眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器FM25V20A具有傳統(tǒng)的FLASH存儲(chǔ)器和EEPROM難以實(shí)現(xiàn)的高速性、低功耗和高耐久性等特點(diǎn)，在各行業(yè)擁有豐富應(yīng)用，如今國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20以其出色的性能成為了可以對(duì)標(biāo)甚至超越FM25V20A的有力選擇。接下來(lái)我們就來(lái)分析一下FM25V20A和SF25C20各自的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)。

舜銘存儲(chǔ)的SF25C20是一顆新型鐵電存儲(chǔ)器，芯片的配置為262,144×8 位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。該芯片中使用的存儲(chǔ)單元可用于1E11次讀/寫(xiě)操作，它的讀/寫(xiě)耐久性大大超過(guò)FLASH和EEPROM，且不會(huì)像FLASH或EEPROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間，而且它不需要等待時(shí)間。

FM25V20A是一種采用先進(jìn)鐵電工藝的2M非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是非易失性的，讀寫(xiě)操作類似于RAM。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V20A在總線速度下執(zhí)行寫(xiě)入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫(xiě)入延遲。此外，該產(chǎn)品與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，具有顯著的寫(xiě)入耐久性。

以下是FM25V20A和SF25C20具體參數(shù)一覽表：

總結(jié)：從以上對(duì)比可以看出，舜銘存儲(chǔ)SF25C20是一款可以很好的替代FM25V20A的鐵電存儲(chǔ)器，SF25C20為國(guó)產(chǎn)芯片，在成本上相比進(jìn)口的 FM25V20A 具有一定的優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，SF25C20 的供貨穩(wěn)定性和及時(shí)性更有保障。在具體的替換過(guò)程中，國(guó)芯思辰可全程提供技術(shù)支持。

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