PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。

隨著全球脫碳投入的不斷加大，預(yù)計到 2030 年，每年的投資額將達到 5萬億美元[資料來源：國際電工委員會(IEC)]，功率半導(dǎo)體及相關(guān)系統(tǒng)在發(fā)電、輸電和用電方面的作用日益重要，其應(yīng)用領(lǐng)域包括風能和太陽能、各種電動交通工具、數(shù)據(jù)中心、照明和消費產(chǎn)品。在過去的50年中，高壓、大電流電功率開關(guān)技術(shù)從晶閘管發(fā)展到 IGBT，現(xiàn)在又過渡到所謂的“寬禁帶”材料，其中最具商業(yè)影響的是碳化硅。但除了重要性之外，碳化硅還相對容易制造，并且是大型半導(dǎo)體公司的一個相當明顯的發(fā)展策略。因此，過去 5年來，大量的產(chǎn)能上線，導(dǎo)致全球材料供應(yīng)過剩。

碳化硅的全球投資回報率可能不會提高，因為新技術(shù)正在緊隨其后——氮化鎵就是這樣一種顛覆性技術(shù)。氮化鎵不僅在性能上優(yōu)于碳化硅，其制造成本也更低，因為它不需要高溫處理，因此所需的設(shè)備更便宜，代工廠的電費也更低。氮化鎵的一個弱點是其耐壓性能較低，這使得該技術(shù)僅限于消費類產(chǎn)品和市電應(yīng)用場合，如手機充電器、電視機和家電偏置電源。這個問題直到今天仍未解決。

Power Integrations 正在加速研發(fā)，以高壓氮化鎵取代碳化硅，近年來已發(fā)布了基于 750V、900V、1250V 和1700V 氮化鎵的產(chǎn)品，同時持續(xù)致力于更高電壓產(chǎn)品的研發(fā)。本次直播從更高的視角闡明了氮化鎵與碳化硅和 IGBT 的性能對比，并提出了該技術(shù)未來的商業(yè)路線圖。