新品發(fā)布

全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）

與相同封裝的混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）

三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布，將于4月22日開(kāi)始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。作為該企業(yè)SLIMDIP系列中首款采用SiC技術(shù)的緊湊型端子優(yōu)化模塊，這兩款產(chǎn)品在小型至大型電器應(yīng)用中均能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的輸出性能與功耗降低，顯著提升能效表現(xiàn)。三菱電機(jī)將在PCIM Expo&Conference 2025（5月6-8日，德國(guó)紐倫堡）及日本、中國(guó)等國(guó)家的行業(yè)展會(huì)上展出這兩款產(chǎn)品。

三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)的SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現(xiàn)行硅基逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管（RC-IGBT）SLIMDIP模塊相比，新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外，與硅基模塊相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%1，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%1，可使電器更節(jié)能。通過(guò)這兩款新型模塊與現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合，SLIMDIP系列現(xiàn)可為空調(diào)等家電的逆變器電路板提供三種選擇，每種選擇可分別滿足不同電氣容量與性能需求，在保持相同封裝的前提下，幫助減輕逆變器基板的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

該系列首款SiC MOSFET模塊，幫助提升家電用大容量逆變器的輸出功率

由于內(nèi)置了新開(kāi)發(fā)的專為SLIMDIP封裝優(yōu)化的SiC MOSFET芯片，作為首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導(dǎo)體模塊，其輸出功率較現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高

全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%，顯著提升家電能效

全新SiC MOSFET模塊適配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸與特性，與現(xiàn)行硅基模塊相比可降低79%1的功率損耗，顯著提升家電能效。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時(shí)，更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低80%2

得益于SiC MOSFET和RC-IGBT，混合SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了47%

三菱電機(jī)將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到單個(gè)功率半導(dǎo)體模塊中并應(yīng)用于家電領(lǐng)域，與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠?qū)⒐慕档?7%1。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時(shí)，更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低41%2

混合SiC SLIMDIP內(nèi)部封裝了多個(gè)元件及連線，采用同一IC來(lái)驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的SiC MOSFET（低電流下低導(dǎo)通電壓）和Si RC-IGBT（高電流導(dǎo)通特性）并將之應(yīng)用于家電領(lǐng)域

主要規(guī)格

產(chǎn)品	全SiC SLIMDIP	混合SiC SLIMDIP
型號(hào)	PSF15SG1G6	PSH15SG1G6
內(nèi)置功率芯片	SiC MOSFET	SiC MOSFET + RC-IGBT
額定電壓	600V
額定電流	15A
拓?fù)?/td>	6in1
電路圖
絕緣電壓	2000Vrms
尺寸 （寬×深×高）	32.8×18.8×3.6mm
樣品開(kāi)始提供日期	2025年4月22日
環(huán)保意識(shí)	本產(chǎn)品符合RoHS3指令2011/65/EU和（EU）2015/863

背景

為實(shí)現(xiàn)更高水平的脫碳目標(biāo)，市場(chǎng)對(duì)能夠高效轉(zhuǎn)換電力的家電用功率半導(dǎo)體的需求正持續(xù)增長(zhǎng)，例如控制空調(diào)、洗衣機(jī)中壓縮機(jī)與風(fēng)扇的逆變器。全球范圍內(nèi)，家用電器的節(jié)能逆變器正加速普及，而日本更在不斷加強(qiáng)家電能效的法規(guī)約束。在此背景下，對(duì)有助于提升逆變器效率的高性能功率半導(dǎo)體，其市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)將保持持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

三菱電機(jī)于1997年實(shí)現(xiàn)DIPIPM智能功率半導(dǎo)體模塊商業(yè)化量產(chǎn)，該模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，集成了具有驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能的開(kāi)關(guān)元件與控制IC。2010年，三菱電機(jī)推出了搭載SiC功率半導(dǎo)體模塊的“霧峰”家用空調(diào)。2015年，三菱電機(jī)發(fā)布了采用RC-IGBT的SLIMDIP系列模塊，較第6代超小型DIPIPM體積縮小約30%，助力家電產(chǎn)品向小型化與高能效演進(jìn)。2016年，三菱電機(jī)公布了全SiC超小型DIPIPM，進(jìn)一步推進(jìn)家用空調(diào)的節(jié)能化。

注：混合SiC SLIMDIP產(chǎn)品所采用的并聯(lián)驅(qū)動(dòng)與封裝技術(shù)，是與日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）資助的"脫碳社會(huì)節(jié)能技術(shù)商業(yè)化開(kāi)發(fā)促進(jìn)計(jì)劃"合作研發(fā)的成果。

關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營(yíng)收52579億日元（約合美元348億）。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng)，三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有69年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。