近日，美國(guó)芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

氮化鎵作為一種新型半導(dǎo)體材料，具有出色的導(dǎo)電性能和耐高溫特性，被廣泛應(yīng)用于高效率電源管理系統(tǒng)中。隨著市場(chǎng)對(duì)高效率、低能耗產(chǎn)品需求的不斷增長(zhǎng)，氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求持續(xù)擴(kuò)大。

為了滿足這一市場(chǎng)需求，德州儀器不斷提升其氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。通過(guò)會(huì)津工廠的新增產(chǎn)能，以及位于德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造工廠產(chǎn)能的整合，德州儀器成功將其內(nèi)部氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能提升了4倍以上。

此次產(chǎn)能的大幅提升，不僅將進(jìn)一步鞏固德州儀器在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，同時(shí)也將為其客戶提供更加可靠、高效的氮化鎵功率半導(dǎo)體解決方案，助力全球電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。