三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達(dá)42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得益于多項改進(jìn)與更新，該芯片相比前代在密度上提升了50%，效率則提高了30%。目前，這些24Gb GDDR7模塊正由主要GPU制造商進(jìn)行驗證，預(yù)計將于2025年初大規(guī)模投產(chǎn)。

早在2023年7月，三星就已推出了全球首款GDDR7內(nèi)存，其額定速度為32Gbps，模塊容量為16Gb（即2GB）。與三星此前發(fā)布的GDDR7模塊相比，新芯片的帶寬提升了25%，而與前代18Gbps的GDDR6產(chǎn)品相比，更是實現(xiàn)了2.36倍的速度飛躍。在制造工藝上，三星24Gb GDDR7內(nèi)存采用了先進(jìn)的第五代10nm節(jié)點技術(shù)，使得在相同封裝尺寸下，密度實現(xiàn)了50%的增長。

三星之所以能達(dá)到如此卓越的性能，關(guān)鍵在于采用了PAM3信號傳輸技術(shù)，該技術(shù)利用-1、0、+1三個信號進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。這些新內(nèi)存模塊能夠輕松達(dá)到40Gbps的速度，且在特定條件下，更可沖刺至42.5Gbps，這一速度比GDDR6X提供的24Gbps快了近80%。

在效率方面，三星新款GDDR7內(nèi)存同樣表現(xiàn)出色，比前代產(chǎn)品高出30%。這得益于時鐘控制管理、雙電壓（VDD）設(shè)計等一系列先進(jìn)技術(shù)。此外，通過電源門控設(shè)計，三星還成功解決了電流泄漏問題，能夠關(guān)閉芯片中未使用的部分，進(jìn)一步提升效率。

值得注意的是，上一代GDDR6/X內(nèi)存模塊通常采用16Gb（即2GB）的容量。而三星的GDDR7產(chǎn)品，每個模塊的內(nèi)存容量增加了1.5倍，這將為下一代GPU帶來更高的VRAM（顯示內(nèi)存）容量。以下是不同總線寬度下，采用42.5Gbps 24Gb（3GB）模塊的GPU制造商可預(yù)期的VRAM及帶寬數(shù)據(jù)：

128位總線寬度：12GB VRAM，帶寬680GB/s

192位總線寬度：18GB VRAM，帶寬1020GB/s

256位總線寬度：24GB VRAM，帶寬1360GB/s

320位總線寬度：30GB VRAM，帶寬1700GB/s

512位總線寬度：48GB VRAM，帶寬高達(dá)2720GB/s

這對于游戲玩家而言無疑是個好消息，因為上一代GPU常因VRAM不足而受限。如今，即便是1080p分辨率的游戲也需要超過8GB的內(nèi)存。因此，游戲玩家普遍希望GPU制造商在下一代產(chǎn)品的內(nèi)存容量上不要吝嗇。然而，考慮到生產(chǎn)成本，下一代入門級GPU可能仍會堅持使用現(xiàn)成的16Gb GDDR6模塊。