日前，長飛先進武漢基地項目首批設(shè)備正式搬入。

長飛先進武漢基地聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。

對于半導(dǎo)體行業(yè)而言，廠房建設(shè)一般主要分為四個階段：設(shè)備選型、設(shè)備搬入、工藝驗證及產(chǎn)品通線。

2023年8月25日，長飛先進半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶武漢新城；7天后，項目正式啟動建設(shè)。今年6月，主體結(jié)構(gòu)全面封頂。從打下第一根樁到實現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂，廠房建設(shè)耗時不到10個月，創(chuàng)造了百億級投資項目建設(shè)新速度。

本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，將為武漢基地構(gòu)建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅實根基。

JINGYANG

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