，從標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍、術(shù)語定義到標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)、內(nèi)容、格式等提出了許多科學(xué)合理、嚴(yán)謹(jǐn)專業(yè)的建議，各標(biāo)準(zhǔn)起草單位代表認(rèn)真聽取并采納了專家的建議。針對本次討論會的建議，各起草單位表示將進一步修改和完善標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，盡快形成征求意見稿，按照標(biāo)準(zhǔn)制定工作計劃進度要求，有條不紊地推動標(biāo)準(zhǔn)工作，以制訂出高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)業(yè)團體標(biāo)準(zhǔn)，響應(yīng)國家標(biāo)準(zhǔn)化改革方案，為推進團體標(biāo)準(zhǔn)事業(yè)做出應(yīng)有的貢獻。