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干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-12-03 11:00 ? 次閱讀
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本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。

什么是側(cè)壁彎曲?

如上圖,是典型的干法刻蝕時,側(cè)壁彎曲的樣子,側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的,角度接近 90°。

c191bada-afcb-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

什么原因?qū)е铝藗?cè)壁彎曲? 1,離子從光刻膠掩模邊緣散射,以特定角度進(jìn)入刻蝕區(qū)域,導(dǎo)致側(cè)壁形貌的偏差。這種散射取決于掩模的傾斜角度,如果角度較大,散射更顯著。

c1b654ee-afcb-11ef-93f3-92fbcf53809c.jpg

2,離子在鞘層中的散射:如果工藝壓力過高,在等離子體鞘層中,離子的碰撞和散射頻率增加,導(dǎo)致離子軌跡偏離,進(jìn)而引起側(cè)壁彎曲。

3,生成的聚合物分布不均:聚合物通常在孔頂部沉積得更好,而在深度較大的區(qū)域沉積較差。這種分布不均導(dǎo)致特征的頂部受保護(hù),而側(cè)壁底部容易受到攻擊,進(jìn)而形成彎曲的側(cè)壁。

解決方案

1,光刻膠的形貌盡量做的陡直,不要坡度太大

2,工藝腔壓力不要太大,降低工藝腔壓力,減少散射,改善側(cè)壁形貌。

3,控制保護(hù)氣體比例,確保側(cè)壁的聚合物保護(hù)層均勻分布。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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