91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線(xiàn)充電功率

要長(zhǎng)高 ? 2024-10-22 11:09 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX, OTCQX: IFNNY)近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Electricity建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。AWL-Electricity是兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的佼佼者。此次合作中,英飛凌將向AWL-Electricity提供其CoolGaN? GS61008P產(chǎn)品,助力后者開(kāi)發(fā)前沿的無(wú)線(xiàn)功率解決方案,為多個(gè)行業(yè)提供創(chuàng)新的功率問(wèn)題解決之道。

通過(guò)結(jié)合英飛凌的先進(jìn)氮化鎵(GaN)技術(shù)和AWL-Electricity創(chuàng)新的兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸系統(tǒng),雙方共同實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的無(wú)線(xiàn)功率傳輸效率。英飛凌的GaN晶體管技術(shù)以其卓越的效率和功率密度,以及在高開(kāi)關(guān)頻率下的穩(wěn)定運(yùn)行能力而著稱(chēng)。這不僅使AWL-Electricity的系統(tǒng)壽命得以延長(zhǎng),停機(jī)時(shí)間和運(yùn)營(yíng)成本降低,還提升了產(chǎn)品的用戶(hù)體驗(yàn)。在汽車(chē)領(lǐng)域,該技術(shù)將推動(dòng)車(chē)內(nèi)體驗(yàn)和座椅動(dòng)態(tài)性能邁上新臺(tái)階;在工業(yè)領(lǐng)域,它則為自動(dòng)導(dǎo)引車(chē)輛、機(jī)器人應(yīng)用等提供了幾乎無(wú)限的設(shè)計(jì)自由度。此外,由于該技術(shù)允許全密封系統(tǒng)設(shè)計(jì),無(wú)需充電端口,從而有助于減少全球電池的使用量。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)(PSS)事業(yè)部全球合作與生態(tài)系統(tǒng)管理團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Falk Herm表示:“通過(guò)與AWL-Electricity的合作,我們?cè)俅巫C明了英飛凌CoolGaN?技術(shù)在系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì),提升了產(chǎn)品的緊湊性和效率。AWL-Electricity與英飛凌在能力上相輔相成,此次合作展示了GaN在兆赫頻率下工作的潛力,顛覆了功率晶體管的應(yīng)用模式,帶來(lái)了更加環(huán)保、性能卓越的產(chǎn)品。”

AWL-Electricity聯(lián)合創(chuàng)始人、副總裁兼業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)總監(jiān)Francis Beauchamp-Verdon表示:“英飛凌深知構(gòu)建一個(gè)強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)生態(tài)對(duì)于滿(mǎn)足當(dāng)今功率需求的重要性,并因此以獨(dú)特的方式邀請(qǐng)我們加入他們的大家庭。英飛凌的GaN晶體管、評(píng)估板以及合作機(jī)會(huì)使我們的基于GaN的兆赫級(jí)功率耦合系統(tǒng)得以廣泛應(yīng)用?!?/p>

英飛凌作為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),是唯一一家掌握所有功率技術(shù),同時(shí)提供全面產(chǎn)品和技術(shù)組合的制造商,涵蓋硅器件(如SJ MOSFET、IGBT)、碳化硅器件(如肖特基二極管和MOSFET)以及氮化鎵器件(如增強(qiáng)型HEMT)。其產(chǎn)品范圍包括裸片、分立器件和模塊。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2519

    瀏覽量

    142933
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30781

    瀏覽量

    264503
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1894

    瀏覽量

    119810
  • 無(wú)線(xiàn)充電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1302

    文章

    3489

    瀏覽量

    322854
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    意法半導(dǎo)體氮化方案賦能高頻應(yīng)用新場(chǎng)景

    快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化(GaN)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?544次閱讀

    CHA6154-99F三級(jí)單片氮化(GaN)中功率放大器

    結(jié)構(gòu):通過(guò)三級(jí)級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)優(yōu)化增益平坦度與線(xiàn)性度,適應(yīng)復(fù)雜信號(hào)環(huán)境。GaN-on-SiC HEMT 工藝:氮化(GaN)與碳化硅(SiC)襯底結(jié)合,實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率及優(yōu)異散熱性能。
    發(fā)表于 02-04 08:56

    為什么說(shuō)氮化是快充領(lǐng)域顛覆者

    自從氮化(GaN)器件問(wèn)世以來(lái),憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:27 ?1615次閱讀
    為什么說(shuō)<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>是快充領(lǐng)域顛覆者

    “芯”品發(fā)布|未來(lái)推出“9mΩ”車(chē)規(guī)級(jí) GaN FET,打破功率氮化能效天花板!

    )。這款完全符合汽車(chē) AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化分立器件,以全球最小的 9mΩ 導(dǎo)通電阻(Rds(on)),引起行業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注,迅速成為氮化
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:17 ?1966次閱讀

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2204次閱讀

    三安半導(dǎo)體與賽晶半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作

    的互補(bǔ)優(yōu)勢(shì),正式建立全面戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同聚焦碳化硅與氮化等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,助力全球能源革命與工業(yè)升級(jí)。
    的頭像 發(fā)表于 09-12 15:45 ?933次閱讀

    氮化快充芯片U8725AHE的工作原理

    氮化充電器的高功率密度,能在很小的體積里給出更高的功率,所以氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-18 16:08 ?3179次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充芯片U8725AHE的工作原理

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開(kāi)關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2821次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開(kāi)關(guān)深度解析

    氮化GaN快充芯片U8732的特點(diǎn)

    氮化充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:21 ?1036次閱讀

    交流充電樁負(fù)載能效提升技術(shù)

    功率器件與拓?fù)?b class='flag-5'>優(yōu)化 寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用 傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開(kāi)關(guān)損耗高,限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅(SiC)或氮化(GaN)
    發(fā)表于 05-21 14:38

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“未來(lái)”)在第三代
    發(fā)表于 05-19 10:16

    納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

    日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車(chē)規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?5060次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

    意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

    ??雙方簽署氮化(GaN)技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議,致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能,意法
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:06 ?4652次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>與英諾賽科簽署<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?5.2w次閱讀
    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>功率</b>器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

    唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?3292次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)布雙向GaNFast<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片