來源：北京半導(dǎo)體協(xié)會

2024年全球半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷了先前的低迷之后，開始呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢。根據(jù)SEMI報告顯示，全球半導(dǎo)體制造材料2023年市場規(guī)模約166億美元。雖然下游市場在2023年略顯疲軟，但已于2024年開始逐漸回暖，代工廠稼動率也逐步提升，帶動全球半導(dǎo)體制造材料市場擴大。并且，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)能向國內(nèi)遷徙，新晶圓廠項目的啟動和技術(shù)升級，也利好本土半導(dǎo)體材料，帶動需求逐漸復(fù)蘇。

SEMI全球營銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵時刻，擴產(chǎn)投資正在推動先進與主流技術(shù)的發(fā)展，以滿足全球產(chǎn)業(yè)不斷演進的需求。他指出，生成式AI與高效能運算正在推動先進邏輯與存儲器領(lǐng)域的進步，而主流制程則繼續(xù)支撐汽車、物聯(lián)網(wǎng)和功率電子類別等關(guān)鍵應(yīng)用。

鑒于美國、日本及荷蘭聯(lián)合對中國大陸實施的半導(dǎo)體設(shè)備進口制裁，中國大陸在先進制程領(lǐng)域的產(chǎn)能擴張速度有所放緩。而成熟制程的擴產(chǎn)仍占據(jù)主流地位，為國產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商切入提供機遇。

材料國產(chǎn)化率仍在進一步提升

2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的年增長率將達到6.6%，每月3360萬片晶圓，而主流制程產(chǎn)能將實現(xiàn)6%的增長，達到每月1500萬片。相較于先進制程，成熟制程的工藝制程節(jié)點較低，對半導(dǎo)體材料的工藝需求處于中等水平，這為國產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商提供了難得的契機，有望借此機會推動其產(chǎn)品進入供應(yīng)鏈體系。

半導(dǎo)體材料多而雜，目前國產(chǎn)化率仍偏低，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)據(jù)統(tǒng)計，CMP拋光材料、光刻膠和電子氣體等是國內(nèi)薄弱及“卡脖子”環(huán)節(jié)，國產(chǎn)化率不足30%，市場空間仍舊廣闊。

其中，2022年硅片國產(chǎn)化率僅為9%，至2024年8英寸硅片國產(chǎn)化率達55%，但12英寸硅片國產(chǎn)化率相對較低，為10%。8英寸硅材料在車規(guī)級、電子消費品等領(lǐng)域市場需求相對穩(wěn)定，12英寸硅片廣泛應(yīng)用于邏輯與存儲芯片等制造領(lǐng)域。AI、高性能計算等新興技術(shù)的發(fā)展，極大地推動了12英寸硅材料的需求。信越化學(xué)表示，在AI需求推動下，12英寸產(chǎn)品出貨量自2024年7月以后逐步增加。

光掩膜則開始向晶圓廠商自產(chǎn)為主轉(zhuǎn)變。28nm及以下的先進制程晶圓制造工藝復(fù)雜且難度大，用于芯片制造的掩模版涉及晶圓制造廠的重要工藝機密，自制掩模版可防止技術(shù)泄露，如英特爾、三星、臺積電、中芯國際等先進制程晶圓制造廠商的掩模版均主要由自制掩模版部門提供。對于大規(guī)模晶圓廠商，長期來看，自產(chǎn)光掩模可減少采購中間環(huán)節(jié)成本，且能更好地與自身生產(chǎn)流程匹配，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

整體光刻膠高端國產(chǎn)化率約10%，由于市場規(guī)模和利潤率都偏小，商業(yè)模式上依舊困難。從產(chǎn)品細分來看，半導(dǎo)體端g/i線光刻膠國產(chǎn)化率為30%，krf光刻膠國產(chǎn)化率為10%，arf光刻膠國產(chǎn)化率為2%，euv光刻膠還處于研發(fā)階段。雖然國內(nèi)光刻膠企業(yè)數(shù)量眾多，但規(guī)模普遍較小，缺乏整合和協(xié)同，這不利于形成規(guī)模效應(yīng)，降低成本，提高競爭力。

濺射靶材當前的國產(chǎn)化程度已經(jīng)非常高，江豐電子作為具備國際競爭力的超高純靶材供應(yīng)商，產(chǎn)品全面覆蓋先進制程、成熟制程和特色工藝領(lǐng)域，其在晶圓制造靶材領(lǐng)域市占率達到38%。

產(chǎn)能擴張、存儲芯片升級和先進制程推動也影響著CMP拋光材料的需求。如14nm以下邏輯芯片工藝要求的關(guān)鍵CMP工藝將達到20步以上，7nm及以下邏輯芯片工藝中CMP拋光步驟可能達到30步，使用拋光液種類接近30種，存儲芯片由2D NAND向3D NAND演進，也推動CMP工藝步驟近乎翻倍。

全球半導(dǎo)體封裝材料市場在經(jīng)歷2023年下滑后，2024年開始恢復(fù)增長，預(yù)計到2028年復(fù)合年增長率（CAGR）為5.6%。2024年中國封裝材料市場規(guī)模約490億元，同比增長0.9%

2025年，封裝材料朝著更小、更薄、更高性能的方向發(fā)展，如為滿足2.5D、3D、先進半導(dǎo)體封裝等先進封裝技術(shù)，對介電材料等封裝材料在低介電常數(shù)、CTE匹配、機械特性等方面提出了更高要求。我國在引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲等方面也均實現(xiàn)了較高的國產(chǎn)替代率。

并購頻發(fā)，硅片廠商領(lǐng)銜

2024年以來，有7家半導(dǎo)體材料公司發(fā)起并購，其中3家為上游硅片廠商，分別是立昂微、TCL中環(huán)，和有研硅；2家為半導(dǎo)體制造設(shè)備提供原材料，為中巨芯和艾森股份；另外2家是提供半導(dǎo)體封裝原材料的公司，華威電子起先和德邦科技接洽并購，宣告失敗后轉(zhuǎn)向華海誠科，目前華海誠科定增收購華威電子70%股權(quán)正在進展中。

2024年11月2日，有研硅擬收購DGT70%股權(quán)（日企），DGT主要從事刻蝕設(shè)備用部件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，有研硅生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備用硅材料是DGT生產(chǎn)刻蝕設(shè)備部件的主要原料，已達成轉(zhuǎn)讓意向；11月27日，TCL中環(huán)收購Maxeon旗下相關(guān)公司股權(quán)及資產(chǎn)，Maxeon擁有多項電池和組件專利技術(shù)、品牌和渠道優(yōu)勢，此次交易能整合海外制造和渠道資源，提升TCL中環(huán)全球化業(yè)務(wù)運營能力；12月3日，立昂微子公司以1.47億元收購嘉興康晶公司16.65%股權(quán)，屬于擴充產(chǎn)品線類型，涉及功率器件領(lǐng)域，已通過股東大會。

中巨芯在2024年收購半導(dǎo)體高純石英材料制造商Heraeus Conamic UK Limited 100%股權(quán)，Heraeus Conamic UK Limited的產(chǎn)品涵蓋天然熔融石英和合成熔融石英等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體刻蝕工藝和光學(xué)應(yīng)用；艾森股份公告計劃以自有資金通過其新加坡全資子公司INOFINE PTE. LTD.收購馬來西亞INOFINE公司（全稱為 INOFINE CHEMICALS SDN BHD）的80%股權(quán)，雙方在濕電子化學(xué)品業(yè)務(wù)上的融合，可實現(xiàn)技術(shù)、產(chǎn)品等方面的協(xié)同。

華海誠科與華威電子分居半導(dǎo)體環(huán)氧塑封料國內(nèi)廠商出貨量第二與第一位，收購?fù)瓿珊?，新公司在半?dǎo)體環(huán)氧模塑料領(lǐng)域的年產(chǎn)銷量有望突破25,000噸，穩(wěn)居國內(nèi)廠商龍頭地位，并躍居全球第二位，使得行業(yè)集中度進一步提升。

2025年初，也已有大瑞科技、陽谷華泰、羅博特科等材料公司陸續(xù)發(fā)生收購行為。不同企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的不同環(huán)節(jié)或技術(shù)領(lǐng)域各有優(yōu)勢，通過收購可以實現(xiàn)技術(shù)資源的整合，發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)，加速技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級，提升整體技術(shù)水平。

我國限制關(guān)鍵半導(dǎo)體原材料出口反制制裁

中國對關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制正在對供應(yīng)鏈造成沖擊，歐美開始擔心先進芯片和光學(xué)硬件可能出現(xiàn)的短缺。

據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局稱，中國生產(chǎn)了全球98%的鎵和60%的鍺。自去年7月以來，我國為了應(yīng)對美國出口制裁，保護國家安全和利益，對這些礦物實施了出口限制，導(dǎo)致它們在歐洲的價格在過去一年里上漲了近一倍。

鎵和鍺對于半導(dǎo)體應(yīng)用、軍事和通訊設(shè)備至關(guān)重要。它們是生產(chǎn)先進微處理器、光纖產(chǎn)品和夜視鏡的必備材料，因此我國政府持續(xù)實施的出口限制可能會阻礙這些產(chǎn)品的生產(chǎn)。

與此同時，我國政府近期宣布了新的銻出口限制。銻用于制造穿甲彈、夜視鏡和精密光學(xué)元件。

此前，中國政府已對石墨和稀土提取和分離技術(shù)實施出口管制。根據(jù)規(guī)定，每批貨物都需要獲得批準，整個過程需要30到80天，而且存在不確定性，因此簽訂長期供應(yīng)合同并不切實際。申請必須明確買方和預(yù)期用途。

半導(dǎo)體材料行業(yè)消息人士的話稱，我國正利用這些限制來追趕美國和其他半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先者。鑒于目前的全球形勢和中美關(guān)系，當局似乎并沒有放松出口管制的動機。

展望總結(jié)

總的來說，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇，晶圓廠稼動率提高，各類電子產(chǎn)品如智能手機、計算機、汽車電子等對半導(dǎo)體元件需求持續(xù)旺盛，進而帶動對半導(dǎo)體材料的需求增長。特別是 AI芯片的爆發(fā)性增長，對高性能半導(dǎo)體材料的需求更為迫切。我國對關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制，使全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)格局發(fā)生變化，部分材料供應(yīng)趨緊，一些企業(yè)會通過尋找多元供應(yīng)渠道、加大自身研發(fā)生產(chǎn)力度等方式來保障供應(yīng)。

全球半導(dǎo)體材料市場競爭將更加激烈。一方面，國際巨頭企業(yè)憑借技術(shù)、品牌和市場份額優(yōu)勢，繼續(xù)在高端市場占據(jù)主導(dǎo)地位；另一方面，中國、韓國等國家和地區(qū)的企業(yè)不斷加大研發(fā)投入和產(chǎn)能擴張，在中低端市場和部分高端領(lǐng)域與國際企業(yè)展開競爭。

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審核編輯 黃宇