依稀記得以前為了安全起見，在沖印照片之后，我們都把膠卷小心翼翼的包好放在安全位置，生怕劃破以后無法找到原始照片；又或者我們把播放列表里的音樂轉(zhuǎn)變成音頻CD等等，隨著科技的不斷進步，類似于這些舊的數(shù)據(jù)存儲方式已經(jīng)被存儲卡、USB驅(qū)動器、SSD這些新型技術(shù)產(chǎn)品所取代。

西部數(shù)據(jù)作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)導品牌，在閃存領(lǐng)域一直動作頻頻，基于當下海量、多樣化的數(shù)據(jù)趨勢下，于近日宣布推出全新先進的iNAND嵌入式閃存盤（EFD）。據(jù)介紹，該產(chǎn)品用于智能手機和輕薄型計算設(shè)備時，可以為數(shù)據(jù)中心的大量應用加速，包括增強現(xiàn)實、高分辨率視頻捕捉及豐富的社交媒體體驗，當然，還有新興的終端人工智能和物聯(lián)網(wǎng)體驗。

現(xiàn)場，來自Counterpoint Research的智能設(shè)備及生態(tài)系統(tǒng)研究總監(jiān)閆占孟先生分析了當下NAND市場現(xiàn)狀，劃兩個重點：

一、NAND目前朝兩個方面發(fā)展，一是從2D轉(zhuǎn)向3D NAND，毋庸置疑，3D NAND可以承載更多的容量存儲，并將于2028年占全球市場比例將近一半。另外UFS明年中低市場也會逐漸采用，TLC會拓展到終端市場。

二、由于4G、存儲版本以及顯示屏幕的高分辨率，未來DRAM會大幅增長。

閆占孟表示：“預計到2018年末，全球每部智能手機的平均存儲容量將攀升到超過60GB，用以支持由設(shè)備上人工智能和增強現(xiàn)實所帶來的日益增多的豐富多媒體內(nèi)容和數(shù)據(jù)驅(qū)動體驗。這推動了我們向先進的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進，從而進一步推動這些豐富的體驗?！?/p>

西部數(shù)據(jù)嵌入式及集成解決方案（EIS）產(chǎn)品市場管理總監(jiān)包繼紅女士現(xiàn)場分析了NAND的發(fā)展過程及當下存儲市場的強勁需求?！澳壳?a href="http://m.makelele.cn/v/tag/1225/" target="_blank">5G、人工智能、機器學習進一步催熟了存儲市場，未來存儲必定會呈現(xiàn)增長趨勢?！?/p>

正如包繼紅所說，隨著5G、AI、機器學習等技術(shù)的不斷推進，存儲市場需求也在逐漸增大。

發(fā)布會上，包繼紅女士也暢談了在過年一年多時間中存儲市場供不應求的主要原因，一是閃存的競爭，HDD逐漸轉(zhuǎn)換為SSD；二是技術(shù)競爭，2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND；三是不少手機廠商會提前備貨。

對于未來，包繼紅提到在如今的移動互聯(lián)時代下，TLC、MLC與QLC的關(guān)系，在3D NAND趨勢下，MLC顆粒到TLC顆粒已然轉(zhuǎn)換變成，而QLC屬于未來，各大廠商對于這項技術(shù)的投資會繼續(xù)，層數(shù)也會逐漸增加。

此次發(fā)布的兩款產(chǎn)品分別為iNAND 8521 嵌入式閃存盤和iNAND 7550嵌入式閃存盤，均是64層。

其中，8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計，采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機的上一代iNAND移動解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤，這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達10倍的隨機寫入速度2。通過快速并智能響應用戶的應用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實游戲，并且快速下載高清電影。

另外，7550嵌入式閃存盤幫助移動設(shè)備制造商打造存儲空間充足且具有高性價比的智能手機和計算設(shè)備，以滿足消費者不斷增長的存儲需求，同時提供快速且具吸引力的應用體驗。基于e.MMC 5.1規(guī)范，是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能3，更有助于同時加快自身和應用啟動的速度。