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安泰高壓放大器在壓電薄膜變形鏡加工及閉環(huán)實驗中的應用

測試技術(shù)分享 ? 來源:測試技術(shù)分享 ? 作者:測試技術(shù)分享 ? 2025-04-01 11:29 ? 次閱讀
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實驗名稱:壓電薄膜變形鏡加工及閉環(huán)實驗

測試設(shè)備:高壓放大器、波前傳感器、壓電薄膜變形鏡等。

實驗過程:

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圖1:(a)加工變形鏡的示意圖(b)變形鏡實物圖

根據(jù)優(yōu)化設(shè)計加工了尺寸為100*100mm的壓電薄膜變形鏡,如圖1所示,襯底層厚度為5mm,壓電層厚度為0.4mm,電極分布為8*8,單個電極尺寸9*9mm。

由于基底與陶瓷片粘結(jié)、電極分割等工藝過程會引入頻率較高、梯度較大的面形變化,需要將粘結(jié)和電極分割過程提前到冷加工之前。此外,為了保證面形的穩(wěn)定性,在冷加工前需要加入退應力的工藝環(huán)節(jié),加工出來的PFDM樣件如圖1(b)所示。

wKgZO2frXaGAVm5KAAFIANIavDw678.png

圖2:(a)100*100mm單元PFDM樣件實物照片(b)100V驅(qū)動電壓下測量得到64個驅(qū)動單元的響應函數(shù)

搭建實如圖2(a)所示的實驗平臺,依次對64個驅(qū)動單元施加100V電壓,獲得個64驅(qū)動單元的響應函數(shù),如圖(b)所示,響應函數(shù)的一致性較好。配套相應的高壓放大器、波前傳感器及閉環(huán)控制軟件開展了聯(lián)機波前閉環(huán)校正實驗。閉環(huán)校正前的波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ,閉環(huán)校正后的波前畸變P_V值為0.36λ,RMS為0.1λ,閉環(huán)效果較好,如圖3(a)和(b)所示。

wKgZPGfrXaGAbGuPAAG2iVinaiE818.png

圖3:(a)閉環(huán)校正前波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ。(b)閉環(huán)校正后波前畸變P_V值為0.36λ,RMS為0.1λ

實驗結(jié)果:

對壓電薄膜變形鏡樣件進行了實驗研究,閉環(huán)效果較好,對響函做本征模式分析,認為變形鏡在材料選擇、加工工藝及裝夾方式等方面還存在一定的改進余地。

?高壓放大器推薦:ATA-7030

wKgZPGdaRgKAe8wdAAClEfq7c1A868.png

圖:ATA-7030高壓放大器指標參數(shù)

本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布,更多案例及產(chǎn)品詳情請持續(xù)關(guān)注我們。西安安泰電子Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線,且具有相當規(guī)模的儀器設(shè)備供應商,樣機都支持免費試用。高壓放大器https://www.aigtek.com/products/bk-gyfdq.html

審核編輯 黃宇

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