LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊，通過(guò)外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。此器件可用于評(píng)估 LMG2100R026 作為硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器在效率、開(kāi)關(guān)速度和 dv/dt（斜率）等樣本測(cè)量方面的性能。該 EVM 配備一個(gè)由 90V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）半橋柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的 LMG2100R026 半橋功率模塊，該模塊集成了兩個(gè) 100V、2.6mΩ 的 GaN FET。如果應(yīng)用實(shí)施了充分的熱管理（監(jiān)控外殼溫度，并在需要時(shí)驗(yàn)證是否有足夠的氣流），該模塊可提供高達(dá) 40A 的電流。熱管理考慮因素包括強(qiáng)制風(fēng)冷、散熱器和降低工作頻率，以盡量減少模塊中的功率損耗。由于這是一個(gè)帶有外部 PWM 信號(hào)的開(kāi)環(huán)板，請(qǐng)勿使用它來(lái)評(píng)估瞬態(tài)響應(yīng)。
*附件：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊.pdf

特性

• 輸入電壓最高可達(dá) 90V 直流
• 集成 100V、2.6mΩ 的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）及驅(qū)動(dòng)器 ——LMG2100R026
• 可通過(guò)單路或雙路 PWM 信號(hào)進(jìn)行開(kāi)環(huán)控制
• 單輸入，板載 PWM 信號(hào)具有 8ns 死區(qū)時(shí)間
• 可通過(guò)簡(jiǎn)單的電阻更改在板上進(jìn)行死區(qū)時(shí)間調(diào)整
• 板載低壓差穩(wěn)壓器（LDO），用于從不穩(wěn)定電源（5.5V 至 10V 之間）生成 5V VCC 電源
• 具備開(kāi)爾文檢測(cè)功能，用于效率測(cè)量
• 可使用沿自舉（Cboot）和 VCC 的串聯(lián)電阻對(duì)輸入和輸出電壓進(jìn)行斜率調(diào)整
  

應(yīng)用

• 高速同步降壓 / 升壓轉(zhuǎn)換器
• 太陽(yáng)能功率優(yōu)化器、微型逆變器
• 音頻 D 類(lèi)功率放大器
• 工業(yè) 48V 負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• 電源工具
• 電信和服務(wù)器電源