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晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-12-03 10:48 ? 次閱讀
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本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。

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聚合物沉積:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積,影響刻蝕速率和選擇性。溫度影響聚合物的沉積速率和穩(wěn)定性,高溫可使沉積層分解或減少,低溫則會增加聚合物沉積。 選擇性 :刻蝕材料和掩膜材料的選擇性對溫度非常敏感。溫度過高會降低刻蝕選擇性,因為刻蝕速率加速會同時刻蝕掩膜。 光刻膠:光刻膠流動在高溫下,光刻膠會發(fā)生軟化、流動甚至起泡,導(dǎo)致形貌失真。 產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率 :溫度影響化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)物揮發(fā)性,高溫下副產(chǎn)物更易揮發(fā),有助于提高刻蝕速率。而低溫會導(dǎo)致副產(chǎn)物殘留,降低刻蝕效率。 刻蝕形貌:刻蝕溫度接近材料的玻璃化溫度 (Tg),表面形貌均勻??涛g溫度遠(yuǎn)低于玻璃化溫度,表面刻蝕不均勻,且粗糙度較大。

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原文標(biāo)題:晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響?

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