英飛凌的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎“年度影響力產品”獎項。與此同時，憑借其在碳化硅技術領域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導體年度標桿領軍企業(yè)”的榮譽。

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此外，作為功率半導體行業(yè)的領導者，英飛凌持續(xù)致力于碳化硅技術的革新與發(fā)展，推動市場向更高功率等級與更高能效水平邁進。英飛凌最新一代CoolSiC MOSFET Generation2技術，在生產工藝、技術參數及性能表現(xiàn)上相較于第一代產品有了顯著的提升。

最新推出的CoolSiC MOSFET Generation2 TO247-4封裝產品，以單個單管7毫歐的Rdson導通電阻創(chuàng)業(yè)界新低，同時保持2微秒短路承受能力的卓越表現(xiàn)，領先業(yè)界。CoolSiC MOSFET Generation2的最大工作結溫直接提升至200攝氏度，相較于第一代產品，這一提升尤為顯著，從而使其更加適配于電動汽車直流快速充電站、牽引逆變器、太陽能逆變器等高效能應用場景。Generation2系列碳化硅產品的推出，進一步體現(xiàn)了英飛凌致力于通過提供高效率產品來促進節(jié)能減排、加速低碳化進程的堅定承諾。