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解說(shuō)篇:模組雖小,SIM卡電路設(shè)計(jì)不能少!

合宙LuatOS ? 來(lái)源:合宙LuatOS ? 作者:合宙LuatOS ? 2024-12-04 21:03 ? 次閱讀
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本文解說(shuō)的是關(guān)于SIM卡接口功能及其電路設(shè)計(jì)相關(guān)注意事項(xiàng),我將詳細(xì)信息整理如下分享給大家。

一、SIM卡接口功能描述

Air700ECQ/Air700EAQ/Air700EMQ系列模組支持1路USIM接口,符合ETSI和IMT-2000規(guī)范,可自適應(yīng)支持1.8V和3.3V USIM卡。

注意:因?yàn)槌〕∠盗性O(shè)計(jì)取向?yàn)槌叽绯?,所以無(wú)法在硬件上同時(shí)支持移動(dòng)、電信和聯(lián)通,三大運(yùn)營(yíng)商分三個(gè)不同的版本。

Air700ECQ:支持中國(guó)移動(dòng);
Air700EAQ:支持中國(guó)電信;
Air700EMQ:支持中國(guó)聯(lián)通。

最新開(kāi)發(fā)資料詳見(jiàn):
https://docs.openluat.com/

1.SIM卡相關(guān)管腳

SIM卡信號(hào)相關(guān)管腳,詳見(jiàn)下方圖表:

wKgZPGdQUieAOrYOAAXCrJU0254575.pngwKgZO2dQUj6AKBIEAAE96R10Hsk119.png

wKgZPGdQUk6AEvXbAARID7d9g6U923.png

2.SIM卡電氣特性

- 支持SIM卡類(lèi)型:1.8V/3.3V USIM卡;

- 支持協(xié)議:ETSI/IMT-2000;

- SIM卡在位檢測(cè):支持;

wKgZPGdQUm2AFV43AADd0h7ayOg951.pngwKgZO2dQUoWAF1wnAAJbKjuF8SU441.png

3. SIM卡時(shí)序

激活時(shí)序:

當(dāng)SIM卡的觸點(diǎn)接通序列結(jié)束后(RST處于低電平,VCC穩(wěn)定供電,ME的I/O處于接收狀態(tài),VPP被置為空閑狀態(tài),CLK提供適當(dāng)?shù)?、穩(wěn)定的時(shí)鐘),SIM卡準(zhǔn)備復(fù)位。

如下圖所示:

wKgZPGdQUpKAE-V6AAJDxwNakH8614.png

時(shí)鐘信號(hào)在T0時(shí)刻加到CLK觸點(diǎn),I/O總線在時(shí)鐘信號(hào)加到CLK觸點(diǎn)200個(gè)時(shí)鐘周期(T0時(shí)刻之后的t2時(shí)間段)之內(nèi)應(yīng)該處于高阻狀態(tài);

內(nèi)部復(fù)位的SIM卡,在幾個(gè)時(shí)鐘周期之后開(kāi)始復(fù)位,復(fù)位應(yīng)答應(yīng)該在400~40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)開(kāi)始(T0時(shí)刻之后的t1時(shí)間段之內(nèi));

低電平復(fù)位的SIM卡的復(fù)位信號(hào)至少在40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)RST觸點(diǎn)維持低電平(T0之后的t3時(shí)間段內(nèi)),如果在40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)沒(méi)有復(fù)位應(yīng)答,則RST觸點(diǎn)被置為高電平;

I/O端的復(fù)位應(yīng)答必須在RST上升沿開(kāi)始的400~40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)開(kāi)始(T1時(shí)刻之后的t1時(shí)間段之內(nèi));

如果復(fù)位應(yīng)答在400~40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)沒(méi)有開(kāi)始(T1時(shí)刻之后的t3時(shí)間段之內(nèi)),則RST觸點(diǎn)的電平將被置為低電平(在T2時(shí)刻),觸點(diǎn)也將被ME釋放。

二、SIM卡接口電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)

常用的SIM卡參考設(shè)計(jì)及注意事項(xiàng)如下,在應(yīng)用中注意結(jié)合實(shí)際情況優(yōu)化調(diào)整:

▼ 常用SIM卡參考設(shè)計(jì) ▼

wKgZO2dQUqqAOnWLAAJs3nzcgwk324.png

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):

SIM卡座與模組距離擺件不能太遠(yuǎn),越近越好,盡量保證SIM卡信號(hào)線布線不超過(guò)20cm。

SIM卡信號(hào)線布線遠(yuǎn)離RF線和VBAT電源線。

為了防止可能存在的USIM_CLK信號(hào)對(duì)USIM_DATA信號(hào)的串?dāng)_,兩者布線不要太靠近,在兩條走線之間增加地屏蔽。且對(duì)USIM_RST_N信號(hào)也需要地保護(hù)。

為了保證良好的ESD保護(hù),建議加TVS管,并靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大于50pF。在模組和SIM卡之間也可以串聯(lián)22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI,增強(qiáng)ESD防護(hù)。SIM卡的外圍電路必須盡量靠近SIM卡座。

三、SIM卡常見(jiàn)問(wèn)題

在出現(xiàn)SIM卡不識(shí)別卡時(shí),測(cè)量SIM卡供電VDD_SIM,總是發(fā)現(xiàn)VDD_SIM為低電平?

原因解析:

SIM卡在初始化時(shí),系統(tǒng)會(huì)嘗試4次與SIM卡交互。此時(shí)VDD_SIM也會(huì)打開(kāi)4次,分別在1.8V和3.3V交替檢測(cè),若檢測(cè)不到SIM卡,VDD_SIM卡就會(huì)關(guān)閉,如下圖:

wKgZPGdQUr2AbuKEAAXjbfmFTTQ158.png

因此在檢測(cè)不到SIM卡的情況下,USIM_VDD總是低電平。

設(shè)計(jì)建議:

VDD_SIM不輸出不是SIM卡不識(shí)別的原因,而是結(jié)果;SIM卡上任何一個(gè)信號(hào)異常,均會(huì)導(dǎo)致VDD_SIM自動(dòng)關(guān)閉。

今天的內(nèi)容就分享到這里了

審核編輯 黃宇

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