雙面接觸式電容壓力傳感器的原理是基于單面接觸式電容壓力傳感器而來(lái)的。其工作原理：當(dāng)傳感器的受壓膜片（即梁）與基底距離很近時(shí)，膜片受壓后與基底接觸，當(dāng)壓力變化時(shí)，通過(guò)改變接觸面積的大小來(lái)改變電容量。圖1給出了典型的雙面接觸式電容壓力傳感器的一般結(jié)構(gòu)及其工作的模擬仿真曲線。

從圖1可以看出，雙面接觸式電容壓力傳感器有4個(gè)工作區(qū)，第Ⅰ區(qū)是正常區(qū)，梁未接觸到襯底上的絕緣層，當(dāng)傳感器工作在這一段時(shí)，接觸式電容壓力傳感器與傳統(tǒng)的硅壓力傳感器一樣。當(dāng)梁快要接近接觸點(diǎn)的時(shí)候，傳感器單位面積上受到的壓力與產(chǎn)生的電容呈非線性關(guān)系。第Ⅱ區(qū)是過(guò)渡區(qū)，梁開(kāi)始接觸到襯底上的絕緣層，C-p曲線呈非線性關(guān)系，電容從梁未接觸到襯底到開(kāi)始接觸襯底轉(zhuǎn)變。第Ⅲ區(qū)是線性區(qū)，梁與襯底上的絕緣層開(kāi)始有效接觸，而且傳感器的電容將隨著壓力的增加而線性增大。第Ⅳ區(qū)是飽和區(qū)C-p曲線略呈非線性關(guān)系，隨著壓力的繼續(xù)增加，非線性將更明顯。

圖1雙面接觸式電容壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作曲線圖

雙面接觸式電容壓力傳感器的電容由兩部分組成：一部分為梁受壓后，尚未接觸到襯底上的絕緣層時(shí)形成的電容，此電容類似于常規(guī)的電容壓力傳感器，這一部分只占接觸式電容壓力傳感器的電容量的很小一部分；另一部分是梁接觸到襯底后形成的電容，這部分電容量才是需要的電容量，而且它占主導(dǎo)地位，較多采用的是國(guó)產(chǎn)品牌電容，如三環(huán)電容、風(fēng)華電容，也可選擇臺(tái)企電容巨頭——YAGEO電容（即國(guó)巨電容）作為所選電容。當(dāng)壓力增加時(shí)，梁與襯底的接觸面積增加，同時(shí)梁與襯底的非接觸部分減少。剛開(kāi)始，電容主要由非接觸部分提供，隨著壓力的增加，梁開(kāi)始接觸襯底的絕緣層后，非接觸部分提供的電容逐漸減少，而接觸部分提供的電容與接觸面積將呈線性增加。由于絕緣層非常薄，因此當(dāng)梁開(kāi)始與襯底上的絕緣層接觸后，接觸面積所提供的電容將占主導(dǎo)地位。

2工藝流程

雙面接觸式電容壓力傳感器由3個(gè)硅晶片（其中有兩個(gè)晶片B是一樣的）用硅熔融法進(jìn)行鍵合，先把晶片A正反兩面腐蝕兩個(gè)同樣大小的溝槽來(lái)作為傳感器的真空腔，然后在這兩個(gè)大溝槽上淀積一層二氧化硅作為絕緣層，同時(shí)把晶片A作為雙面接觸式電容壓力傳感器的公共下電極，接著把兩片用濃的固態(tài)硼擴(kuò)散好的晶體B用熔融鍵合的辦法鍵合在晶片A的正反兩面，用離子刻蝕法刻蝕掉晶片B最外層的重?fù)诫s層，緊接著用自停止腐蝕法去掉輕摻雜層，得到最里面的重?fù)诫s層作為傳感器的上電極。對(duì)于晶片A和B,可以采用圓形、方形、矩形膜，本次設(shè)計(jì)采用圓形膜。制造工藝流程如下：

2.1晶片A

襯底晶片采用N型硅晶體，晶向?yàn)?100>晶向，厚度約為（500±10）μm,電阻率約為5～10Ω·cm.

2.1.1腐蝕出大溝槽

先在晶片A的兩端氧化出2μm的氧化層，然后把預(yù)先設(shè)計(jì)好的掩膜（即大溝槽的形狀）附在晶片A的正反兩面，然后放到SF6溶液里面讓它進(jìn)行腐蝕，就可得到所要的大溝槽（真空腔）的形狀。

2.1.2淀積一層絕緣層

在腐蝕出大溝槽的晶片A兩面都氧化一層150nm厚的SiO2,作為絕緣層。此時(shí)，晶片A可以與晶片B進(jìn)行鍵合。

2.2晶片B

晶片B主要是為了制作重?fù)诫s的梁。晶片B取P型硅，晶向?yàn)?100>晶向，晶片厚度約（400±10）μm,電阻率約為2～5Ω·cm.

2.2.1硼擴(kuò)散

為了減少由于只擴(kuò)散硼的一邊使梁變形而凹凸不平的情況，使晶體的兩邊都進(jìn)行硼擴(kuò)散，大約要在1120℃下擴(kuò)散160min.

2.2.2化學(xué)機(jī)械拋光

晶片被腐蝕后表面變得不平，因此要進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，化學(xué)機(jī)械拋光的一些參數(shù)見(jiàn)表1:

表1用于熔融鍵合的P+型硅化學(xué)機(jī)械拋光的參數(shù)

這樣晶片B也可以進(jìn)行鍵合了。

2.3鍵合后的晶片

2.3.1硅熔融鍵合

在鍵合之前，所有晶片都要進(jìn)行清洗，把晶體表面上的灰塵微粒洗掉，接著晶片在室溫下鍵合在一起，然后把這對(duì)晶片放在1000℃的純氮環(huán)境下進(jìn)行退火鍵合。

圖2

2.3.2 硅蝕刻

首先利用離子刻蝕把原先為減少凹凸不平而重?fù)诫s的濃硼擴(kuò)散層刻蝕掉，這一步也可用機(jī)械拋光法來(lái)進(jìn)行?？涛g掉這一層后，接著要把梁刻蝕出來(lái)，可用腐蝕的辦法來(lái)進(jìn)行，用10%的KOH來(lái)腐蝕，前面的350μm在90℃的KOH中腐蝕，后面的50μm在50℃的KOH中腐蝕，以便得到更好的蝕刻選擇性。

2.3.3開(kāi)一個(gè)引線窗口和排氣窗口

引線窗口主要是在這個(gè)窗口中先淀積上一層金屬，然后從這一層金屬中引出電容的極板引線。要刻蝕出這個(gè)窗口可以在晶片上布一層掩膜，然后利用離子刻蝕法刻出這個(gè)窗口，同理，排氣窗口也可以這樣刻蝕。排泄窗口是為了使封裝的腔為真空而設(shè)計(jì)的。

2.3.4封裝腔

排氣窗口刻蝕出以后，用LTO封裝這個(gè)排氣窗口，用LTO封裝以后，腔里的空氣壓力幾乎為零。那么這個(gè)傳感器就可以測(cè)絕對(duì)壓力。

2.3.5刻蝕出梁和引線窗口

在BHF溶液中腐蝕出梁和引線窗口，腐蝕掉鏈接層的LTO和SiO2。

2.3.6金屬化處理

在引線窗口濺射上300nm的Al/Si/Cu金屬層。

2.3.7切割和測(cè)試

完成后的晶體能夠被切割和測(cè)試。

圖3

3相關(guān)工藝

要得到好的鍵合效果，在進(jìn)行晶體鍵合前，要對(duì)3塊晶片的表面進(jìn)行處理，特別是晶體B,要用機(jī)械拋光的方法進(jìn)行，否則由于重?fù)诫s硼的晶體表面粗糙度太高，鍵合時(shí)會(huì)由于晶體表面的內(nèi)應(yīng)力使晶體彎曲，表面不平，常有空氣泡被封在里面，這使鍵合的效果不好，要得到好的鍵合效果就要使表面盡量光滑而且盡量平坦。在鍵合時(shí)，首先在晶體的邊緣進(jìn)行鍵合，如果在空氣中鍵合，晶體的中間會(huì)有殘留的空氣，這些殘留的空氣泡在高溫下會(huì)膨脹，有可能把兩片晶體分開(kāi)。為解決這個(gè)問(wèn)題可在真空中鍵合；另一個(gè)辦法是同時(shí)在另一面也進(jìn)行硼擴(kuò)散來(lái)減少它的彎曲，因?yàn)閮擅媾饠U(kuò)散的厚度如果一樣的話，晶體的變形會(huì)最小。

對(duì)于電容壓力傳感器，硅梁的擴(kuò)散厚度需要精確控制，P+重?fù)诫s自停止腐蝕法及PN結(jié)自停止腐蝕來(lái)控制擴(kuò)散精度。P+重?fù)诫s自停止腐蝕主要是利用當(dāng)硼在硅中的濃度超過(guò)1019時(shí)，硅的腐蝕速率將大大減小，這是各向異性腐蝕的一個(gè)特性。各向異性腐蝕與晶體的晶向和摻雜濃度有關(guān)。腐蝕速率大部分取決于晶體的晶向，這個(gè)特性在腐蝕<100>晶向的晶體時(shí)會(huì)得到V形槽，<110>晶體得到U形槽。晶體的腐蝕速率取決于3個(gè)因素：晶體的類型、溶液的濃度及溫100>和<111>的腐蝕速率比值為50∶30∶1,在室溫下比值為160∶100∶1。腐蝕速率對(duì)溫度非常敏感，要注意控制腐蝕液的溫度。溶液的濃度也會(huì)影響腐蝕速率，但不是線性的。在10℃左右，腐蝕速率最大，而且當(dāng)溶液的濃度逐漸增加時(shí)，腐蝕速率會(huì)慢慢降下來(lái)。

查閱資料，當(dāng)溶液的濃度在10%～15%時(shí)，晶體的腐蝕速率最大。溶液的濃度很低時(shí)，晶體表面會(huì)產(chǎn)生一系列小洞。

4結(jié)論

從工藝流程來(lái)看，制造的成本與單面接觸式電容壓力傳感器相當(dāng)，器件體積也不會(huì)因此增大。具有單面接觸式電容壓力傳感器所具有的優(yōu)點(diǎn)：低溫漂，高靈敏度，受環(huán)境影響小，對(duì)分布電容不敏感。對(duì)于同樣大小的器件，雙面接觸式電容壓力傳感器的電容量和靈敏度高出單面接觸式電容壓力傳感器1倍。