SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準，無鹵且符合RoHS標準。產品具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作等特性，有助于提升系統(tǒng)效率，降低散熱需求，在并聯(lián)使用時也不會出現(xiàn)熱失控問題。可應用于消費類開關模式電源（SMPS）、功率因數(shù)校正（PFC）或DC/DC 階段的升壓二極管以及 AC/DC 轉換器等領域。
碳化硅（SiC）屬于第三代半導體，派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級和更低的漏電流，大大提升了系統(tǒng)效率，特別適合在高壓高頻條件下工作。同時解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復損耗較大的問題，碳化硅二極管成本相對較低，已經廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應不同應用場景。
*附件：SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特征
- 符合AECQ-101
- 100%UIS測試
- 極小的反向恢復損耗
- 優(yōu)異的高溫特性
優(yōu)勢
- 優(yōu)異的性能
- 減小系統(tǒng)體積
- 提升整體效率
- 減小散熱面積
- 車規(guī)級器件
- 降低系統(tǒng)成本
- 降低電磁干擾
應用領域
- 光伏逆變器系統(tǒng)
- 充電器
熱特性
典型性能
封裝外形
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