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淺談瑞盟科技·MS5612M——2.7V 到 5.5V、 12Bit、兩通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-12-26 14:54 ? 次閱讀
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產(chǎn)品簡述

MS5612M是一款12bit兩通道輸出的電壓型DAC,接口采用

三線串口模式,可以兼容TMS320、SPI、QSPI和Microwire串

口。MS5612M數(shù)據(jù)有16bit,包括控制字節(jié),和12bitDAC數(shù)據(jù)。

MS5612M電源范圍是2.7V到5.5V。內(nèi)部集成電阻串分壓輸出接

到一個AB類輸出、軌到軌輸出buffer,其增益是6dB放大輸

出,輸出bufffer提高了穩(wěn)定性且降低了建立時間。

MS5612M 采用 MSOP10 封裝。

wKgZO2ds-juARQy8AABfbnQ_Jgc503.png

主要特點

?12bit 精度

?可編程建立時間 3μs 或 9μs

?兼容 TMS320、SPI、QSPI 和 Microwire 接口

?內(nèi)部上電復(fù)位

?低功耗,5V 時 8mW,3V 時 3.6mW

?集成 REF 緩沖器

?輸出范圍是 2 倍的基準電壓

?對溫度不敏感

?軟件、硬件 Power down

?電源電壓:2.7V?5.5V

應(yīng)用

?數(shù)字伺服系統(tǒng)控制

?數(shù)字補償和增益調(diào)節(jié)

?工業(yè)過程控制

?機械和移動控制設(shè)備

?大容量存儲設(shè)備

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgZO2ds-n6ARxGkAAAiEdpCCQM249.png

管腳圖

wKgZPGds-o2ASMEbAABG8EkuECw009.png

管腳說明

wKgZO2ds-pyAckcXAADjo_-Xfxk095.png

內(nèi)部框圖

wKgZPGds-qiAJMrNAACxo2Kuh5g672.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會對器件造成永久的損壞,芯片長時間處于極限工作

狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZO2ds-sqAUpbyAACWqBLFHb4544.png

推薦工作條件

wKgZPGds-uKAbeUuAADQLY8cdNU890.png

電氣參數(shù)

wKgZO2ds-5KAfDiVAAC_veGXgko557.png

注:2. 積分非線性(INL)指線性誤差,是除去零點誤差和滿幅誤差的輸出相對于理想輸出的最大偏差。

3. 微分非線性(DNL)即微分誤差,指毗鄰 LSB 的最大幅度變化。

4. 零點失調(diào)指數(shù)字輸入為零時的模擬輸出。

5. 零點失調(diào)溫漂指數(shù)字輸入為零時的模擬輸出的隨溫度的變化。

6. 增益誤差指除去零點失調(diào)之后模擬輸出和理想輸出的偏差。

7. 增益誤差溫漂指除去零點失調(diào)之后模擬輸出和理想輸出的偏差隨溫度的變化。

8. 零點電源抑制比指當數(shù)字輸入全零時,VDD 變化 5 ± 0.5 V 和 3 ± 0.3 導(dǎo)致輸出的變化比。

9. 滿幅輸出電源抑制比指當數(shù)字輸入全高電平時,VDD 變化 5 ± 0.5 V 和 3 ± 0.3 導(dǎo)致輸出的變化比。

wKgZO2ds-6CAI_8IAAEmUfHAwig157.png

wKgZPGds-66AD6N9AAHJmmHrNak602.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGds-7iAKDobAAF8xvAKd6c758.png

典型曲線圖

wKgZPGds-82AGPzBAAECN9S2RdY628.png

應(yīng)用說明

MS5612M 是一個 12bit 單電源的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,其架構(gòu)采用電阻陣列結(jié)構(gòu),集成了串行接口、速率

和關(guān)斷邏輯控制、基準輸入緩沖器、電阻串和輸出軌到軌放大器

輸出電壓可以表示為:

wKgZO2ds_BeAKxDbAAEEWDpujk4929.png

電源供電旁路和地管理

為了提高系統(tǒng)性能,PCB 設(shè)計時應(yīng)將模擬地和數(shù)字地分別接不同的地連接層,兩個地板面應(yīng)在系

統(tǒng)的低阻抗節(jié)點處連接在一起。最好將 DAC 的 AGND 連到系統(tǒng)的模擬地,以確保模擬地電流能夠很好

的管理,且模擬地連接線的的壓降可忽略。

芯片電源和地之間應(yīng)接 0.1μF 的陶瓷去耦電容,且安裝在離芯片盡可能近的地方。使用磁環(huán)可進

一步將系統(tǒng)的模擬電源和數(shù)字電源分開。

封裝外形圖

wKgZPGds_DeAWGViAAD9QSu0FBI228.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

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