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DAC 與 ADC:數(shù)字與模擬的往復之旅

KiCad ? 來源:KiCad ? 作者:KiCad ? 2025-03-24 11:17 ? 次閱讀
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解析數(shù)模轉換器模數(shù)轉換器工作原理——從電阻階梯網(wǎng)絡到Delta-Sigma調(diào)制技術。

微控制器正在“吞噬”整個世界。如今,即使是閃爍LED等最基礎的任務,使用微控制器也比用分立元件搭建振蕩電路或依賴曾經(jīng)無處不在的555定時器芯片更便宜、更簡單。

然而,在這個日益由軟件定義的世界中,0和1并非萬能。圖像傳感器將光強記錄為一系列模擬值;播放音樂的揚聲器,其振膜需要移動到除了“完全向內(nèi)”和“完全向外”之外的多種位置。最終,幾乎所有復雜的數(shù)字電路都需要專門的數(shù)模轉換器DAC)和模數(shù)轉換器(ADC)來連接物理世界。這些轉換器通常集成在微控制器的芯片中,但其原理仍值得探究。

簡單的數(shù)模轉換器(DAC)

數(shù)字信號轉換為模擬信號的核心在于將一定位長的二進制數(shù)映射為量化輸出電壓范圍。例如,一個4位DAC有16種可能的輸出電壓,其典型行為如下:

0000(0) =0V 0001 (1) =1/15Vdd 0010 (2) =2/15Vdd 0011 (3) =3/15Vdd ...1111(15) = Vdd 
實現(xiàn)此類轉換的最簡單方法是基于電阻的二進制加權DAC:

wKgZPGfgz2KATFLlAADTC60b7RA143.png

顯然,當二進制輸入為0000時,模擬輸出應為0V;反之,若輸入為1111,則輸出必須達到Vdd。對于中間數(shù)值的輸入,我們應獲得電阻加權平均值,其中每個比特位的影響權重是其高位比特的一半。這種特性與二進制數(shù)的工作原理完美契合。

我們可對此進行更嚴謹?shù)?a target="_blank">電路分析。以輸入值 0001 為例:此時高位三個電阻(比特位#1、#2和#3)并聯(lián)接地,其等效電阻值為:

wKgZPGfgz2KAFlO6AAAQLNdvzf0373.png

而最低有效位(LSB)對應的電阻則連接至 Vdd。整個電路可視為由兩個串聯(lián)電阻構成的Vdd-地分壓網(wǎng)絡,其輸出電壓為:

wKgZPGfgz2KAR7-MAAASx2FGLv4915.png

類似地,當輸入為 1110(十進制14)時,輸出電壓Vout ≈ 14/15 Vdd。這與我們期望的線性響應特性完全吻合。

該 DAC 架構的主要缺陷在于所需電阻值很快會變得不切實際。為避免靜態(tài)電流過大,最高有效位(MSB)對應的電阻值不能過低(1 kΩ是合理的起始值)。但對于16位DAC而言,這意味著最低有效位電阻需達到 1 kΩ × 21? ≈ 32 MΩ;若實現(xiàn)24位分辨率,則需數(shù)吉歐姆(GΩ)量級的電阻。在集成電路晶圓上制造如此高精度的大阻值電阻極具挑戰(zhàn)性,若還要求其具備相同的溫度系數(shù),則難度更甚。

針對這一難題,工程師提出了巧妙的 R-2R 梯形 DAC 架構解決方案:

wKgZPGfgz2KAFgnGAAFvCeB5WLQ117.png

相較于傳統(tǒng)架構,這種 R-2R 梯形電路的沒那么直觀,但其工作原理具有相似性。為解析其設計邏輯,我們從最底層結構入手:即位于比特位#0處的兩個水平放置的電阻。這兩個電阻向電路其余部分提供等量電流,因此其功能等效于一個連接在合成輸入電壓上的 1 kΩ電阻。該合成電壓的取值邏輯為:當 LSB=0 時等于0V,LSB=1 時等于 Vdd/2。換言之,比特位#0的輸入信號在此處被壓縮為50%的權重。

通過這種等效替換,我們得到左圖所示的簡化電路。進一步觀察,底層結構中兩個串聯(lián)的1 kΩ電阻(紅色標注)可等效為右圖中的單個2 kΩ電阻:

wKgZPGfgz2KAK3FdAAB_TtfvGeI320.jpg

此時可發(fā)現(xiàn),新電路中比特位#1的配置情況與先前對比特位#0的分析具有相似性。其底層結構包含一個連接對應二進制輸入的 2 kΩ 電阻,以及另一個連接前級合成電壓的 2 kΩ 電阻。實際上,該結構實現(xiàn)了兩種信號的50%混合效應。無論上層電路如何變化,此部分均可等效替換為連接新合成輸入信號的單個 1 kΩ 電阻:

wKgZPGfgz2KAFl5WAADwOf4-bt0430.png

此迭代過程可持續(xù)推進。最終可明確推導出:輸出電壓將由比特位#3貢獻50%,比特位#2貢獻25%,比特位#1貢獻12.5%,比特位#0貢獻6.25%。

(需說明的是,上述權重之和未達100%,因為梯形結構底部的初始下拉電阻會損耗部分電壓區(qū)間。)

過采樣DAC

盡管前文討論的架構簡潔優(yōu)雅,但在高分辨率(尤其是超過10-12位)場景下會面臨線性度挑戰(zhàn)。雖然電阻元件精度可達0.1%級別,但在16位數(shù)模轉換器中,最低有效位(LSB)的理論影響權重僅為最高有效位(MSB)的0.003%。若MSB電阻值與設計值存在0.1%偏差,就足以導致整個系統(tǒng)的線性度嚴重劣化。

這一困境催生了過采樣平均型DAC的研發(fā)。此類器件通過高頻輸出低分辨率交替信號,隨后利用輸出端的低通濾波器對信號進行平均化處理,從而生成更精細的低頻中間電壓。

舉例說明:對四個連續(xù)的單比特DAC輸出進行平均處理,可在原生輸出范圍間插入三個中間電壓值,相當于獲得兩位有效精度提升:

平均(0,0,0,0)=0平均(0,0,0,1)=0.25平均(0,1,0,1)=0.5平均(0,1,1,1)=0.75平均(1,1,1,1)=1

當然,這種方案需要付出代價:部分高頻噪聲難以被濾波器完全抑制。盡管如此,該方案整體上相當穩(wěn)健。事實上,消費級音頻設備中大量DAC采用單比特脈沖序列(工作頻率達數(shù)十萬赫茲)來實現(xiàn)宣稱的24位輸出分辨率。雖然電路本底噪聲往往使該指標的實際意義有限,但單比特DAC的線性度表現(xiàn)極佳——因為精確時序控制遠比制造超精密電阻容易實現(xiàn)。

經(jīng)典模數(shù)轉換器(ADC)

相較于數(shù)模轉換,將模擬電壓轉換為二進制數(shù)的過程更為復雜。要實現(xiàn)精準的瞬時電壓量化,唯一實用的方法是針對每個量化層級配置獨立的電壓比較器(開環(huán)運算放大器),例如:

wKgZPGfgz2KAGkytAADTNn4YB-o743.jpg

并聯(lián)比較型ADC(也叫"flash" ADC)在需要極致速度的特殊場景中偶有應用,但其電路規(guī)模隨位數(shù)呈指數(shù)級增長——芯片功耗、輸入電容等參數(shù)隨之急劇惡化。因此這類ADC的分辨率通常不超過4-8位。

更常見的架構是采用單一比較器與可預測變化的參考電壓協(xié)同工作。一個基礎實例是通過電阻對電容充電的電路:通過測量充電開始到比較器觸發(fā)的時間間隔,即可反推出輸入電壓值。

實踐中,由于電容恒壓充電曲線具有非線性特性,通常改用積分器電路生成參考信號:

wKgZPGfgz2KAQ187AABNMTxyPoM099.jpg

積分器是在標準運放電路中引入一個有趣的微調(diào):用反饋電容替代常規(guī)反饋電阻。當反相輸入端(Vin-)電壓高于同相端(Vin+)時,運放輸出端電壓立即下降,允許充電電流流經(jīng)電阻 R 對電容充電。

該反饋機制的核心是維持 Vin- 與 Vin+ 電位相等。根據(jù)歐姆定律,在固定輸入電阻下,充電電流僅由輸入電壓和電阻 R 決定。當充電電流恒定時,電容電壓呈線性上升特性。若輸入方波信號,積分器將輸出近乎完美的三角波,這為ADC提供了極為理想的線性參考信號。

充電開始到比較器觸發(fā)的時間間隔不僅取決于輸入電壓,還與三角波斜率相關,而斜率本身受 R 和 C 參數(shù)精度制約。為提高精度,ADC 需測量三角波多個周期內(nèi)比較器輸出信號的占空比。例如,25% 占空比意味著被測電壓處于 Vdd 的 75% 處,該測量結果與R、C精度無關。

基于斜率積分的 ADC 具備高精度與低噪聲優(yōu)勢,但存在轉換速度緩慢的缺陷。性能優(yōu)化的解決方案是采用數(shù)字輔助技術:即逐次逼近寄存器(SAR)架構。其核心原理是通過內(nèi)置 DAC 生成參考電壓,并執(zhí)行類似計算機科學中二分查找的算法:首先將輸入電壓與 Vdd/2 比較,若輸入更高則排除下半?yún)^(qū)間,隨后在剩余區(qū)間的中值(3/4 Vdd)處進行下一輪比較。通過逐次對半壓縮搜索范圍,僅需數(shù)次迭代即可鎖定精確值。代價是受DAC線性誤差影響存在精度損失,且數(shù)字開關噪聲有所增加。

高端("流水線")ADC常采用多技術融合方案:例如先通過 "flash" ADC 架構快速確定部分高位,再通過多級縮放與轉換處理獲取更多低位數(shù)據(jù)。

Delta-sigma(Δ-Σ) ADC

至此,ADC技術已展現(xiàn)出多樣化的實現(xiàn)路徑,但最精妙的方案當屬高頻插值法,通常采用 Δ-Σ(Delta-Sigma)調(diào)制技術。其工作機制頗具反常規(guī)特性。

基礎型1位Δ-Σ ADC通過比較器級高速輸出"0"或"1"邏輯脈沖序列。這些數(shù)字輸出被引入特殊反饋回路,用于計算二進制輸出與輸入信號的差異:

wKgZPGfgz2KAF04aAABFrenFw0g945.jpg

簡化版1位Δ-Σ ADC架構示意圖(時鐘信號省略)

在多數(shù)情況下,模擬輸入電壓并不等于數(shù)字輸出的兩種可能電壓值,因此位于Δ-Σ ADC前端(左圖)的增益為1的運放會輸出瞬時大幅正向或負向誤差電壓。

這些瞬時誤差隨后輸入積分器。如本文前文所述,積分器通過對誤差進行時間積分(將累計值存儲在線性充電的電容中)實現(xiàn)誤差累積。若輸入信號正向偏離脈沖序列的平均值,積分器輸出電壓將逐步攀升;反之則逐漸下降。

該累計誤差最終輸入至產(chǎn)生實際輸出比特流的正相端比較器。其核心邏輯在于:若誤差為正(即ADC輸出"0"過多),比較器將強制輸出"1";反之若累計誤差為負(輸出"1"過多),則轉向輸出"0":

wKgZPGfgz2OAMfxJAAEbhk3T4FA738.jpg

一階Δ-Σ ADC典型工作波形

盡管這種測量方式看似非理性,但通過數(shù)字處理看似混沌的高頻脈沖占空比,即可精確反推出模擬輸入值。該架構的最大優(yōu)勢在于模擬誤差源極少,因此線性度表現(xiàn)卓越。代價則是為實現(xiàn)合理精度,ADC工作時鐘頻率需遠高于目標采樣率。

需特別說明的是,"Δ-Σ"術語也用于指代前文所述的過采樣插值型DAC子類。但與ADC相比,這類DAC的智能程度顯著降低:其脈沖調(diào)制主要發(fā)生在數(shù)字域,缺乏精妙的模擬反饋機制。

原文轉載自:https://lcamtuf.substack.com/p/dacs-and-adcs-or-there-and-back-again,經(jīng)過翻譯及校驗

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