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詳細(xì)剖析內(nèi)存參數(shù)

臺(tái)電存儲(chǔ) ? 2017-12-22 14:55 ? 次閱讀
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說起電腦內(nèi)存,大家相當(dāng)?shù)牡谝挥∠髴?yīng)該多是的爆內(nèi)存了?,F(xiàn)在的內(nèi)存空間占用越來越大,曾經(jīng)的2/4G都不夠普通使用,更別提游戲了。

詳細(xì)剖析內(nèi)存參數(shù)

其實(shí)內(nèi)存的參數(shù)還有很多,像內(nèi)存類型、工作頻率、接口類型這些簡(jiǎn)單的參數(shù),很多人都印象模糊,對(duì)更深入的內(nèi)存時(shí)序就更摸不著頭腦了。下面簡(jiǎn)單了解一下:

內(nèi)存頻率

CPU一樣,內(nèi)存也有自己的工作頻率,頻率越高代表內(nèi)存處理速度越快。但高頻也內(nèi)存體質(zhì)要求更高,價(jià)格更貴。目前DDR3的入門頻率為1333MHz,而DDR4為2400MHz起步。

內(nèi)存容量

內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價(jià)格的因素,同時(shí)也是影響到整機(jī)系統(tǒng)性能的因素?,F(xiàn)在64位操作系統(tǒng)中,沒有4GB以上的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。

詳細(xì)剖析內(nèi)存參數(shù)

因此在目前,單根內(nèi)存的容量主要有4GB、8GB、16GB三種為主,用戶通過雙通道或四通道,組建更大容量的內(nèi)存容量。

工作電壓

內(nèi)存工作的電壓值有所不同,例如DDR3內(nèi)存的工作電壓一般在1.6V左右,DDR4電壓在1.2V。不僅是因?yàn)楦碌瞥烫岣?,更低的電壓也更合適筆記本等移動(dòng)設(shè)備的續(xù)航。

當(dāng)然一些高頻內(nèi)存需要工作也會(huì)稍高于標(biāo)準(zhǔn)電壓,有利于內(nèi)存超頻,但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加,因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。

內(nèi)存時(shí)序參數(shù)

一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí),如“8-8-8-24”這一類的數(shù)字序列,上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

簡(jiǎn)單的說,這個(gè)序列代表著內(nèi)存控制指令的間隔時(shí)間,序列低速度就快,但也容易出錯(cuò)。因此內(nèi)存出廠時(shí)會(huì)根據(jù)內(nèi)存體質(zhì),制定好合適的內(nèi)存時(shí)序。

內(nèi)存超頻使用

很多DIY玩家都樂于嘗試超頻,但實(shí)際上超頻并想象中高深莫測(cè)。理解了簡(jiǎn)單的內(nèi)存參數(shù),超頻也并非難事。

內(nèi)存規(guī)格參數(shù)-臺(tái)電系列DDR4-2400 8G

內(nèi)存超頻顧名思義,就是讓內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率上。比如買了DDR4-2400的內(nèi)存,超頻到2666下穩(wěn)定運(yùn)行,那內(nèi)存的速度就更快,從而壓榨出更高的性價(jià)比。

具體操作是通過手動(dòng)調(diào)節(jié)內(nèi)存時(shí)序、電壓等參數(shù),尋找適合內(nèi)存體質(zhì)的更高頻率。多數(shù)的普條并不支持超頻,少數(shù)可小幅度超頻的則被稱為“神條”。

臺(tái)電內(nèi)存均采用原裝內(nèi)存顆粒,擁有強(qiáng)硬硬件體質(zhì)。網(wǎng)上有部分玩家就將A30輕松超頻,并得到穩(wěn)定運(yùn)行印證了這一點(diǎn)。有興趣的朋友,可以關(guān)注臺(tái)電存儲(chǔ)更多動(dòng)態(tài)報(bào)道。

*不過在這里要提醒下各位,超頻可能受限于內(nèi)存、主板等兼容性,還是不建議輕易嘗試。


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原文標(biāo)題:初識(shí)參數(shù),聽說內(nèi)存超頻很難?

文章出處:【微信號(hào):gh_59da4a650b34,微信公眾號(hào):臺(tái)電存儲(chǔ)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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