2024年12月16日，深圳市龍華區(qū)人民政府辦公室印發(fā)了《深圳市龍華區(qū)關(guān)于支持半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》（以下簡(jiǎn)稱：《若干措施》），以圍繞培育壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，打造龍華區(qū)“1+2+3”現(xiàn)代制造業(yè)產(chǎn)業(yè)體系，推動(dòng)龍華區(qū)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果加快轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力。

《若干措施》從推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展、提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力、完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系等方面列出了具體的措施。

以下是《若干措施》的具體內(nèi)容：

第一章 總則

第一條 為落實(shí)國(guó)家、省、市關(guān)于發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署，搶抓產(chǎn)業(yè)重大發(fā)展機(jī)遇，圍繞培育壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，打造龍華區(qū)“1+2+3”現(xiàn)代制造業(yè)產(chǎn)業(yè)體系，推動(dòng)龍華區(qū)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果加快轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力，根據(jù)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》《廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2021-2025年）》和深圳市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃等有關(guān)文件精神，結(jié)合龍華區(qū)實(shí)際，制定本措施。

第二條 本措施按照公開、公平、公正原則，實(shí)行總量控制、自愿申報(bào)、政府決策、社會(huì)公示。若各類項(xiàng)目審核資助金額超過資金總預(yù)算，實(shí)際資助金額按照比例執(zhí)行。

第三條 申報(bào)主體原則上必須是具有獨(dú)立法人資格及實(shí)際經(jīng)營(yíng)地在深圳市龍華區(qū)的半導(dǎo)體與集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、設(shè)備、材料、零部件、EDA/IP等企業(yè)、機(jī)構(gòu)或組織。

第二章 推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展

第四條 支持企業(yè)發(fā)展壯大。

對(duì)上年度營(yíng)業(yè)收入在5000萬(wàn)元以上且正增長(zhǎng)的企業(yè)，給予10萬(wàn)元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)。

本條政策年度資助總金額最高1000萬(wàn)元。

第五條 支持企業(yè)兼并重組。

支持企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈上下游通過兼并、收購(gòu)等多種形式開展并購(gòu)重組。對(duì)成功并購(gòu)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)（含研發(fā)機(jī)構(gòu)），且并購(gòu)金額在5000萬(wàn)元以上的，對(duì)企業(yè)實(shí)施兼并重組過程中發(fā)生的第三方法律盡調(diào)、業(yè)務(wù)評(píng)估、財(cái)務(wù)審計(jì)費(fèi)用，按照實(shí)際支出費(fèi)用的50%，給予最高500萬(wàn)元的一次性資助。

第六條 支持產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)運(yùn)營(yíng)。

對(duì)經(jīng)區(qū)產(chǎn)業(yè)主管部門評(píng)估的半導(dǎo)體與集成電路專業(yè)園區(qū)，按照上年度運(yùn)營(yíng)費(fèi)用的10%，給予園區(qū)運(yùn)營(yíng)公司每年最高100萬(wàn)元的資助。

對(duì)經(jīng)區(qū)產(chǎn)業(yè)主管部門評(píng)估的半導(dǎo)體與集成電路企業(yè)和機(jī)構(gòu)，按照上年度實(shí)際支付租金的50%，給予每年最高20萬(wàn)元、最長(zhǎng)3年的房租資助。

第三章 提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力

第七條 支持半導(dǎo)體與集成電路設(shè)計(jì)。

（一）支持EDA購(gòu)買。對(duì)購(gòu)買國(guó)產(chǎn)化EDA設(shè)計(jì)工具軟件（含軟件升級(jí)費(fèi)用）開展芯片研發(fā)的企業(yè)，按照上年度實(shí)際支出費(fèi)用的15%給予每年最高100萬(wàn)元的資助。

（二）支持IP購(gòu)買。對(duì)購(gòu)買國(guó)產(chǎn)化IP開展芯片研發(fā)的企業(yè)，按照上年度實(shí)際支出費(fèi)用的30%給予每年最高100萬(wàn)元的資助。

（三）開展MPW（多項(xiàng)目晶圓）項(xiàng)目。對(duì)開展MPW流片的企業(yè)，按照上年度MPW流片費(fèi)用的50%給予每年最高100萬(wàn)元的資助。

（四）首次工程流片。對(duì)開展首次工程流片的企業(yè)，按照上年度首次工程流片費(fèi)用的20%給予每年最高100萬(wàn)元的資助。

本條政策年度資助總金額最高1500萬(wàn)元。

第八條 支持設(shè)計(jì)工具研發(fā)。

對(duì)從事EDA軟件開發(fā)、IP工具開發(fā)的企業(yè)，按上年度研發(fā)投入的20%給予每年最高500萬(wàn)元資助。

本條政策年度資助總金額最高1000萬(wàn)元。

第九條 支持產(chǎn)品測(cè)試驗(yàn)證。

對(duì)在第三方機(jī)構(gòu)開展工程樣片、設(shè)備、材料的功能、可靠性、兼容性、失效分析等方面測(cè)試驗(yàn)證及相關(guān)認(rèn)證的企業(yè)，按照上年度實(shí)際支出費(fèi)用的15%給予每年最高100萬(wàn)元的資助。

本條政策年度資助總金額最高1000萬(wàn)元。

第十條 支持產(chǎn)品推廣應(yīng)用。

對(duì)銷售自研芯片、模組、自研化合物半導(dǎo)體材料、自研化合物半導(dǎo)體裝備等產(chǎn)品的企業(yè)，且符合龍華產(chǎn)業(yè)發(fā)展導(dǎo)向，給予每年最高250萬(wàn)元的獎(jiǎng)勵(lì)。

第四章 完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系

第十一條 降低企業(yè)用房成本。

對(duì)在廠房建設(shè)中支出千級(jí)及以下潔凈室裝修工程費(fèi)的企業(yè)，上年度建成并投入100萬(wàn)元至1000萬(wàn)元的，按照上年度實(shí)際投入費(fèi)用的30%給予最高150萬(wàn)元的一次性資助；上年度建成并投入1000萬(wàn)元以上的，按照上年度實(shí)際投入費(fèi)用的15%給予最高300萬(wàn)元的一次性資助。

本條政策年度資助總金額最高1000萬(wàn)元。

第十二條 降低企業(yè)用人成本。

對(duì)企業(yè)上年度用于支付技術(shù)研發(fā)、工程技術(shù)骨干和高級(jí)管理人員薪金的成本給予一定比例資助，按照上年度總產(chǎn)值10億元以上（含）、5億元（含）-10億元（不含）、5億元以下（不含）的企業(yè)，給予每年最高800萬(wàn)元、500萬(wàn)元、300萬(wàn)元的資助。

本條政策年度資助總金額最高2000萬(wàn)元。

第十三條 支持公共服務(wù)平臺(tái)建設(shè)運(yùn)營(yíng)。

對(duì)經(jīng)評(píng)估通過的集成電路公共服務(wù)平臺(tái)，按照自有資金投入的50%給予最高100萬(wàn)元的一次性資助；對(duì)其用房租賃，按照上年度實(shí)際支付租金的50%給予每年最高50萬(wàn)元的資助，最長(zhǎng)3年。

第十四條 支持企業(yè)融資。

對(duì)近2年獲得天使投資、風(fēng)險(xiǎn)投資、創(chuàng)業(yè)投資等基金投資入股、且單輪投資在2000萬(wàn)元以上的企業(yè)，經(jīng)評(píng)估，按本輪到位資金的5%給予最高200萬(wàn)元的獎(jiǎng)勵(lì)。獲得本條獎(jiǎng)勵(lì)后再次獲得融資的，不再給予獎(jiǎng)勵(lì)。（投資額為扣除龍華區(qū)政府股權(quán)投資基金出資部分及其子基金政府股權(quán)投資部分）

第十五條 加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)服務(wù)支撐。

鼓勵(lì)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域企業(yè)、機(jī)構(gòu)及其他組織舉辦會(huì)議會(huì)展、項(xiàng)目路演、技術(shù)論壇、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽等要素對(duì)接活動(dòng)（平臺(tái)），依法依規(guī)采取政府購(gòu)買服務(wù)方式給予支持。

第五章 附則

第十六條 為提高科技資源使用效率，為新質(zhì)生產(chǎn)力的培育與發(fā)展提供有力支撐，落實(shí)國(guó)家、省、市有關(guān)要求，對(duì)政府投入建設(shè)的科技設(shè)施與科研儀器應(yīng)按要求開放共享，具體按照《深圳市促進(jìn)重大科技基礎(chǔ)設(shè)施和大型科研儀器開放共享管理辦法》（深府辦規(guī)〔2022〕3號(hào)）等有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。

第十七條 本措施涉及資助比例和限額均為上限，實(shí)際資助比例和金額受年度預(yù)算總量控制。同一事項(xiàng)，適用于本措施，同時(shí)又適用于龍華區(qū)其它扶持政策時(shí)，企業(yè)可按照就高不就低的原則自主選擇申報(bào)，不予重復(fù)扶持。

第十八條 深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局是本措施的實(shí)施部門，按照有關(guān)規(guī)定履行職責(zé)。實(shí)施期間如遇國(guó)家、省、市、區(qū)有關(guān)政策規(guī)定調(diào)整的，可按實(shí)際情況進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。其他未盡事宜由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局開展解釋工作。

第十九條 深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局將采取不定期抽查方式，對(duì)獲資助單位異常情況進(jìn)行排查。申請(qǐng)人存在弄虛作假、隱瞞事實(shí)、串通作弊、出具虛假報(bào)告、被列入嚴(yán)重失信主體名單等情形的，根據(jù)國(guó)家、省、市、區(qū)有關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章、規(guī)范性文件的規(guī)定，深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局視情況采取責(zé)令改正、不予核查通過、停止撥付、追回專項(xiàng)資金并同步追繳孳息、追究相應(yīng)法律責(zé)任等措施。

第二十條 本措施規(guī)定的“最高”“以上”“最長(zhǎng)”“不超過”等表述未作具體說(shuō)明的均包括本數(shù)。所有項(xiàng)目的國(guó)家、省、市、區(qū)資助總額不超過項(xiàng)目實(shí)際投資總額。資助金額按萬(wàn)元計(jì)，不為整數(shù)時(shí)取兩位小數(shù)（只舍不入）。本措施中“近2年”是指申報(bào)之日（含申報(bào)之日）前2年內(nèi)，“上年度”指上一個(gè)自然年，即1月1日至12月31日。

第二十一條 本措施自2025年1月1日起施行，有效期3年。

第二十二條 適用對(duì)象主營(yíng)業(yè)務(wù)目錄。

（一）集成電路芯片設(shè)計(jì)及其服務(wù)。主要包括中央處理器（CPU）、圖形處理器（GPU）、微控制器（MCU）、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）、存儲(chǔ)器、數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、嵌入式CPU、AI芯片、通信芯片、數(shù)字電視芯片、存儲(chǔ)模組、先進(jìn)模組、多媒體芯片、信息安全和視頻監(jiān)控芯片、智能卡芯片、汽車電子芯片、工業(yè)控制芯片、智能電網(wǎng)芯片、傳感器芯片、電源管理芯片、圖像傳感器芯片、人機(jī)交互處理芯片、模擬射頻芯片、功率半導(dǎo)體芯片、功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件、光電混合集成電路等芯片設(shè)計(jì)及上述芯片產(chǎn)品的EDA設(shè)計(jì)工具研發(fā)、IP產(chǎn)品研發(fā)等。

（二）集成電路芯片制造。線寬等于及小于100納米的大規(guī)模數(shù)字集成電路制造，等于及小于0.5微米的模擬集成電路、數(shù)?；旌霞呻娐分圃斓?。

（三）集成電路芯片封裝測(cè)試。系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）、多芯片組件封裝（MCM）、芯片級(jí)封裝（CSP）、圓片級(jí)封裝（WLP）、球柵陣列封裝（BGA）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）、覆晶封裝（FlipChip）、硅通孔（TSV）、扇出晶圓級(jí)封裝（Fan-Out）、三維封裝（3D）等。

（四）半導(dǎo)體材料。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路硅片、絕緣體上硅（SOI）、化合物半導(dǎo)體材料（含SIC、GAN等第三代半導(dǎo)體材料），光刻膠、靶材、拋光液、研磨液、封裝材料等。

（五）半導(dǎo)體設(shè)備。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路生產(chǎn)線所用的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、退火設(shè)備、單晶生長(zhǎng)設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、檢測(cè)量測(cè)設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備及零部件等。

（六）半導(dǎo)體產(chǎn)品。主要包括功率器件等。

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審核編輯 黃宇