GaNFast和GeneSiC技術為戴爾AI筆記本電腦打造便攜、高效和可持續(xù)的60-360W適配器

近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

憑借20多年在碳化硅技術領域的領先地位，納微半導體的GeneSiC憑借由其獨家“溝槽輔助平面柵”技術打造的性能領先的MOSFET和第五代GeneSiC碳化硅二極管，其專有的薄片技術可以很好地提升散熱性能，帶來高頻、高效的性能表現(xiàn)。

納微半導體的GaNFast氮化鎵功率芯片則能實現(xiàn)高頻、高效的功率轉(zhuǎn)換。與采用傳統(tǒng)硅基功率器件的舊方案相比，新設計在體積和重量減半的情況下，功率與充電速度提升至3倍。

納微半導體的氮化鎵與碳化硅技術共同助力戴爾打造出兼具高速充電、超高效率、低溫運行、極致緊湊與精簡物料的高性能適配器。戴爾最新AI筆記本系列搭載專用神經(jīng)處理單元（NPU），可持久管理AI運算負載，配合納微為其打造的行業(yè)最廣泛的氮化鎵適配器產(chǎn)品組合，戴爾將進一步鞏固其技術領先地位。

這些新型適配器還有助于戴爾實現(xiàn)其先進的可持續(xù)發(fā)展目標，特別是在碳減排和節(jié)能方面。適配器外殼由再生材料制成，且所需的塑料減少了多達50%，顯著減少了能源浪費，提高了資源利用率。

納微半導體的GaNFast和GeneSiC技術有助于提高系統(tǒng)集成度和開關頻率，減少了無源器件的數(shù)量和產(chǎn)品尺寸，從“去物質(zhì)化”的角度在生產(chǎn)、包裝和物流過程中降低了碳足跡。

與傳統(tǒng)硅功率芯片相比，每出貨一顆GaNFast氮化鎵功率芯片可節(jié)省4kg二氧化碳排放，每出貨一顆碳化硅MOSFET可節(jié)省25kg二氧化碳排放。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示，“自2020年為戴爾的首款氮化鎵適配器提供技術支持以來，納微半導體一直與戴爾的工程團隊緊密合作，進一步提升充電速度、效率，縮小尺寸、減輕重量，如今還降低了對環(huán)境的影響。

戴爾的新型適配器是兼顧速度、便攜性和可持續(xù)性的最佳解決方案。我們的客戶通過采用納微的GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC功率器件，實現(xiàn)了市場效益與環(huán)境保護的雙贏。”

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。